www.lasercomponents.comLASERSPulsed Laser DiodesAvalanche PhotodiodesDETECTORS
„Progress is the realisation of Utopias.“Oscar Wilde, 1854 - 1900
EditorialLiebe Leserinnen und Leser,Sie halten unseren Katalog „Impulslaserdioden & Avalanche Photodioden“ in denHänden; e...
„We believe in choice.“
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24 | www.lasercomponents.comGeneric Specifications at 21°C ▪ High Intensity DevicesMin. Typ. Max.Wavelength [nm] 1520 1550...
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26 | www.lasercomponents.comFasergekoppelte 1550 nm PLDsEine annähernd homogene Strahlverteilungbei den Laserdioden wird d...
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32 | www.lasercomponents.comSilizium Avalanche Photodiodenhaben eine Empfindlichkeit zwi-schen 255 nm und 1100 nm.Die vers...
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34 | www.lasercomponents.comSUR-SerieDie APDs der SUR-Serie zeichnen sich durcheine Reach-Through-Struktur aus, die beson-...
www.lasercomponents.com | 35valanchePhotodiodesASi APD with 905 nm FilterSpecifications @ M = 18, 905 nm! InformationPart ...
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42 | www.lasercomponents.comH2/H3/H4/H5-SerieFür schnellere Messungen sind die Hybrideder H2/H3/H4/H5-Serie geeignet. Hier...
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Catalogue 2013 Lasers et détecteurs - apd et pld
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Catalogue 2013 sur notre gamme lasers et détecteurs fabriqués par LASER COMPONENTS. Nos produits sont disponibles aussi bien en composants seuls qu'en modules complets. Vous retrouverez:
- diodes laser pulsées @905 et 1550nm et les différents boitiers disponibles
- photodiodes à avalanche en Silicium et InGaAs, nos récepteurs avec amplificateur intégré et les différents boitiers disponibles
- Les modules et électroniques:
Modules à diodes laser pulsées
Modules à photodiodes à avalanche
La série CUBE avec photodiodes PIN, UV, visible et proche infrarouge
Les modules à comptages de photons
Les drivers et pilotages de diode laser
Les modules haute tension
Notre amplificateur de courant

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  1. 1. www.lasercomponents.comLASERSPulsed Laser DiodesAvalanche PhotodiodesDETECTORS
  2. 2. „Progress is the realisation of Utopias.“Oscar Wilde, 1854 - 1900
  3. 3. EditorialLiebe Leserinnen und Leser,Sie halten unseren Katalog „Impulslaserdioden & Avalanche Photodioden“ in denHänden; es ist die umfangreichste Auflage, die wir je gedruckt haben und dasbedeutet uns viel.Immer mehr Produkte werden in unseren eigenen Fertigungsstätten in Deutschland,den USA und Kanada produziert. LASER COMPONENTS ist sowohl Herstellerals auch Distributor; beherrscht das Geschäft beider Seiten. Wir beraten kompe-tent und sind Technologieführer, kennen die Wünsche unserer Kunden und könnendie Machbarkeit neuer Produkte beurteilen.Das gelingt uns besonders gut durch die Zusammenarbeit der Produktionsstätten:In nur einem Jahr haben fünf Abteilungen unsere COUNT®Photonenzähler zurMarktreife gebracht; ein Jahr später wurden die Produkte weltweit eingesetzt.OEM-Produkte sind unser Leben. Wir haben ein Standard-Sortiment, doch vor al-lem zeichnen wir uns durch die Herstellung maßgeschneideter Waren aus. LassenSie uns ins Gespräch kommen. Bei uns können Sie auf langjährige Ansprechpart-ner setzen; wir sind erreichbar und bei der Entwicklung eines Produktes habenSie Ihren persönlichen Ansprechpartner.Wir freuen uns auf eine angenehme Zusammenarbeit.Ihr Patrick Paul Günther PaulGeschäftsführer Geschäftsführer/GründerDear Reader,Welcome to our new catalogue “Pulsed Laser Diodes and Avalanche Photodio-des”, the most comprehensive edition produced to date.We are pleased to present the ever-increasing range of products manufactured atour factories in Germany, Canada and the USA. LASER COMPONENTS is bothmanufacturer and distributor, knowing the business from both sides. We offercompetent advice as a technological leader, we know the needs of our custo-mers, and we can estimate the feasibility of new products.We are particulary successful due to the collaborations between each of thedifferent production facilities: In just one year, five departments worked togetherto make the COUNT®photon counters marketable; and just a year later, theproducts were being integrated by international customers.OEM products are our life. We have our standard portfolio, but we stand outdue to our production of customized products. Let‘s talk about it. Our experi-enced personnel is available to assist you during development of a product. Youcorrespond with a single contact person, which saves you time.We look forward to working together with you.YoursPatrick Paul Günther PaulCEO President/FounderPatrick Paul, Günther Paul
  4. 4. „We believe in choice.“
  5. 5. www.lasercomponents.com | 3 INHALT Die eigene Fertigung ................................5 Impulslaserdioden.....................................6 Avalanche Photodioden.............................8 Opto-elektronische Systeme.......................10 Anwendungen .......................................12 Impulslaserdioden ..................................14905 nm PLDs.........................................181550 nm PLDs.......................................22PLD-Gehäuse..........................................27 Avalanche Photodioden ..........................28.Silizium APDs.........................................32.InGaAs APDs.........................................38.APD Receiver.........................................39.APD-Gehäuse.........................................43 Systeme & Elektronik ...............................44Impulslaserdioden Module........................46Avalanche Photodioden Module................47CUBE Serie...........................................48Einzelphotonenzähler..............................49Treiber-Elektronik.....................................51Hochspannungsmodule............................52Stromverstärker.......................................54 Impressum.............................................56 CONTENT In-house Manufacturing..............................5 Pulsed Laser Diodes...................................7 Avalanche Photodiodes..............................9 Opto-electronic Systems...........................11 Applications...........................................13 Pulsed Laser Diodes ................................14905 nm PLDs.........................................181550 nm PLDs ......................................22PLD Packages.........................................27 Avalanche Photodiodes ...........................28.Silicon APDs..........................................32.InGaAs APDs.........................................38.APD Receivers........................................39.APD Packages........................................43 Systems & Electronics...............................44Pulsed Laser Diode Modules ....................46Avalanche Photodiode Modules ...............47CUBE Series..........................................48Single Photon Counting Modules...............49Driver Electronics....................................51High Voltage Modules.............................52Current Amplifier....................................54 Imprint..................................................56
  6. 6. www.lasercomponents.com | 5Impulslaserdioden, Avalanche Photodioden, CUBEs, COUNT-Module oder andere Systeme: LASER COMPONENTS fertigtselbst; in Deutschland, Kanada und den USA. Das Zusammen-spiel der verschiedenen Fertigungsstandorte ermöglicht gar dieProduktion von Systemen. So entstanden die PhotonenzählerCOUNT oder auch die Photodioden-Module CUBE. Wirbieten Ihnen sowohl Standard-Produkte, fertigen aber auch aufKundenwunsch - egal, in welcher Stückzahl.KundenanfertigungenWir zeichnen uns durch die individuelle Entwicklung und Produktion von Komponen-ten nach Kundenwunsch aus. Dabei haben sie während des gesamten Produktle-benszyklus‘ einen konkreten Ansprechpartner, der von der Idee bis zum fertigen Pro-dukt für Sie da ist. Bei besonders hohen oder komplizierten Anforderungen stehenIhnen sogar unsere Entwicklungsteams für ein persönliches Gespräch zur Verfügung.Gerade deswegen erhalten Sie bei uns genau das Produkt, was Sie benötigen.Die eigene FertigungIn-house ManufacturingPulsed laser diodes, avalanche photodiodes, CUBEs, COUNTmodules and much more: LASER COMPONENTS makes themin-house – in Germany, Canada and the USA. The interplaybetween the three factories enables the production of systemsbased on the various components made by the LASERCOMPONENTS group. Out of this synergy evolved theCOUNT modules and CUBE series, to name just two examp-les. We offer standard products but also custom designs –whatever the quantity.Custom ProductsWe specialize in custom design and development to your exact requirements,offering competent advice and support from the initial idea through to the finishedproduct. Our engineering team is ready to assist when needed, ensuring you getexactly the product you need.
  7. 7. 6 | www.lasercomponents.comImpulslaserdiodenLASER COMPONENTS Canada, Inc. fertigt die Impulsla-serdioden in Kanada. Dafür wurde das Unternehmen 2002in einer leer stehenden Fabrikhalle in Montreal gegründet.Innovative Ideen und unbegrenzter Enthusiasmus ließen dasUnternehmen zu einem modernen Hersteller von High-PowerImpulslaserdioden mit einem umfangreichen Sortiment werden,dessen Produkte weltweit Einsatz finden.Viele Faktoren haben zu diesem Erfolg beigetragen. Hierzu zählen das hoch moti-vierte Team des ISO-9001 zertifizierten Unternehmens wie auch die enge Zusam-menarbeit mit den Vertretungen von LASER COMPONENTS und dem deutschenMutterhaus.Am Standort befinden sich die Produktentwicklung und die Fertigung sowie dieTestlabore zur Überprüfung und Vermessung der Komponenten. Verbaut wird selbstdesigntes Halbleitermaterial, welches speziell auf hohe Leistungsanforderungenausgelegt ist.Sonderanfertigungen –Rentabel auch bei kleinen StückzahlenDie enge Kooperation zwischen Auftraggeber und Hersteller ist für uns der größteErfolgsfaktor optimal abgestimmter Produkte. Unsere Kunden sind häufig überrascht,dass die Kosten für angepasste Produkte überschaubar bleiben.LASER COMPONENTS Canada entwickelt Ihre Impulslaserdiode (PLD) angepasstauf das von Ihnen genannte Einsatzgebiet. Dabei können fast alle Produktparameterverändert werden, egal ob Wellenlänge, Ausgangsleistung oder Gehäuseform.Auch komplette Neuentwicklungen sind möglich.Kompromisslose QualitätQualität ist unser höchstes Gebot. Die konsequente Anwendung von Qualitäts-Management-Methoden führt zu stetig weiterentwickelten Produkten. Neue Produkteund steigende Effizienz - ein gelebter Anspruch.Zur Bestimmung der Qualität wurde ein „Life Test Rack“ entwickelt, mit dem ganzunterschiedliche Anwendungen simuliert werden können. Die hier geprüften Im-pulslaserdioden werden über die freigegebenen Grenzen belastet.PRODUCTION
  8. 8. www.lasercomponents.com | 7Pulsed Laser DiodesLASER COMPONENTS Canada, Inc. produces pulsed laserdiodes in Canada. From a business that started in 2002 in adark empty warehouse with only a plan and plenty of enthu-siasm LASER COMPONENTS Canada is now a respectedmanufacturer and innovator of high power pulsed laser diodesserving a wide range of global applications.Many factors have contributed to this success, but foremost has been the remar-kable effectiveness of the focused and determined team in Canada, working inconjunction with the equally motivated LASER COMPONENTS distribution groupsand the German head office.LASER COMPONENTS Canada is an ISO-9001 certified fab-less operation; allthe assembly, test, verification and product development is based in the facility,but our partners are responsible for growing our material to our own recipe. Theseproducts are based on innovative semiconductor material designed by LASERCOMPONENTS for state-of-the-art performance.Custom Solutions –Cost-effective, Even when Produced in Small AmountsClose cooperation between the customer and the manufacturer has been our grea-test success factor in manufacturing optimally customized products. Our customersare often pleasantly surprised by how reasonable our prices are for customizedproducts.LASER COMPONENTS Canada develops your pulsed laser diodes (PLDs) suitedto your field of application. Almost all product parameters can be adjusted (e.g.,wavelength, output power, and housing). It is also possible to develop completelynew products.Uncompromising QualityQuality is an absolute imperative. The consistent application of quality managementmethods has resulted in the continuous advancement of products. New productsand increasing efficiency are in constant demand.As part of quality control, a life test rack was developed to simulate very differentapplications. The pulsed laser diodes being tested on the life rack are frequencypushed well beyond their approved limits.
  9. 9. 8 | www.lasercomponents.comAvalanche PhotodiodenSeit 2004 fertigt LASER COMPONENTS DG, Inc. AvalanchePhotodioden in Phoenix, Arizona. In den USA ist die gesam-te Prozesskette in eigener Hand. Die Detektoren beruhen aufeiner eigens entwickelten Halbleiterstruktur. Das Standardpro-gramm umfasst Si-Epitaxie und Reach-Through APDs mit einemDurchmesser der aktiven Fläche von 230 µm bis 3,0 mm.Die aus eigener Produktion stammenden Si-Avalanche-Diodeneignen sich besonders zum Erkennen geringer Lichtmengen,bis hin zu einzelnen Photonen.PRODUCTIONAnspruchsvolle Produkte nach KundenwunschDie Detector Group ist Spezialist für Auftragsentwicklungen mit individuellen Konfi-gurationen.Das Angebot reicht von Low-Cost APDs für kommerzielle Anwendungen bis hin zuHigh-End Bauteilen, die in der Wehrtechnik eingesetzt werden. Auch das Herzstückunserer Photon-Counting-Module stammt aus dieser Fertigung: die VLoK-Serie zurDetektion kleinster Lichtmengen. Weiterhin werden komplette Receiver produziert.Sie zeichnen sich durch eine hohe Sensitivität aus, haben einen weiten Wellenlän-genbereich und eine große Frequenzbreite.Produktionsmöglichkeiten durch umfangreiche AusstattungZur Produktion von Avalanche Photodioden greifen wir auf die neuesten Technologi-en zurück und setzen so auch komplizierte Designs um. Wir haben direkten Zugriffauf universitäre Einrichtungen, wodurch wir unsere Kapazitäten auch kurzfristigaufstocken können: ein Garant für kurze Lieferzeiten.Wir fertigen▪▪ Si-APDs▪▪ InGaAs APDs▪▪ APDs für Photonenzähler▪▪ APD-Receiver▪▪ IR-DetektorenPRODUCTION
  10. 10. www.lasercomponents.com | 9Avalanche PhotodiodesLASER COMPONENTS DG, Inc. has produced avalachephotodiodes in Phoenix, Arizona since 2004. In the USA thecomplete production chain is in our hands. The detectors arebased on a specifically developed semiconductor structure.The standard program comprises silicon epitaxy and reach-through APDs with active area diameters from 230 µm to 3.0mm. The silicon APDs from our in-house production are wellsuited for the detection of even the smallest amount of light,right down to single photons.Sophisticated Products using State-of-the-Art TechnologyThe Detector Group is a specialist for orders with individual configurations.Their product range extends from low-cost APDs for commercial applicationsto high-end components used in military applications. The heart of our photoncounting modules originated from this facility: it‘s the VLoK series of APDs used inthe detection of the smallest amount of light. Complete receivers are also producedby the Detector Group. They feature high sensitivity and have a wide wavelengthrange and large frequency width.Extending Production Optionswith the Help of Comprehensive EquipmentWe rely on the latest technologies in the production of avalanche photodiodes toimplement complicated designs. We have access to university facilities: This allowsus the flexibility to expand our capacity on short notice and thus guarantee shortdelivery times.We manufacture▪▪ Si-APDs▪▪ InGaAs APDs▪▪ APDs for single photon countingmodules▪▪ APD receivers▪▪ IR detectors
  11. 11. 10 | www.lasercomponents.comOptoelektronische SystemeEigenständige Produkte vom Stromverstärker bis zu Photodio-den-Modulen werden in Deutschland gefertigt. Die Abteilungoptoelektronische Systeme arbeitet besonders intensiv mit denEntwicklungsabteilungen unserer anderen Standorte zusammenund schafft so anwenderfreundliche Produkte.PRODUCTIONElektronikEntwicklungen aus eigenem HausBei den Wünschen unserer Kunden hören wir genau zu. So sind Ansteuerungen fürdie verschiedensten Dioden entstanden; sie wurden nach konkreten Kundenanforde-rungen entwickelt.Aufbau eines PrototypenDank der umfangreichen Labor-Ausstattung gehen Entwicklungen schnell voran.Innerhalb weniger Tage können Prototypen aufgebaut werden. Mit Hilfe einerSoftware entwickelt unser F&E-Team zunächst das Design der Leiterplatte, die dannmit der computergesteuerten Boardfräse gefertigt wird. Abschließend erfolgt derhändische Aufbau des Prototyps.Qualitätssicherung und SerienfertigungJeder Prototyp wird umfangreich an unseren Messplätzen getestet und vermessen.Wenn er in allen Kriterien den Anforderungen entspricht, erfolgt die Freigabe zurSerienfertigung.SystemeNeben den Elektronik-Bausteinen werden in der Abteilung auch Systeme entwickelt,um unseren Kunden die Anwendung unserer Komponenten so komfortabel wiemöglich zu gestalten. Es werden APD- und PLD-Module gefertigt aber auch Photo-nenzähler und sogar Stromverstärker.Photonenzählwerke aus einer HandGetrieben durch zahlreiche Kundenanfragen wagte die LASER COMPONENTSGmbH im Jahr 2010 den Schritt zur Entwicklung eigener Photonenzählwerke. Inden einzelnen Disziplinen Avalanche Photodioden und Elektronik wird auf dasKnow-how angeschlossener Produktionsstätten gesetzt. Und auch die exklusiveBreitbandbeschichtung der integrierten Optik sowie die Faserkopplung stammenvon LASER COMPONENTS.Von den qualitätsgebenden Komponenten bis zum fertigen System kommt somit al-les aus einem Guss. Und das ist der Schlüssel zum Erfolg für die COUNT®Modulevon LASER COMPONENTS.Profitieren Sie von den Fertigungsmöglichkeiten.Am halbautomatischen Messplatz können Quanteneffizienz, Dunkelzählrate, Totzeitund Afterpulsing gemessen werden. Ob mit oder ohne Faserankopplung ist dabeiegal. Wir simulieren damit verschiedene Szenarien – und überprüfen so die Taug-lichkeit in Ihrem Einsatzgebiet. Fragen Sie an!
  12. 12. www.lasercomponents.com | 11Opto-electronic SystemsStand-alone products, such as our current amplifier and pho-todiode modules, are manufactured in the electronics depart-ment. This department works particularly closely with our otherR&D departments to create user-friendly products.ElectronicsIn-house Product DevelopmentsWe pay close attention to the requests made by our customers. Many develop-ments were made in accordance with concrete customer specifications; in fact, thishas led to the development of different drivers for diodes.Prototype DesignThanks to extensive laboratory equipment, developments can be made very quickly.Prototypes can be built in a matter of days. With the help of software, our R&Dteam initially designed a printed circuit board to be manufactured using a compu-ter-controlled circuit board milling machine followed by the manual assembly of theprototype.Quality Assurance and Series ProductionEach prototype is subjected to comprehensive testing and measurements at ourmeasurement stations. If it meets all the criteria, the prototype is approved for seriesproduction.SystemsAs well as components, we develop sub-systems and modules to enable our cus-tomers to use our components effectively. Such products include PLD drivers, APDmodules, photon counter modules, and current amplifiers.Photon Counters from One SourceMotivated by numerous customer requests, LASER COMPONENTS GmbH venturedthe development of photon counters in house in 2010, relying on the know-how ofaffiliated production facilities in the individual disciplines, avalanche photodiodesand electronics. The exclusive broadband coating of the integrated optics as wellas the fiber connector is also manufactured by LASER COMPONENTS.From quality components to the complete system, everything comes from onesource. This is the secret of LASER COMPONENTS’ success with its COUNT®modules.You Profit from Manufacturing OptionsAt the semi-automatic measuring station, quantum efficiency, dark count rates, deadtime, and after-pulsing can be measured – with or without fiber coupling. We simu-late different scenarios, testing efficiency in your application field. Ask us!
  13. 13. 12 | www.lasercomponents.comAnwendungenHäufig werden Avalanche Photodioden und Impulslaserdiodenzusammen in einem System verwendet. Bei uns erhalten Siebeide Komponenten; sie sind daher ideal aufeinander abge-stimmt. Häufig werden die Produkte zur Pulslaufzeitmessung inein System verbaut. Doch lesen Sie selbst.PLD & APDDas perfekte PaarIn der optoelektronischen Messtechnik spielt die optimale Abstimmung zwischenEmitter und Detektor die entscheidende Rolle für den reibungsfreien Betrieb vonSystemen. Schon bei der Entwicklung ist darauf zu achten, dass entsprechendeBauteile anwendungsspezifisch angepasst werden.Während für den Einsatz optoelektronischer Bauteile in der Militärtechnik extremeBedingungen herrschen, aber eine kurze Lebensdauer ausreichen kann, ist in derSicherheitstechnik und im Automotive-Bereich ein jahrelanger garantierter Betriebzwingend erforderlich.Pulslaufzeit – FunktionsprinzipBasiselement für zahlreiche Anwendungen ist die optische Distanzmessung nachdem Prinzip der Pulslaufzeit („TOF – Time-of-flight“). Mit diesem berührungslos arbei-tenden Werkzeug lassen sich Abstände und Geschwindigkeiten von einigen cm biskm messen.Bei der Laufzeitmessung wird ein zeitlich modulierter Lichtimpuls, der durch eineSendeoptik scharf gebündelt wird, ausgesandt. Aus der Ankunftszeit des reflektiertenLichts wird die Laufzeit Dt des Lichts bestimmt. Daraus wird über die Lichtgeschwin-digkeit c die Entfernung l ermittelt. Da das Licht den Weg sowohl auf dem Hin- alsauch auf dem Rückweg zurücklegt, muss die Entfernung noch durch zwei geteiltwerden. Die Brechkraft n des umgebenden Mediums reduziert die Lichtgeschwin-digkeit.Da die direkte Messung der Laufzeiten bei kurzen Entfernungen extrem schwierigist, wird oft auf indirekte Verfahren zurückgegriffen. Dazu wird das Lasersignalperiodisch moduliert und der reflektierte mit dem ausgesandten Strahl überlagert(„Phasenverschiebung“). Das resultierende Signal erlaubt eine relative Entfernungs-messung.AnwendungsfelderDie Impulslaser werden in der Verkehrsüberwachung, bei Geschwindigkeitskontrol-len und in Rangefindern eingesetzt, ebenso in militärischen High-End-Produkten, dermedizinischen Therapie, bei industriellen Laserscannern, in der Robotik oder bei derMessung der Wolkenhöhe.Neue Anwendungsfelder eröffnen sich in der Automobilindustrie – beispielsweisebei der adaptiven Geschwindigkeitsregelung oder bei Warnungen bzgl. des totenWinkels.APDs werden als Empfänger ebenfalls in der Entfernungs- und Geschwindigkeits-messtechnik verwendet. Zu den weiteren Einsatzgebieten dieser hochwertigenPhotodioden gehören die Medizintechnik (Verwendung z. B. in der Augenheilkun-de) oder die Datenübertragung.l =c * Dt2 * nPrinzipskizze einer TOF-Messung.Distance and relative speed measurement.
  14. 14. www.lasercomponents.com | 13ApplicationsPulsed laser diodes and avalanche photodiodes are frequent-ly used together in the same application. We provide bothcomponents so that you can chose the ideal combination foryour needs. Time-of-flight distance measurement is one of thebest-known applications, read on for more details.Laser safety scanner.Schematic diagram of TOF principle.The Optimum Performance for Your ApplicationOptoelectronic measurement technology relies on precisely matched componentsfor optimum system performance. It is therefore essential to choose componentscarefully from the initial development phase onwards, in order to ensure the bestpossible performance in the application.Whereas military applications may require components to perform within extremelystringent limits without the requirement for long device life, many other applicationsin industrial or auto-motive fields demand extremely long lifetime and reliability.TOF – Measurement PrincipleTime-of-Flight (TOF) measurement is the underlying principle for a wide variety ofoptical measurement applications. This non-contact measurement tool enables wideranges of distances and speeds to be determined quickly and accurately.The TOF measurement utilises short pulses of light transmitted through highly accura-te beamshaping optics. The time-of-flight Dt is calculated from the time of arrival ofthe light pulse reflected, and is used to calculate the distance l based on the knownspeed of light c (the distance must then be divided by two since the light pulsetravels the distance between sensor and object twice). The refractive index n ofthe medium through which the light is propagated must also be taken into account(usually n = 1 as most measurements are made in air).Direct TOF measurement is however not the best method for measuring very shortdistances due to the extremely high time resolution required, therefore an alternativemethod known as phase correlation is often used to provide a relative measure-ment. Here, the laser signal is modulated and the transmitted and reflected beamcompared with one another. The distance measured can be calculated from thephase difference between the two signals.Areas of ApplicationPulsed laser diodes are found in a wide variety of applications including traffic mo-nitoring, speed measurement and commercial rangefinders for sports applications,as well as in high-end, eye-safe military rangefinders. Further areas of applicationinclude medical therapy, industrial laser scanners, robotics and aviation (e.g. cloudbase altitude measurement).More recently, there has been considerable interest in the use of these devices inautomotive applications such as automatic cruise control, obstacle avoidance andblind spot detection.APDs are also commonly used for distance and speed measurement. Additionalareas of application include medical technology (e. g. in retinal diagnostics) andtelecommunications.l =c * Dt2 * n
  15. 15. www.lasercomponents.comPULSEDLASER DIODESwww.lasercomponents.com
  16. 16. www.lasercomponents.com/lc/pulsed-laser-diodes/ www.lasercomponents.com/lc/pulsed-laser-diodes/ImpulslaserdiodenPulsed Laser Diodeswww.lasercomponents.com/lc/pulsed-laser-diodes/
  17. 17. 16 | www.lasercomponents.com www.lasercomponents.com16 | www.lasercomponents.comWas Sievon uns erwarten dürfenDie Impulslaserdioden von LASER COMPONENTS sind inunterschiedlichen Wellenlängen verfügbar. Gängig sind dieWellenlängen 905 nm und 1550 nm. Bei uns erhalten SieEinzelelemente, Stapelaufbauten und Laserdioden mit mehrerenSperrschichten, die so genannten Multi-Junction Elemente.Wir beherrschen die Fertigung von Impulslaserdioden mit demdirekten Anschluss einer optischen Faser und können sogar sogenannte FAC-Linsen vor den Chip bringen. Doch lesen Sie imFolgenden mehr darüber!PULSEDLASER DIODESIndividuelle Produkte nach KundenwunschBei der Fertigung kundenspezifischer Produkte sind wir stark! Schon häufig habenwir für Kunden Entwicklungsaufträge übernommen und sie erfolgreich abgeschlos-sen. Sprechen Sie uns jederzeit an! Häufig ist die Fertigung eines individuellenProduktes günstiger, als Sie annehmen.Selbstverständlich haben wir auch ein Grundsortiment, dessen Produkte schnell ver-fügbar sind. - Vielleicht entspricht bereits eine der gelisteten Impulslaserdioden IhrenAnforderungen? Kontaktieren Sie uns!) Rufen Sie an: +49 8142 2864-0info@lasercomponents.comWir stehen Ihnen telefonisch und perE-Mail zur Verfügung.NomenklaturMit nur einem Blick wissen Sie, was Sie in den Händen halten oder können umge-kehrt sofort die PLD bestellen, die Sie benötigen. Die PLDs sind wie folgt bezeichnet:l Tol Typ Width PackageWellenlänge Wellenlängen-ToleranzElementTypBreite desKontakt-StreifensGehäuseD ± 10 nmG ± 30 nmH ± 40 nm905 905 nm155 1550 nmHI155 1550 nmHohe Intensität1S EinzelchipXS Stapelaufbau mit x Chips1SXJ Multi-junction ElementeXSXJ Multi-junction Stapelaufbau03 75 µm06 150 µm09 225 µmetc. 01 ≙ 25 µmC 8-32 coaxR 9 mmS TO-18U 5,6 mmUA 5,6 mm low costY KeramikFP Faserkopplung
  18. 18. www.lasercomponents.com | 17www.lasercomponents.com/lc/pulsed-laser-diodes/ulsedLaserDiodesPwww.lasercomponents.com | 17l Tol Typ Width PackageWavelength WavelengthToleranceDeviceTypeContact StripeWidthPackageNomenclatureOur product nomenclature allows you to see at a glance what’s what – details aregiven below.What do we offer?LASER COMPONENTS manufactures pulsed laser diodes pri-marily at 905nm and 1550nm, with other wavelengths availa-ble upon request. As well as single and stacked emitters, wespecialize in multi-junction laser diodes with several emitters inone chip.Pulsed laser diodes with integrated fast axis lenses (FAC) or fi-ber optic pigtails offer added flexibility to the user. Read moreover the next few pages.Custom productsLASER COMPONENTS Canada has made a name for itself as a supplier ofbespoke products, having specialized in custom projects since day one. Talk to usabout your requirements - custom products are often less expensive than you mightexpect.Naturally we also offer a wide range of off-the-shelf technology which may wellmeet your exact needs – call us for more details.* info@lasercomponents.comYou can also give us a call!USA +1 603 821 7040France +33 1 3959 5225UK +44 1245 491 499Worldwide +49 8142 2864-0D ± 10 nmG ± 30 nmH ± 40 nm905 905 nm155 1550 nmHI155 1550 nmHigh intensity1S Single chipXS Stacked devices with x chips1SXJ Multi-junction elementsXSXJ Multi-junction devices03 75 µm06 150 µm09 225 µmetc. 01 ≙ 25 µmC 8-32 coaxR 9 mmS TO-18U 5.6 mmUA 5.6 mm low costY CeramicFP Fiber-coupled
  19. 19. 18 | www.lasercomponents.comDie 905 nm PLDs sind als Einzel-elemente, Stapelaufbauten oderals Multi-Junction Chip erhältlich.Our 905 nm PLDs are availableas single chip, stacked or multi-junction devices.905 nmImpulslaserdioden905 nmPulsed Laser DiodesEinzelemitter undStapelaufbautenDie AlGaAs Struktur der 905-Serie bringthöchste Zuverlässigkeit, Strahleigenschaftenund Temperaturstabilität mit sich. Bei einerEffizienz von 1 W/A erreichen die Einzel-elemente Spitzenleistungen von 34 W. DieStack-Ausführungen kommen auf 130 W beieiner Pulslänge von 150 ns und einem DutyCycle von 0,1 %.Geliefert werden diese 905 nm PLDs ineinem TO-18, 5.6 mm, 9 mm, 8-32 KoaxGehäuse oder als Chip auf Keramikträgern.Single and StackedDevicesThe proven AlGaAs-based design of the 905series features unrivalled reliability, beamparameters and temperature stability, withoutput powers of up to 34 W (single chip) or130 W (stack) with 150 ns pulses at 0.1%duty cycle, thanks to the high efficiency ofthe design (1 W/A).All versions are available in a range ofpackages including TO-18, 5.6 mm, 9 mm,8-32 coax and chip-on-ceramic.Generic Specifications at 21°CMin. Typ. Max.Wavelength [nm] 895 905 915Spectral bandwidth [nm] 5 (8*)Temperature coefficient [nm/°C] 0.27Beam spread (FWHM)Parallel to junction plane [degrees] 12PerpendicularSingle elements [degrees]Stacks [degrees]25 (20*)30 (20*)Reverse voltage [V] 6Pulse durationSingle element [µs] 1 (0.15*)Stacks [ns] 200Duty factor [%] 0.1TemperatureStorage [°C] -55 100Operating [°C] -45 85* For multi-junction devices! Good to know
  20. 20. www.lasercomponents.com | 19ulsedLaserDiodesPSingle and Stacked DevicesPart Number Wavelength[nm]Min Power[W]Package Emitting Area[µm x µm]Iop[A]Ith[mA]905D1S1.5X 905 3 U,S 37.5 x 1 3.5 100905D1S03X 905 6 U,S 75 x 1 7 200905D1S06X 905 13 U,S 150 x 1 15 400905D1S09X 905 19 U,S 230 x 1 22 600905D1S12X 905 26 U,S 300 x 1 30 800905D1S16X 905 34 U,S 400 x 1 40 1200905D2S06X 905 25 U,S 150 x 125 15 400905D3S09X 905 55 U,S 230 x 225 22 600905D3S12X 905 70 U,S 300 x 225 30 800905D4S12X 905 90 U,S 300 x 340 30 800905D4S16X 905 130 U,S 400 x 340 40 1200Specifications @ 21°C, 150 ns, 6.66 kHzOption: C, R, Y package! Good to knowMulti-junction ElementeDie Multi-Junction Impulslaserdioden ähnelnder nanostack Technologie. Die PLDs vonLASER COMPONENTS beeindrucken mitSpitzenleistungen bis zu 75 W bei einerPulslänge von 150 ns aus einem einzelnenChip.Multi-junction PLDsMulti-junction pulsed laser diodes are similarto nanostack technology.LASER COMPONENTS’ PLDs exhibit a peakpower of up to 75 W at a pulse length of150 ns from a single chip.Multi-junction DevicesPart Number Wavelength[nm]Min Power[W]Package Emitting Area[µm x µm]Iop[A]Ith[mA]905D1S3J03X 905 25 U,S 85 x 10 11 300905D1S3J06X 905 50 U,S 160 x 10 22 500905D1S3J09X 905 75 U,S 235 x 10 35 80090592S3J09X 905 135 U,S 235 x 200 35 80090593S3J09X 905 200 S 235 x 400 35 800905D1S3J08X* 905 70 U,S 200 x 10 30 750905D2S3J08X* 905 140 U,S 200 x 125 30 750905D3S3J08X* 905 210 U,S 200 x 250 30 750Specifications @ 21°C, 150 ns, 6.66 kHz* Specifications @ 21°C, 100 ns, 1 kHzOption: C, R, Y package! Good to know
  21. 21. 20 | www.lasercomponents.comFasergekoppelte 905 nm PLDsEin sehr homogenes Strahlprofil kann beiLaserdioden einfach erreicht werden: Mannutzt die Modenmischung in einer opti-schen Faser. Diese Impulslaserdioden, PLDs,haben eine optische Ausgangsleistung biszu 65 W. Die fasergekoppelten PLDs sindfür alle Anwendungen geeignet, bei denendie Spitzenleistung mit möglichst geringemVerlust zu einem bestimmten Punkt übertragenwerden muss: relevant sind medizinischeAnwendungen, Laser-Entfernungsmesser aberauch Beleuchtungs-Aufgaben.Fiber Pigtailed 905 nm PLDsA near homogeneous beam distribution canbe achieved by mixing the modes in an op-tical fiber. These PLDs have an optical outputpower of up to 65 W. They are, therefore,ideally suited for medical applications, laserrangefinder or illumination in which a highamount of peak power must be delivered toa point as efficiently as possible.Fiber-pigtailed Devices ▪ Single ChipsParameter IntegratedPulsed LaserDiodePo ex fiber atIFM[min.]Fiber core /cladding diameterFiberNAMax. peakforwardcurrent iFMlthtyp905D1S03FP-10/15-L-0-01 905D1S03R 4.75 W 105 μm / 125 μm 0.15 7 A 200 mA905D1S03FP-10/22-F-0-01 905D1S03R 3.5 W 105 μm / 125 μm 0.22 7 A 200 mAStacked chip characteristics @ tRT= 21°C, tW= 150 ns, Prr= 6.66 kHz! Good to knowParameter IntegratedPulsed LaserDiodePo ex fiberat IFM[min.]Fiber core /cladding diameterFiberNAMax. peakforwardcurrent iFMlthtyp905D1S3J03FP-10/22-F-0-01 905D1S3J03R 12 W 105 μm/125 μm 0.22 11 A 300 mA905D1S3J09FP-40/22-F-0-01 905D1S3J09R 35 W 400 μm/440 μm 0.22 35 A 800 mA905D2S3J09FP-40/22-F-0-01 905D2S3J09R 65 W 400 μm/440 μm 0.22 35 A 800 mASingle chip characteristics @ tRT= 21°C, tW= 150 ns, Prr= 6.66 kHz! Good to knowFiber-pigtailed Devices ▪ Multi-junction Chips and Stacked Arrays
  22. 22. www.lasercomponents.com | 21ulsedLaserDiodesPPreiswerteImpulslaserdiodenLow CostPulsed Laser DiodesBei der so genannten High Volu-me/Low Cost Serie erhalten SieImpulslaserdioden im Metallge-häuse, die für Consumer-Produktewie Laser-Entfernungsmesser bes-tens geeignet sind.Die 905DxxUA Serie emittiert bei einer Wel-lenlänge von 905 nm. Die Einzelelement-Ausführungen erreichen eine Spitzenleistungvon 6 W bis 19 W, die Multi-JunctionVersionen eine Leistung von 25 W bis 75 Wbei jeweils 150 ns und einem Duty Cyclevon 0,1%.Durch die sehr großen Produktionszahlendieser Typen ist diese Serie hochwertigerPLDs preislich konkurrenzfähig zu PLDs imPlastikgehäuse.Damit die PLD-Chips alle technischen Vorteileausschöpfen können, sind sie in ein hermeti-sches 5,6 mm Gehäuse integriert. Dies lieferthöchste Zuverlässigkeit, gute Übersteuerbar-keit, optimales thermisches Verhalten undeine sehr präzise Chipposition im Gehäuse.Low Cost PLDsPart Number Wavelength[nm]Typ. Power[W]Package Emitting Area[µm x µm]Iop[A]IthmA]905D1S03UA 905 6 UA 75 x 1 7 200905D1S09UA 905 19 UA 230 x 1 22 600905D1S3J03UA 905 25 UA 85 x 10 11 300905D1S3J06UA* 905 50 UA 160 x 10 22 500905D1S3J09UA 905 75 UA 235 x 10 35 800For generic specifications please refer to the table on page 18.*Products are available on request.! InformationThe best-selling high-volume/low-cost series consists of pulsed laserdiodes in a metal housing thatare best suited for consumer pro-ducts such as laser rangefinders.The 905DxxUA series features a centerwavelength of 905 nm. The devices offeredinclude single chip devices with powersranging from 6 W to 19 W as well asmulti-junction versions from 25 W to 75 W(150 ns, 0.1% duty cycle).The high production volume of these devicesenables LASER COMPONENTS to offerthese high-quality PLDs in hermetic metalpackages, at prices competitive to thoseoffered in plastic housings.The hermetic 5.6 mm package allows theuser to benefit from the many technical ad-vantages of the 905DxxUA series, includingexcellent reliability, unrivalled overdrive capa-bility, optimum heat handling and a precisechip-to-package alignment.
  23. 23. 22 | www.lasercomponents.comImpulslaserdioden bei 1550 nmgelten als augensicher und sindals Einzelemitter oder Stapelauf-bauten verfügbar.1550 pulsed laser diodes areclassified as eye-safe and areavailable as single or stackeddevices.1550 nmImpulslaserdioden1550 nmPulsed Laser DiodesEinzelemitter undStapelaufbautenDie InGaAsP-Struktur der 1550-Serie zeich-nen sich aus durch höchste Zuverlässigkeit,Strahleigenschaften und Temperaturstabilität.Die Spitzenleistung der Einzelelementeerreicht 12 W - bei einer Effizienz von0,35 W/A.Die Stack-Ausführungen erreichen Werte von45 W bei einer Pulslänge von 150 ns undeinem Duty Cycle von 0,1 %.Single and StackedDevicesThe innovative InGaAsP-based design of the1550 series features unrivalled reliability,beam parameters and temperature stability.0.35 W/A efficiency translates to outputpowers of up to 12 W (single chip) or45 W (stack) with 150 ns pulses at 0.1%duty cycle.Single and Stacked DevicesPart Number Wavelength[nm]Min Power[W]Package Emitting Area[µm x µm]Iop[A]Ith[mA]155G1S06X 1550 5 S 150 x 1 20 0.8155G1S14X 1550 12 S 350 x 1 40 1.9155G2S06X 1550 10 S 150 x 150 20 0.8155G4S14X 1550 45 S 350 x 340 40 1.9Specifications @ 21°C, 150 ns, 6.66 kHzOption: C, R, U, Y package! Good to know
  24. 24. www.lasercomponents.com | 23ulsedLaserDiodesPGeneric Specifications at 21°C ▪ Single and Stacked DevicesMin. Typ. Max.Wavelength [nm] 1520 1550 1580Spectral bandwidth [nm] 20Temperature coefficient [nm/°C] 0.5Beam spread (FWHM)Parallel to junction plane [degrees] 10PerpendicularSingle elements [degrees]Stacks [degrees]3030Reverse voltage [V] 2Pulse durationSingle element [ns] 200Stacks [ns] 150Duty factor [%] 0.1TemperatureStorage [°C] -55 100Operating [°C] -45 85High Intensity DevicesPart Number Wavelength[nm]Typ. Power[W]Package Emitting Area[µm x µm]Iop[A]Ith[mA]HI155G1S02X 1550 6.5 S 50 x 1 16 0.3HI155G1S04X 1550 10 S 100 x 1 26 0.6HI155G1S07X 1550 17 S 180 x 1 35 0.9HI155G1S14X 1550 33 S 350 x 1 70 2Specifications @ 21°C, 150 ns, 6.66 kHzOption: C, R, U, Y package! Good to knowHI SerieUnsere besonders effizienten PLDs habeneine Effizienz von 0,5 W/A mit einerDivergenz von nur 25 x 12 Grad. Angebo-ten werden sie als Einzel-Chip-Element miteiner Leistung bis zu 35 W. VerschiedeneGehäuseformen sind verfügbar: TO-18,5,6 mm, 9 mm aber auch Einzelchips aufKeramik-Trägern.HI SeriesOur high intensity PLDs feature an effici-ency of 0.5 W/A with a divergence ofonly 25 x 12 degrees and are offered assingle chip devices with power up to 35 W.Packages offered include TO-18, 5.6 mm,9 mm, and chip-on ceramic.
  25. 25. 24 | www.lasercomponents.comGeneric Specifications at 21°C ▪ High Intensity DevicesMin. Typ. Max.Wavelength [nm] 1520 1550 1580Spectral bandwidth [nm] 30Temperature coefficient [nm/°C] 0.6Beam spread (FWHM)Parallel to junction plane [degrees] 12Perpendicular [degrees] 25Reverse voltage [V]Pulse durationDuty factor [%]TemperatureStorage [°C] -55 100Operating [°C] -45 85HI-FAC SerieDie Impulslaserdioden der High-PerformanceHI Serie werden mit einer so genannten FACLinse ausgestattet (Fast axis collimation), umeinen kollimierten Strahl zu erhalten. Dabeiwird die Linse direkt vor dem Chip montiert -und das innerhalb des TO-18 Gehäuses.Abhängig von der eingesetzten Linse kanndie Divergenz bis auf 5 mrad reduziertwerden. Nutzen Sie die Vorteile der integrier-ten Optik, um beispielsweise kompaktereEntfernungsmesser zu bauen.Die HI-FAC Impulslaserdioden halten Be-schleunigungen bis zu 1500 g/ms ebensostand wie sie bei Temperaturen bis + 80 °Ceingesetzt werden können.HI-FAC SeriesWe have combined the high performanceHI series with a fast axis collimator lens (FAClens) mounted directly in front of the laserdiode chip inside the hermetic TO-18 can.Divergences of 5 mrad can be achieveddepending on the lens used resulting in12 degree x 5 mrad divergence which cansave engineering costs and allow for morecompact range finder design.The design can withstand high accelerationrates of over 1500 g/ms and high tempera-tures of up to + 80 °C.This technology is also availableon request with our 905 nmpulsed laser diodes.! Good to know
  26. 26. www.lasercomponents.com | 25ulsedLaserDiodesPHI-FAC DevicesPart Number Wavelength[nm]Min Power[W]Package Emitting Area[µm x µm]Iop[A]Ith[mA]HI155G1S04SCX* 1550 10 S + FAC 100 x 1 26 0.6HI155G1S07SCX 1550 17 S + FAC 180 x 1 35 0.9HI155G1S14SCX* 1550 33 S + FAC 350 x 1 70 2*Various lens options are available on request.! Good to knowGeneric Specifications at 21°C ▪ High Intensity DevicesMin. Typ. Max.Wavelength of peak radiant intensity l [nm] 1520 1550 1580Spectral width Dl at 50% intensity points at iFM[nm] 19.5Wavelength temperature coefficient [nm/°C] 0.5Divergence, w.r.t. junction planeParallel 7 [degrees] 12Perpendicular, 6 with 275 µm EFL lens [mrad]Perpendicular, 6 with 590 µm EFL lens [mrad]9.55Reverse voltage [V] 6Pulse duration [ns] 250Duty factor [%] 0.1TemperatureStorage [°C] 100Operating [°C] 80
  27. 27. 26 | www.lasercomponents.comFasergekoppelte 1550 nm PLDsEine annähernd homogene Strahlverteilungbei den Laserdioden wird durch Moden-Durchmischung in einer optischen Fasererreicht. LASER COMPONENTS hat daherImpulslaserdioden mit Faserkopplung entwi-ckelt.The fasergekoppelten 1550 nm PLDs habeneine optische Ausgangsleistung bis zu 7 Wbei einer 105 µm Faser. Die Produkte wer-den vor allem bei Laserabstandsmessungeneingesetzt oder aber bei DTS-Anwendungen(distributed temperature sensing), bei denendie Ausgangsleistung möglichst verlustfrei aneinen Punkt übertragen werden muss.Fiber Pigtailed 1550 nm PLDsAn almost homogeneous beam distribution inlaser diodes can be achieved by mixing themodes in an optical fiber. Therefore LASERCOMPONENTS has developed pulsed laserdiodes with a fiber pigtail.The fiber pigtailed 1550 nm PLDs havean optical output power of up to 7 W ex105 µm fiber. These PLDs are ideally suitedfor laser rangefinding applications or DTS(distributed temperature sensing) in whicha high amount of peak power must bedelivered to a point as efficiently as possible.Fiber-pigtailed DevicesAdditional products are available on request.! InformationParameter IntegratedPulsed LaserDiodePo ex fiberat iFM[min.]Fiber core /cladding diameterFiberNAMax. peakforwardcurrent iFMlthtypHI155G1S02FP-62/27-F-0-01 HI155G1S02R 4.0 W 62.5 μm / 125 μm 0.27 20 A 300 mAHI155G1S04FP-10/22-L-0-01 HI155G1S04R 7 W 105 μm / 125 μm 0.22 30 A 600 mAHI155G1S04FP-10/22-F-0-01 HI155G1S04R 5 W 105 μm / 125 μm 0.22 30 A 600 mA
  28. 28. www.lasercomponents.com | 27ulsedLaserDiodesPGehäuse-ZeichnungenPackageDrawingsPackage C ▪ 8-32 Coax Package R ▪ 9 mm CD Package S ▪ TO-18Package U ▪ 5.6 mm CD Package Y ▪ Ceramic Package FP ▪ Fiber PigtailsPackage UA ▪ 5.6 mm CDPackage SCX ▪ TO-18Package shown without cap
  29. 29. www.lasercomponents.comwww.lasercomponents.comAVALANCHEPHOTODIODES
  30. 30. www.lasercomponents.com/lc/photodiodes/ www.lasercomponents.com | 29valanchePhotodiodesAwww.lasercomponents.com/lc/photodiodes/ www.lasercomponents.com/lc/photodiodes/Avalanche PhotodiodenAvalanche Photodiodes
  31. 31. www.lasercomponents.com30 | www.lasercomponents.comSi und InGaAs APDsfür hohe AnsprücheLASER COMPONENTS fertigt Avalanche Photodioden ausverschiedenen Halbleitermaterialien. Je nach spektraler Emp-findlichkeit kommt Silizium oder InGaAs zum Einsatz.Mithilfe der Silizium APD wird Strahlung im Bereich von255 nm bis 1100 nm detektiert. Es gibt Versionen für den UV,sichtbaren und NIR-Bereich. Für die Detektion im infrarotenSpektralbereich wird InGaAs verwendet. Diese Dioden habeneine besonders hohe Zerstörschwelle und zeichnen sich durcheine sehr niedrige Kapazität und einem geringen Dunkelstromaus.AVALANCHEPHOTODIODESIndividuelle ProdukteNeben herkömmlichen Avalanche Photodioden werden in Arizona auch Receiverund Detektoren für das Photon Counting gefertigt. Jederzeit können Entwicklungsauf-träge angenommen werden – gern nennen wir Ihnen Auszüge erfolgreich abge-schlossener Kundenprojekte.) Rufen Sie an: +49 8142 2864-0info@lasercomponents.comWir stehen Ihnen telefonisch und perE-Mail zur Verfügung.NomenklaturMit nur einem Blick wissen Sie, was Sie in den Händen halten oder können umge-kehrt sofort die Avalanche Photodiode bestellen, die Sie benötigen.aktive FlächeAPD-Typ PackageSAE = SAE SerieSAR = SAR SerieSAP = SAP SerieSARP = SARP SerieSARF = SARF SerieSAT = SAT SerieIAG = IAG SerieSUR = SUR SerieE1 TO-8F2 TO-46 2-pin mit FilterF3 TO-46 3-pin mit FilterG1 TO-5Hx ReceiverM8 SMDS2 TO-46 2-pin (Si)S3 TO-46 3-pin (Si)S5 TO-46 2-pin (InGaAs)S6 TO-46 3-pin (InGaAs)S7 TO-46 low profileT6 TO-37 mit 1-stage TECT8 TO-37 mit 2-stage TECY(Y1) Keramik080 = 80 µm200 = 200 µm230 = 230 µm350 = 350 µm500 = 500 µm800 = 800 µm1500 = 1500 µm3000 = 3000 µm
  32. 32. www.lasercomponents.com/lc/photodiodes/ www.lasercomponents.com | 31valanchePhotodiodesASophisticatedSi and InGaAs APDs* info@lasercomponents.comYou can also give us a call!USA +1 603 821 7040France +33 1 3959 5225UK +44 1245 491 499Worldwide +49 8142 2864-0Avalanche photodiodes are manufactured from different se-miconductor materials. Depending on the spectral sensitivity,silicon or InGaAs is used.Silicon avalanche photodiodes detect radiation in the rangefrom 255 nm to 1100 nm. Different versions are optimizedfor each of their own wavelength ranges; thus, there are seriesavailable for the UV range, the visible range, and the NIR.For detection in the infrared spectral range, InGaAs is used.The products have three features: an extremely high damagethreshold, a very low capacitance, and a low dark current.Custom APD productsOur team in Arizona offers not only standard avalanche photodiodes but also recei-vers and photon counting detectors, to name just two examples. Custom projectsare always welcome – ask us for details!NomenclatureOur product nomenclature allows you to see at a glance what’s what – details aregiven below.SAE = SAE SeriesSAR = SAR SeriesSAP = SAP SeriesSARP = SARP SeriesSARF = SARF SeriesSAT = SAT SeriesIAG = IAG SeriesSUR = SUR SeriesAPD-Type PackageActive Area080 = 80 µm200 = 200 µm230 = 230 µm350 = 350 µm500 = 500 µm800 = 800 µm1500 = 1500 µm3000 = 3000 µmE1 TO-8F2 TO-46 2-pin with filterF3 TO-46 3-pin with filterG1 TO-5Hx ReceiverM8 SMDS2 TO-46 2-pin (Si)S3 TO-46 3-pin (Si)S5 TO-46 2-pin (InGaAs)S6 TO-46 3-pin (InGaAs)S7 TO-46 low profileT6 TO-37 with 1-stage TECT8 TO-37 with 2-stage TECY(Y1) Ceramic
  33. 33. 32 | www.lasercomponents.comSilizium Avalanche Photodiodenhaben eine Empfindlichkeit zwi-schen 255 nm und 1100 nm.Die verschiedenen Versionen sindjeweils für eigene Wellenlängen-Bereiche optimiert.Silicon avalanche photodiodesdetect radiation from 255 nm to1100 nm. Different versions areoptimized for each of their ownwavelength ranges.Silizium APDs Silicon APDsSAE-SerieDie SAE-Serie hat eine Epitaxie-Struktur undwird optimiert sowohl für den roten (redenhanced) als auch für den NIR Spektral-bereich (NIR enhanced) angeboten. DieseAPDs sind mit einem Durchmesser der aktivenFläche von 230 µm und 500 µm erhältlichund zeichnen sich durch eine sehr großeVerstärkung und einen hohen Dynamikbereichaus.SAE SeriesThe SAE series is based on a planar epi-taxial structure and is offered as either red-enhanced or NIR-enhanced to best match therequirements of the application. These APDsfeature a choice of active area size (230 µmor 500 µm diameter) and feature high gainand a wide dynamic range.Si Epi APDs ▪ SAE SeriesPart Number Diameter[µm]Wavelength Range[nm]Peak Sensitivity[nm]Responsivity @ lPeak [A/W]PackagesSAE230Nx 230 550 – 1050 880 50 S2, S3, M8, F3, L3SAE500Nx 500 550 - 1050 880 50 S2, S3, M8, L3, F3SAE230Vx 230 400 - 1000 650 38 S2, S3, L3, M8SAE500Vx 500 400 - 1000 650 38 S2, S3, L3, M8Generic Specifications for all Si APDs ▪ Absolute Maximum RatingsMin Typ MaxStorage temperature [°C] -55 100Operating temperature [°C] -30 75Reverse current (cw) [μA] 200Reverse current (1sec) [mA] 1Forward current (cw) [mA] 5Forward current (1sec) [mA] 50Max. power dissipation [mW] 60Soldering (for 5 sec) [°C] 200
  34. 34. www.lasercomponents.com | 33valanchePhotodiodesASpecifications @ M=100, peak sensitivity*Other packages are available on request.! InformationSAR-SerieDie SAR-Serie basiert auf einer Reach-Through-Struktur mit einer hohen Empfindlich-keit im gesamten Spektralbereich von 400nm bis 1100 nm, bei gleichzeitig extremschnellen Anstiegs- und Abfallzeiten. DieseAPDs sind mit einem Durchmesser der aktivenFläche von 500 µm bis 3 mm erhältlich.Sie zeichnen sich durch extrem niedrigesRauschen und einen niedrigen Dunkelstromaus. Gerne liefern wir auch auf Wunsch diebesonders rauscharme, selektierte SARP-Version.SAR SeriesThe SAR series is based on a reach-throughstructure for high sensitivity across the range400 – 1100 nm and features very fastresponse as well as extremely low noise anddark current levels. Active area sizes from500 µm to 3 mm are offered. A speciallyselected low noise version (SARP series) isalso available.Part Number Vbr[V]VbrTC[V/°C]Id[nA]Noise[pA/#Hz]Capacitance[pF]Rise Time[ps]SAE230Nx 150 - 300 0.6 0.5 0.2 1 500SAE500Nx 150 - 300 0.6 1.0 0.2 2 500SAE230Vx 150 - 300 0.2 5 0.6 4 450SAE500Vx 150 - 300 0.2 5 0.6 4 450Si Reach-Through APDs ▪ SAR SeriesPart Number Diameter [µm] Wavelength Range[nm]Peak Sensitivity[nm]Responsivity @ lPeak [A/W]PackageSAR500x 500 400-1100 905 60 S2, S3, F3SARP500x 500 400-1100 905 60 S2, S3SARP500T6 500 400-1100 905 60 T6 (TEC)SARF500F2 500 880-930* 905 10 F2SAR1500x 1500 400-1100 905 55 G1, T6SAR3000x 3000 400-1100 905 55 E1, G1, T6Part Number Vbr[V]VbrTC[V/°C]Id[nA]Noise[pA/#Hz]Capacitance[pF]Rise Time[ps]SAR500x 170 – 350 1 1.5 < 1 1.5 450SARP500x 170 - 350 1 0.5 < 0.2 1.5 450SARP500T6 170 - 350 1 0.5 1.5 450SARF500F2 typ. 400 1 1 0.05 1 3000SAR1500x typ. 270 1 1 typ. 2.5 4 500SAR3000x typ. 270 1 3 typ. 5 7 500* With integrated bandpass filter.! Information
  35. 35. 34 | www.lasercomponents.comSUR-SerieDie APDs der SUR-Serie zeichnen sich durcheine Reach-Through-Struktur aus, die beson-ders empfindlich im WellenlängenbereichDUV/UV ist. Viele Anwendungen, vor allemin der Medizintechnik und Biomedizin, benö-tigen Detektoren mit einer hohen Sensibilitätbei kurzen Wellenlängen für Messungen derFluoreszenz, Analytik oder die Szintillation.EigenschaftenDer Vorteil der SUR Serie liegt in der Kombi-nation aus besonders hoher Empfindlichkeitund rauscharmer Leistung, wenn sie im blau-en Wellenlängenbereich eingesetzt werden.Sie sind besser als jeder andere Detektor,der derzeit auf dem Markt ist.Ein weiterer Vorteil dieser APDs ist dieungeschlagene Rausch- und Empfindlichkeitüber den breitesten, kommerziell verfügba-ren, Wellenlängenbereich: von 260 nm bis1000 nm.Der Durchmesser der aktiven Fläche beträgt0,5 mm! Die SUR Serie wird geliefert ineinem hermetisch abgeschlossenen TO-46Gehäuse, welches auf UV Wellenlängenabgestimmt ist.SUR SeriesThe SUR series is based on a silicon reach-through structure with high sensitivity in theDUV/UV wavelength range. Many applica-tions particulary in the medical and biomedi-cal fields require highly sensitive detectors atshort wavelengths for fluorescence measure-ments, analytical equipment or scintillation.CharacteristicsThe benefit of the SUR series is an extremelyhigh sensitivity and low noise performanceoperating in the blue wavelength range andsuperior to any similar detector availablepresently on the market.An additional advantage of these APDs isthe unmatched noise and sensitivity per-formance over the widest commerciallyavailable wavelength range, from 260 nmto 1000 nm.The diameter of the active area is 0.5 mm.The SUR series is delivered in a hermeticallysealed TO-46 package optimized for the UVwavelength range.Electrical Characteristics ▪ SUR SeriesMin Typ. Max UnitsWavelength range 260 1000 nmActive area diameter 0.5 mmBreakdown voltage @ ld= 10 μA 100 200 300 VResponsivity @ M= 100260 nm300 nm350 nm400 nm650 nm2122252844A/WA/WA/WA/WA/WNEP @ M= 100280 nm300 nm350 nm400 nm22201816W/sqrt (Hz)W/sqrt (Hz)W/sqrt (Hz)W/sqrt (Hz)Temperature coefficient @ M= 100 0.9 V/KDark Current, ld @ M= 100 200 pANoise current @ M= 100 2 pA/sqrt (Hz)Capacitance @ M= 100 1.4 pFRise Time @ M= 100 & 400 nm & RL= 50 Ohms 2 nsecCut-off frequency @ M= 100 150 MHz
  36. 36. www.lasercomponents.com | 35valanchePhotodiodesASi APD with 905 nm FilterSpecifications @ M = 18, 905 nm! InformationPart Number Vop[Volt]VbrTC[V/°C]Id[nA]Noise[pA/#Hz]Capacitance[pf]Rise Time[ps]SARF500 typ. 160 1 1 0.05 1 3000Si APDs mit 905 nm Filter –SARF-SerieDie SARF500F2 basiert auf einer Reach-Through Struktur mit exzellenter Quanteneffi-zienz bei gleichzeitig schnellen Anstiegs- undAbfallzeiten. In dem modifizierten TO-46Gehäuse ist bereits ein 905 nm Bandpass-filter integriert. Erhältlich ist diese Bestseller-APD mit einem auf die Messwellenlänge von905 nm optimierten 500 µm APD-Chip.Der Detektor ist optimal für 905 nm Ab-standsmesssysteme geeignet, bei denenaufgrund des Umgebungslichts mit geringerVerstärkung gemessen wird oder teilweisekeine Temperaturkompensation möglich ist.Die Vorteile der SARF500F2 liegen auf derHand: Kostenersparnis, da kein externerFilter mehr benötigt wird und zusätzlicheMontageschritte entfallen, kleinste Bauformsowie optimale Systemeigenschaften bei derMesswellenlänge 905 nm.Si APDs with 905 nm Filter –SARF SeriesThe SARF500F2 features a reach-throughstructure with excellent quantum efficiencyand fast response. The modified TO-46package contains a 500 µm APD chip withpeak sensitivity optimized for 905 nm aswell as a bandpass filter centered at thatwavelength.The detector is the device of choice for905 nm rangefinding applications wherelow gains are used due to high backgroundlight, or where temperature compensation isnot possible.The advantages are obvious: cost saving, asno external filter or filter mount is required,compact design and optimized performanceat 905 nm.Part Number Diameter[µm]Wavelength Range[µm]Peak Sensitivity[nm]Responsivity @ lPeak [A/W]PackageSARF500 500 880 - 930 905 10 F2, F3, M8F
  37. 37. 36 | www.lasercomponents.comAvalanche Photodioden zumPhotonenzählen - SAP-SerieDie Silizium Avalanche Photodioden der SAPSerie werden hauptsächlich für das PhotonCounting eingesetzt. Höchste Effizienz undniedrigste Dunkelzählrate sind die Kennzei-chen dieser Serie.Die SAP APD wurde für den Betrieb im„Geigermodus“ (Vop> Vbr) entwickelt, wobeiein einzelnes Photoelektron einen Lawinen-puls von ca. 108Ladungsträgern triggert.Diese APDs eignen sich besonders für PhotonCounting, spektroskopische Anwendungenund Fluoreszenzmessungen. Weiterhin wer-den sie in der Medizintechnik und in High-End LIDAR Anwendungen eingesetzt.Geliefert werden die APDs wahlweise imTO-46 Gehäuse oder auch mit ein- bzw.zweistufigem TE-Kühler im TO-37 oder TO-8.Die gekühlten Versionen zeichnen sich durchhervorragende Rauscheigenschaften aus.Avalanche Photodiodes forPhoton Counting - SAP SeriesThe SAP-series silicon avalanche photodiodesare primarily used in photon counting. Thisseries features highest efficiency and lowestdark count rates.This specially developed APD is designed foroperation in Geiger mode (Vop> Vbr), wherea single photon may cause an avalancheof up to 108charge carriers. This device isespecially suitable for Photon Counting, spec-troscopy, fluorescence detection, medicalapplications and high-end LIDAR.The APD is hermetically sealed in a modifiedTO-46 package. Cooled versions with eithera one-stage or two-stage TEC in TO-37 orTO-8 packages offer significant reduction ofnoise for even higher performance.SAP SeriesPart Number Diameter[µm]Wavelength Range[nm]Peak Sensitivity[nm]Responsivity @830 nm [A/W]PackageSAP500S2 500 400 - 1100 700 110 S2SAP500T6 500 400 - 1100 700 110 T6SAP500T8 500 400 - 1100 700 110 T8*Specifications @ M = 250, 830 nm** Geiger mode! InformationPart Number Vbr[Volt]VbrTC[V/°C]Id*[pA]Noise*[fA/#Hz]Capacitance*[pf]Dark count rate**[cps]SAP500S2 125 0.35 1000 90 3.3 10,000SAP500T6 125 0.35 200 40 3.3 5,000SAP500T8 125 0.35 70 20 3.3 2,000
  38. 38. www.lasercomponents.com | 37valanchePhotodiodesASi APD for 1064 nm ▪ SAT SeriesThe SAT Series is onlyavailable in the U.S. For allother countries an end-userstatement is required!! Only available in the U.S.Specifications @ M = 100, peak sensitivity! InformationSi APDs für 1064 nmSAT-SerieLIDAR-Anwendungen mit Nd:YAG Lasernbenötigen Detektoren bei 1064 nm. Hiereignet sich die SAT-Serie als optimalerEmpfänger.Die SAT-Serie basiert auf einer Reach-Through-Struktur mit hoher Empfindlichkeit imNIR-Bereich, sowie einer deutlich besserenQuanteneffizienz bei 1064 nm als herkömm-liche Si-APDs. Somit eignet sich die SAT-Seriebestens für LIDAR-Anwendungen mit Nd:YAG-Lasern. Angeboten werden zwei verschie-dene Chipgrößen (800 µm und 3 mm) imTO-5, TO-8 sowie TO-37 (mit TEC).Si APDs for 1064 nmSAT SeriesLIDAR applications typically require efficientdetectors for 1064 nm.The SAT series is a Reach-Through-APD withsensitivity optimised for the near IR and asignificantly higher QE at 1064 nm thanstandard silicon APDs. These devices areideally suited to rangefinding with Nd:YAGlasers. A choice of active area sizes (800µm and 3 mm) is offered. TO-5, TO-8 andcooled TO-37 packages are available.Part Number Diameter[µm]Wavelength Range[nm]Peak Sensitivity[nm]Responsivity @ l1064 nm [A/W]PackageSAT800x 800 700 - 1100 980 25 E1, G1, T6SAT3000x 3000 700 – 1100 980 34 E1, G1, T6Part Number Vbr[Volt]VbrTC[V/°C]Id[nA]Noise[pA/#Hz]Capacitance[pF]Rise Time[ns]SAT800x 400 2.5 1 0.5 2 1SAT3000x 400 2.5 5 1 10 3
  39. 39. 38 | www.lasercomponents.comInGaAs Detektoren sind für denSpektralbereich von 1000 nm bis1650 nm. Im Vergleich zuGermanium-APDs habenInGaAs-APDs deutlich kleinereRauscheigenschaften und bezo-gen auf die aktive Fläche einehöhere Bandbreite.InGaAs detectors have beencreated for the wavelength range1000 – 1650 nm. These devicesoffer superior performance to ger-manium APDs, e.g. much lowernoise, higher bandwidth andsensitivity at longer wavelengths.InGaAs APDs InGaAs APDsIAG-SerieDie IAG-Serie hat einen außerordentlich ge-ringen Dunkelstrom, wenig Rauschen sowieeine besonders hohe Zerstörschwelle. Dreiverschiedene Chipgrößen werden ange-boten: 80 µm, 200 µm und 350 µm; diederzeit größte InGaAs-APD auf dem Markt.Geliefert werden die APDs im TO-46 Gehäu-se, auf einem Keramiksubstrat oder optionalmit thermoelektrischem Kühler im TO-37.IAG SeriesThe lAG series offers best dark current, noiseperformance and damage threshold and isoffered in three active area sizes, 80 µm,200 µm and 350 µm, the largest InGaAs-APD currently available on the market.Both device types are offered in a hermeticTO-46 package. Options include chip-onceramic as well as a cooled version in a TO-37 package.Generic Specifications for all InGaAs APDs ▪ Absolute Maximum RatingsMin MaxStorage temperature [°C] -55 125Operating temperature [°C] -40 85Reverse current [mA] 0.5Forward current [mA] 1Soldering (for 5 sec) [°C] 200
  40. 40. www.lasercomponents.com | 39valanchePhotodiodesAInGaAs APDs ▪ IAG SeriesPart Number Diameter[µm]Wavelength Range[nm]Peak Sensitivity[nm]Responsivity @ lPeak [A/W]PackageIAG080x 80 1000 - 1630 1550 9 S5, S6, S7, Y, T6, T8IAG200x 200 1000 - 1630 1550 9 S5, S6, S7, Y, T6, T8IAG350x 350 1000 - 1630 1550 9.4 S5, S6, S7, Y, T6, T8APD Receiver APD ReceiversDie APD Receiver sind von Hausaus mit einem integrierten Vor-verstärker ausgestattet – für dieoptimale Leistungsfähigkeit.Oft wird die Messempfindlichkeit vonAvalanche Photodioden durch eine nachge-schaltete Elektronik begrenzt. Um die bestePerformance zu erreichen, muss daher eingeeigneter Verstärker verwendet werden.Die Hybriddetektoren der H-Serie bietendem Anwender eine APD mit integriertemVerstärker in einem kompakten hermetischenGehäuse.Alle Receiver sind sowohl mit Silizium*- alsauch mit InGaAs**-APDs lieferbar und de-cken somit die Bereiche von 400 bis 1100nm bzw. von 1000 bis 1650 nm ab.* (SAE-, SAR-, SAT-Serie)** (IAG-Serie)APD receivers come equippedwith an integrated preamplifier –for optimal performance.The performance of an APD in a specificapplication is often limited by the electro-nics, therefore the pre-amplifier needs to bechosen and implemented with great care inorder to achieve the best possible signal-to-noise ratio.Our H-series receivers offer the user an APDwith matched, integrated pre-amplifier in acompact, hermetic package.All the receivers listed below are availablewith silicon* or InGaAs**-APDs and aretherefore suitable for the wavelength ranges400 – 1100 nm and 1000 – 1650 nmrespectively.* (SAE, SAR, SAT Series)** (IAG Series)Part Number Vbr[Volt]VbrTC[V/°C]Id[nA]Noise[pA/#Hz]Capacitance[pF]Rise Time[ps]IAG080x 40 - 80 0.06 typ. 1 < 0.4 0.35 140IAG200x 50 - 83 0.075 typ. 8 < 0.9 1.5 235IAG350x 35 - 70 0.075 typ. 190 typ. 1 4. 1 585
  41. 41. 40 | www.lasercomponents.comPart Number SAR500H0 SAR1500H0 UnitsSi-APD SAR500 SAR1500Active Area Diameter 0.5 1.5 mmWavelength Range 400 - 1000 400 - 1000 nmPeak Sensitivity 905 905 nmBandwidth DC - 20 DC - 20 MHzResponsivity540 nm650 nm905 nm1.352.002.501.352.002.50MV/WMV/WMV/WNEP540 nm650 nm905 nm0.100.060.050.100.060.05pW/rtHzpW/rtHzpW/rtHzOutput Noise Density 100 100 nV/rtHzInput Refered NoiseDensity2 2 pA/rtHzOutput VoltageSwing (1 MO)3 3 VOutput VoltageSwing (50 o)1.5 1.5 VOutput Offset Voltage 25 50 mVElectrical Characteristics ▪ H0 Series@ M = 100, 25°C, RF = 50 kO (typ), (silicon)@ M = 10, 25°C, RF = 50 kO (typ), (InGaAs)! SpecificationsH0-SerieSilizium bzw. InGaAs APDs bilden die Basisder H0 Receiver, in denen ein hybriderVorverstärker integriert ist – optimiert für ge-ringstes Rauschen. Die H0 Receiver werdenvor allem in der Laser-Entfernungsmessung,bei LIDAR sowie bei medizinischen bzw.analytischen Anwendungen eingesetzt.Die H0 Receiver sind in einem modifizier-ten TO-46 Gehäuse untergebracht; mit 5Anschlüssen sowie einem Eintaktausgang.Die Bandbreite der H0 Receiver geht bis zu1 GHz – höhere Bandbreiten können erreichtwerden, indem der Rückkopplungswiderstandweiter verringert wird.H0 SeriesThe H0 series includes a silicon or InGaAsAPD with an optimized low noise hybrid pre-amplifier for the use in laser range finding,LIDAR, medical and analytical applications.Housed in a modified 5 pin TO-46 packagethey offer bandwidths up to 1 GHz and asingle ended output. Higher bandwidths canbe achieved by further lowering the feed-back resistor values.Part Number IAG080H0 IAG200H0 UnitsInGaAs-APD IAG080 IAG200 UnitsDiameter 80 200 μmWavelengthRange900 - 1700 900 - 1700 nmPeak Sensitivity 1550 1550 nmBandwidth DC - 80 DC - 80 MHzResponsivity1550 nm0.1 0.1 MV/WNEP1550 nm0.3 0.4pW/rtHzOutput NoiseDensity30 40 nV/rtHzInput ReferedNoise Density3 4 pA/rtHz
  42. 42. www.lasercomponents.com | 41valanchePhotodiodesAH1-SerieDie besonders rauscharme H1-Serie wird im12-Pin TO-8-Gehäuse geliefert und verfügtüber einen eingebauten Temperatursensor.Die maximale Bandbreite reicht von 1 MHzbis wahlweise 25 MHz.H1 SeriesThe ultra low-noise H1 series is supplied in a12-pin TO-8 package and features a built-intemperature sensor to allow temperaturecompensation. The maximum bandwidthis 1 MHz to 25 MHz depending on theversion.H1 Hybrid Series Type H1A H1B H1C H1DBandwidth DC – 25 MHz DC – 10 MHz DC – 3 MHz DC – 1 MHzResponsivity [MV/W]540 nm650 nm905 nm1550 nm (IAG series, M = 10)0.270.40.50.0942.7450.942740509.427040050094NEP [fW/#Hz]540 nm650 nm905 nm1550 nm (IAG series, M = 10)150100804255537.530160117.5664117.5632Output noise density [nV/#Hz] 40 150 300 3000Input referred noise density [pA/#Hz] 4 1.5 0.3 0.3Electrical Characteristics ▪ H1 SeriesAll data shown is for SAR series APD, M = 100 unless otherwise noted.Bandwidth specifications refers to SAR500. Noise measured at 100 kHz.! Specifications
  43. 43. 42 | www.lasercomponents.comH2/H3/H4/H5-SerieFür schnellere Messungen sind die Hybrideder H2/H3/H4/H5-Serie geeignet. Hierreicht die Bandbreite je nach Version bis700 MHz. Diese Receiver sind in einem klei-nen TO-46- und TO-5- Gehäuse erhältlich.H2/H3/H4/H5 SeriesThe H2/H3/H4/H5 series of receivers isdesigned for even faster applications, withbandwidths up to 700 MHz offered. Thesereceivers are supplied in a compact TO-46or TO-5 package.Hybrid Series H2 H3 H4 H5Supply voltage – Vcc [Volts] 3.3 5.0 3.3 or 5.0 3.3Supply current [mA] 25 25 30 25Bandwidth 10 kHz – 100 MHz 10 kHz – 240 MHz 20 kHz – 470 MHz 20 kHz – 700 MHzResponsivity [MV/W]540 nm650 nm905 nm1550 nm (IAG series, M = 10)1.502.202.700.500.540.801.000.190.220.320.400.0750.120.180.220.042NEP [fW/#Hz]540 nm650 nm905 nm1550 nm (IAG series, M = 10)7045402507550403002301601257004202902301200Output noise density [nV/#Hz] 100 40 50 50Input referred noise density[pA/#Hz]2 2 7 11Electrical Characteristics ▪ H1 SeriesAll data shown is for SAR series APD, M = 100 unless otherwise noted.Bandwidth specifications refer to SAR500. Noise measured at 100 kHz.! Specifications
  44. 44. www.lasercomponents.com | 43valanchePhotodiodesAE1 ▪ TO-8 F2 ▪ TO-46 with filter F3 ▪ TO-46 with filter G1 ▪ TO-5H0 ▪ TO-46 H1 ▪ TO-8 H2, H3, H4, H5 ▪ TO-46 L3 ▪ TO-46M8 ▪ SMD S2 ▪ TO-46 2-pin S3 ▪ TO-46 3-pin S5 ▪ TO-46 2-pinS6 ▪ TO-46 3-pin S7 ▪ TO-46 low profile T6 ▪ TO-37 with TEC T8Y ▪ Ceramic SubmountGehäuse-ZeichnungenPackageDrawings
  45. 45. www.lasercomponents.comSYSTEMS &ELECTRONICS
  46. 46. www.lasercomponents.com/lc/electronics/ www.lasercomponents.com/lc/electronics/Systeme & ElektronikSystems & Electronics
  47. 47. 46 | www.lasercomponents.comVerwenden Sie die Impulslaser-dioden-Module direkt in IhremAufbau - ohne sich mit der An-steuerung auseinandersetzen zumüssen!Unsere PLD-Module sind einfach in der Hand-habung. Sie benötigen lediglich eine Span-nung von + 12 VDC und ein Triggersignal.Eine Reihe unterschiedlicher Gehäuseformenrunden das breite Angebot ab. Hierzu zäh-len geschlossene Metallgehäuse ebenso wiekostengünstige Versionen. Die Metallgehäusesind vollständig vernickelt, um die EMI Emis-sionen von dem Modul zu reduzieren undum das Modul vor externen EMI Strahlungenzu schützen.Complete pulsed laser diodemodules for simple plug & playoperation.Our PLD modules are easy to handle andrequire only a +12 VDC supply and atrigger signal.A range of housing types is offered, inclu-ding closed metal housings and low-costversions. The metal versions are fully nickel-plated, in order to reduce EMI emissionsfrom the module, and to protect the modulefrom any external EMI.Impulslaserdioden-ModulePulsed Laser DiodeModulesSpecifications PLD ModulesPart Number Wavelength [nm] Peak Power [Watt] Pulse Length [ns]LS9-25-4-S10-00 905 25 4LS9-220-8-S10-00 905 220 8LS9-40/220-30/100-S10-11 905 40 – 220* 30 – 100*LC9-XX-YYY-1S03-S10 905 3 – 7** 30 – 150**LC9-XX-YYY-1S3J03-S10 905 10 – 25** 30 – 150**LC9-XX-YYY-1S09-S10 905 10 – 20** 30 – 150**LC9-XXX-YYY-3S3J09-S10 905 40 – 220** 30 – 150**LS5-5-4-S10-00 1550 5 4LS5-80-8-S10-00 1550 80 8LS5-10/50-30/150-S10-11 1550 10 – 50* 30 –150*LC5-XX-YYY-1S14-S10 1550 5 – 12** 30 – 150**LC5-XX-YYY-4S14-S10 1550 10 – 50** 30 – 150*** User-defined via voltage input.** Factory pre-set to customer specified value within given range.! InformationTypical Specifications▪▪ Wavelengths: 905 nm, 1550 nm▪▪ Optical peak power: 3 W - 220 W▪▪ Short rise and fall times▪▪ Optional: adjustable pulse power adjustable pulse length▪▪ Excellent temperature stability▪▪ Complete unit in compact housing: noadditional equipment needed▪▪ Straightforward interfacing: standarddrive voltages, TTL & CMOS triggerCustom designed modulesare available on request!! Customized Products
  48. 48. www.lasercomponents.com | 47lectronicsEAvalanchePhotodioden-ModuleAvalanchePhotodiode ModulesMit Hilfe von APDs werden kleins-te Lichtmengen sehr schnell undzuverlässig detektiert. Für den so-fortigen Einsatz bieten wir Ihnenkomplette APD-Module an.Das Herzstück der Avalanche-Photodioden-Module ist eine rauscharme Si- oderInGaAs-APD mit Vorverstärker und integrierterHV-Spannungsversorgung. Dadurch wird derAnschluss der APD kinderleicht.Die eingebaute Temperaturkompensation er-laubt den Betrieb bei konstanter Verstärkungüber einen weiten Temperaturbereich. Umdieses in einem Metallgehäuse (ca. 75 x 56x 26 mm) untergebrachte Modul betreibenzu können, ist nur noch eine handelsübliche12 VDC Spannungsversorgung notwendig.Fast, straightforward detection oflow light levels is enabled by ourAPD modules.The heart of our APD modules is a low-noiseSi or InGaAs avalanche photodiode that isequipped with a preamplifier and an integ-rated high voltage supply. The module offerseverything needed to operate APDs easilyand conveniently.In-built temperature compensation circuitryallows the APD to be operated at constantgain even if the ambient temperature chan-ges. A 12 VDC supply is all that is neededto operate the module, which is supplied ina compact, electrically shielded metal packa-ge (approx. 75 x 56 x 26 mm).OEM versions are availableon request!! Customized ProductsSpecifications APD ModulesPart Number DetectorTypeWavelengthRange [nm]Active Area Dia.[mm]Bandwidth[MHz]NEP*[fW/#Hz]LCSA500-01 SAR500 400 - 1100 0.5 DC-1 6LCSA500-03 SAR500 400 – 1100 0.5 DC-3 6LCSA500-10 SAR500 400 – 1100 0.5 DC-10 30LCSA500-25 SAR500 400 - 1100 0.5 DC-25 80LCSA1500-01 SAR1500 400 - 1100 1.5 DC-1 6LCSA1500-03 SAR1500 400 - 1100 1.5 DC-3 20LCSA1500-10 SAR1500 400 - 1100 1.5 DC-10 30LCSA1500-25 SAR1500 400 - 1100 1.5 DC-25 80LCSA3000-01 SAR3000 400 - 1100 3.0 DC-1 9LCSA3000-03 SAR3000 400 - 1100 3.0 DC-3 20LCSA3000-10 SAR3000 400 - 1100 3.0 DC-10 30LCSA3000-25 SAR3000 400 - 1100 3.0 DC-25 120LCIA200-01 IAE200 1000 - 1650 0.2 DC-1 32**LCIA200-03 IAE200 1000 - 1650 0.2 DC-3 64**LCIA200-10 IAE200 1000 - 1650 0.2 DC-10 160**LCIA200-25 IAE200 1000 - 1650 0.2 DC-25 425*** Specification @ 905 nm** Specification @1550 nm! Information
  49. 49. 48 | www.lasercomponents.comCUBESerieCUBESeriesPIN-Photodioden, AvalanchePhotodioden und Impulslaserdio-den zum sofortigen Einsatz - dasbietet die CUBE Serie. IntegrierenSie die Bauteile einfach auf Ihreroptischen Bank!Wir vereinfachen Ihre Arbeit und habendafür die CUBE-Serie entwickelt. Es han-delt sich um komplette Photodioden- bzw.Laserdioden-Module, bei denen die gesamteSteuerelektronik in dem Gehäuse integriert ist- übrigens lässt sich das Gehäuse einfach aufder optischen Bank integrieren.The CUBE series has been de-signed to provide plug & playPIN diodes, pulsed laser diodesand avalanche photodiodes foreasy integration onto your opticalbench.These products make your job easier, forexample by including a PLD driver or APDhigh voltage supply into the same compacthousing as the active components, with easymechanical mounting to an optical table.P-CUBEWenn Sie mit rauscharmen Silizium, GaPoder InGaAs PIN Detektoren experimentierenwollen, dann ist die P-CUBE Serie genaudas Richtige für Sie!In Kombination mit dem StromverstärkeriAMP-700 sind die PIN-Module für solcheAnwendungen geeignet, bei denen ein klei-nes Signal zu einer verwendbaren Ausgangs-spannung gewandelt werden muss.Der optionale FC Stecker ist eine bequemeMöglichkeit, um den Detektor über eineoptische Faser direkt mit dem Sample zuverbinden.P-CUBEThe P-CUBE series has been designedfor customers interested in experimentingwith low noise silicon, GaP or InGaAs pindetectors.In combination with the current amplifieriAMP-700 the pin modules are suitable forapplications where a transformation fromsmall signals into manageable output volta-ges is required.The optional FC connector provides a conve-nient method for connecting the detector tothe sample using an optical fiber.Specifications P-CUBEsPart Number Integrated Photodiode Wavelength Range[nm]Active Area[mm²]Dark Current[nA]P-CUBE-10 GaP 190 - 570 19.80 0.5P-CUBE-20 Si 200 - 1050 5 0.3P-CUBE-40 InGaAs 800 - 2200 0.05 0.7Custom designed modulesand OEM versions areavailable on request!! Customized Products COMING SOON A-CUBE: APD modules L-CUBE: PLD modules
  50. 50. www.lasercomponents.com | 49lectronicsEEinzel-PhotonenzählerSingle PhotonCounting ModulesPhotonenzählwerke werdenhauptsächlich für die Messungvon Lichtquanten eingesetzt. Eineder wichtigsten Messgrößen fürdie Qualität der Produkte ist dieQuanteneffizienz bei bestimmtenWellenlängen.Abhängig von der Anwendung werdendiverse COUNT®Module angeboten.Das Si-SPAD-Modul COUNT®ist für dieWellenlängen von 500 nm bis 700 nmoptimiert. Für die kürzeren Wellenlängen istdas COUNT® blueverfügbar, welches sichzusätzlich über eine hohe Detektionseffizienzim blau-grünen Spektralbereich auszeichnet.Das COUNT®NIR liefert beste Performanceim nahen Infrarot. Das COUNT®Q ist miteiner InGaAs-APD ausgestattet und detektiertbis 1600 nm.Photon counters are mainly usedin the measurement of extremelylow (single photon) light levels.One of the most important measu-rement parameters in terms of pro-duct quality is quantum efficiencyat specific wavelengths.Depending on the application, differentCOUNT®modules are available. The SiSPAD COUNT®module is optimized forwavelengths in the range from 500 nmto 700 nm. For shorter wavelengths, theCOUNT® blueis available, which alsofeatures high detection efficiency in theblue-green spectral range. The COUNT®NIR module delivers the best performance inthe near infrared range. The InGaAs basedCOUNT®Q detects up to 1600 nm.COUNT®Das Photonenzählwerk COUNT®zeichnetsich durch höchste Quanteneffizienz sowierekordverdächtige Dunkelzählraten aus. DieEinzelphotonenzähler sind darüber hinaus fürMessungen im gesamten Wellenlängenbe-reich von 400 - 1100 nm bestens geeignetund auch mit Faseranschluss erhältlich.COUNT®The COUNT®photon counter features thehighest quantum efficiency available andrecord-breaking dark count rates. In addition,these single photon counters are perfectlysuited for measurements across the entirewavelength range from 400 - 1000 nm.FC versions are also available for straightfor-ward fiber coupling.Parameter Min. Typ. Max. UnitSpectral range 400 1100 nmDark count rateCOUNT-10CCOUNT-20CCOUNT-50CCOUNT-100CCOUNT-250C102050100250Counts/sCounts/sCounts/sCounts/sCounts/sPhoton detection efficiency Pd at:405 nm670 nm810 nm56040157050%%%Dead time 47 55 nsOperating voltage 11.5 12.0 12.5 VMax. count rate 12 M Counts/sSpecifications COUNT®
  51. 51. 50 | www.lasercomponents.comCOUNT® blueDas COUNT® blueModul kombiniert diebekannt niedrigen Dunkelzählraten mit einernoch höheren Quanteneffizienz bei denkürzeren Wellenlängen:Über 50% der Photonen können bei 405 nmdetektiert werden, über 60% im grünen Spek-tralbereich. Die typische Effizienz im rotenBereich liegt bei >50%.COUNT® blueThe COUNT® bluecombine the phenomenallylow count rates of the existing modules witheven higher detection efficiencies at shorterwavelengths.Over 50% of incoming photons can bedetected at 405 nm, over 60% in the green,while the detection efficiency in the red istypically >50%.COUNT®NIRDas COUNT®NIR ist mit einer APD ausge-stattet, die eine überdurchschnittliche Detek-tionseffizienz > 50% bei 810 nm hat. DieseWellenlänge spielt eine wichtige Rolle beiAnwendungen in der Quantenkryptographie.Das Modul ist auch mit einer Faserkopplungverfügbar.COUNT®NIRThe COUNT®NIR features an APD withenhanced detection efficiency > 50% around810 nm. This wavelength plays an importantrole in quantum cryptography applications.The optional fiber connector allows straight-forward fiber coupling.Parameter Min. Typ. Max. UnitSpectral range 350 1000 nmDark count rateCOUNT-10BCOUNT-20BCOUNT-50BCOUNT-100BCOUNT-250B102050100250Counts/sCounts/sCounts/sCounts/sCounts/sPhoton detection efficiency Pd at:405 nm532 nm670 nm506050557055%%%Dead time 47 55 nsOperating voltage 11.5 12.0 12.5 VMax. count rate 12 M Counts/sParameter Min. Typ. Max. UnitSpectral range 400 1100 nmDark count rateCOUNT-50NCOUNT-100NCOUNT-250N50100250Counts/sCounts/sCounts/sPhoton detection efficiency Pd at:670 nm810 nm60507060%%Dead time 47 55 nsOperating voltage 11.5 12.0 12.5 VMax. count rate 12 M Counts/sSpecifications COUNT® blueSpecifications COUNT®NIR
  52. 52. www.lasercomponents.com | 51lectronicsECOUNT®QViele Kunden arbeiten mit Wellenlängen imIR, die mit Silizium nicht mehr erfasst werdenkönnen. Das COUNT®Q ist daher mit einerInGaAs APD ausgestattet, das einen Wellen-längenbereich von 950 bis 1600 nmabdeckt. Um die beste Performance zu erzie-len, ist die APD thermoelektrisch gekühlt.COUNT®QFor the wavelengths that silicon-basedphoton counting modules cannot reach, wenow offer the COUNT®Q. The low-noise,Geiger mode InGaAs APD covers the900 – 1600 nm range while the multi-stage TEC keeps the dark count range to aminimum.Treiberelektroniken bieten wirsowohl für die Ansteuerung vonImpulslaserdioden als auch fürAvalanche Photodioden.Die Ansteuerung von Impulslaserdioden istbesonders einfach: mit dem Plug & PlayTreibermodul. Zusätzlich bieten wir noch einEvaluation-Board an, damit gar nichts mehrschief gehen kann!Für den Betrieb von Photodioden, AvalanchePhotodioden und Photomultipliern gibt esbeispielsweise kostengünstige Blockmodule,die Spannungen bis 1000 V erzeugen. Jenach Version erfolgt die Steuerung analogoder digital via integriertem µ-Controller.We offer drivers for pulsed laserdiode as well as APD controllers.Our plug & play driver modules for PLDscouldn’t be easier to operate, particularlywith the optional evaluation board.High voltage supplies (up to 1000 V)enable straightforward operation of APDsor photomulipliers, with the optional digitalinterface (depending on version) addingextra flexibility.Treiber-Elektronik ElectronicsParameter Min. Typ. Max. UnitSpectral range 1100 1600 nmDark count rate 1000 Counts/sPhoton detection efficiency Pd at:1550 nm 10 %Dead time 0.1 25 µsOperating voltage 11.5 12.0 12.5 VMax. count rate 10 M Counts/sSpecifications COUNT®Q
  53. 53. 52 | www.lasercomponents.comHochspannungsmoduldBC SerieBesonders interessant sind die Miniatur-Hoch-spannungsmodule für APDs und PIN-Photodi-oden! Drei Module gehören zur dBC-Serie.dBC: digital Bias-Controller. Bis zu 380 VAusgangsspannung werden erreicht - unddas bei Abmessungen von nur 21 x 21 x8,3 mm!High-Voltage ModulesdBC SeriesMiniature high-voltage modules are particu-larly suitable for APDs and PIN photodiodes!The digital bias controller (dBC) series hasthree modules and achieves – even at dimen-sions of just 21 x 21 x 8.3 mm – an outputvoltage of up to 380 V!PLD TreiberelektronikDas LSP-40 ist ein preisgünstiges Plug &Play-Treibermodul für die Impulslaserdioden.Damit können Sie jede beliebige Impulsla-serdiode von LASER COMPONENTS schnellund unkompliziert in Betrieb nehmen!Durch die einfache Beschaltung mit nur zweiWiderständen kann der Anwender zweierleibestimmen: die Pulslänge und den Betriebs-strom, somit also die Laserleistung. Lediglicheine Betriebsspannung von +12 VDC sowieein TTL-Triggersignal werden dann nochbenötigt.Das LSP-40 ist flexibel: Im Gegensatz zurden PLD-Modulen mit fest eingebauter Impuls-laserdiode, kann man beim LSP-40 durcheinfaches Anlöten unterschiedliche Impulsla-serdioden nach Belieben auswechseln undtesten.Mit Hilfe des optional erhältlichen EvaluationBoards wird die Inbetriebnahme der Impuls-laserdiode sogar noch einfacher. Das Boardist mit zwei Potentiometern ausgestattet: hierstellen Sie die Pulsleistung und Pulslänge ein;weiter gibt es ein SMB-Anschluss für dasTriggersignal.PLD Driver ElectronicsThe LSP-40 is an inexpensive, easy to usedriver allowing straightforward operationof any LASER COMPONENTS pulse laserdiode.Simply add two appropriate resistors to thecircuit to set the pulse length and power ofthe laser, and apply 12V and a TTL triggersignal.Unlike complete PLD modules with integratedlasers, the LSP-40 is flexible, allowing theuser to simply operate any chosen laser dio-de via straightforward soldered connections.The optional evaluation board makes ope-ration even easier by adding trim pots forpower and pulse length adjustment, as wellas an SMB trigger input.Specifications LSP-40▪▪ Driver Current: up to 40 A▪▪ Variable pulse length: 30 - 100 ns▪▪ Wavelengths: 905 nm / 1550 nm▪▪ Straightforward operation▪▪ Compact housing
  54. 54. www.lasercomponents.com | 53lectronicsEPart Number dBC-120-3x dBC-220-3x dBC-380-5xOperating voltage 2.8 ... 12.5 V 2.8 ... 12.5 V 4.8 ... 12.5 VOutput voltage 1 ... 120 V 1 ... 220 V 1 ... 380 VOutput adjust 0 .. + 2.2 VDC 0 .. + 2.2 VDC 0 .. + 2.2 VDCTK adjust 0 .. + 2.2 VDC 0 .. + 2.2 VDC 0 .. + 2.2 VDCTemperature sensor (default) Si diode Si diode Si diodeOutput current max. 0.45 mA max. 0.45 mA 0.3 mA @ 380 Vmax. 0.9 mA @ short-circuitOperating temperature -10 °C ... +50 °C -10 °C ... +50 °C -10 °C ... +50 °CDimensions 21 x 21 x 8.3 mm 21 x 21 x 8.3 mm 21 x 21 x 8.3 mmWeight 10 g 10 g 10 gHochspannungsmodulABC 550 SeriesMit Abmessungen von nur 40 x 40 x 13 mmlassen sich die ABC 550 Hochspannungs-module leicht auf Leiterplatten montieren.Die Steuerspannung kann mit einem an dieinterne 5-V-Referenzspannung angeschlosse-nen Potentiometer oder auch extern erzeugtwerden.Bei Überschreitung des maximalen Ausgangs-stroms um wenige Prozent gehen die Modulein einen gefahrlosen Konstantstrom-Modusüber. Testausgänge für Ausgangsspannungund Ausgangsstrom machen die Funktions-überwachung einfach.High-Voltage ModuleABC 550 SeriesWith dimensions of only 40 x 40 x 13 mmthe ABC 550 modules can be easily integ-rated into circuit boards. The control voltagecan be created externally or internally byconnecting a potentiometer to the internal 5V reference voltage.Upon exceeding the maximum output voltageby a few percentages, the modules switchto a harmless constant current mode. Testoutputs for output voltage and output currentmake monitoring easy.Part Number 550-04 550-05 550-06Operating voltage [VDC] +10 .. +18 +10 .. +18 +10 .. +18Setting of amplifier [VDC] 0 .. + 5.0 0 .. + 5.0 0 .. + 5.0Control voltage [VDC] 0 .. + 5.0 0 .. + 5.0 0 .. + 5.0Reference voltage [VDC] + 5.050 + 5.050 + 5.050Temperature Sensor Temperaturedependent resistorSi-P-N-Diode Temperaturedependent resistorOutput voltage [VDC] +10 .. + 500 +10 .. + 500 -10 .. - 500Output current [mA] max. 0.2 max. 0.2 max. 0.2Dimensions [mm] 40 x 40 x10 40 x 40 x10 40 x 40 x10Weight [g] 35 35 35Specifications dBC SeriesSpecifications ABC Series
  55. 55. 54 | www.lasercomponents.comStromverstärker Current AmplifieriAmp-700Der iAMP-700 ist ein programmierbarerStromverstärker für den Frequenzbereich bis720 kHz. Das Gerät kann über die Folienta-statur bedient werden oder aber direkt überdie Digital-Schnittstelle angeschlossen werden– bspw. an einen Computer.Aufgrund seiner sehr hohen, rauscharmenVerstärkungsdynamik und der einfachenHandhabung ist der iAMP-700 für denEinsatz als Vorverstärker und Endverstärkergleichermaßen geeignet. Er kann schlechthinals Universal-Laborverstärker, Impulsverstär-ker, Vorverstärker für Lock-Ins, A/D-Wandlersowie für automatische Messungen genutztwerden.iAmp-700The iAMP-700 is the programmable currentamplifier for the frequency range of up to720 kHz. The amplifier can be controlledusing the membrane keyboard or via thedigital interface included.With its very high, low-noise amplificationrange and easy operation, the iAMP-700is equally suited for use as a preamplifierand an output amplifier. It can be used as auniversal laboratory amplifier, pulse amplifier,preamplifier for lock-ins, and A/D converteras well as for automatic measurements.Stromverstärker wandeln kleineStröme in Ausgangsspannungen,die weiterverarbeitet werdenkönnen. Die Produkte werdenbeispielsweise eingesetzt, um dengeringen Strom von Photodiodenzu verstärken - mit hoher undrauscharmer Verstärkung.Es gibt deutliche Unterschiede in der Gütevon Stromverstärkern. Qualitätsmerkmalesind eine hohe und vor allem rauscharmeVerstärkungsdynamik aber auch eine einfa-che Bedienung. Beides bietet das iAmp vonLASER COMPONENTS.Current amplifiers convert inco-ming currents into output voltage,for example for low-noise am-plification of weak photodiodecurrents.Not all current amplifiers are the same. Keyparameters include a wide dynamic range,low-noise and straightforward operation, allof which are offered by the iAMP.Highlights: iAMP-700▪▪ Frequency range: up to 720 kHz▪▪ Adjustable amplification:102- 1011V/A▪▪ Connection: AC or DC▪▪ EMC compatible housing
  56. 56. www.lasercomponents.com | 55lectronicsEAmplification 10² 103104105106107108109V/AUpper Cut-Off Frequency 720 720 480 480 72 72 1.6 1.6 kHzRise/Fall Time(10 % - 90 %)0.5 0.5 0.7 0.7 5 5 200 200 μsEquivalent InputNoise Current26 24 2.6 2.2 0.28 0.26 0.009 0.009 pAInput OffsetCurrent DriftGain DriftTBA 30000 3000 300 27 2.5 0.2 0.06 pATBA 0.008 0.008 0.008 0.010 0.010 0.010 0.020 %Max. Input Current 10610000 1000 100 10 1 0.1 0.01 μAMax. Input OffsetCompensation Range107100000 10000 1000 100 10 1 0.1 nADC InputImpedance (//5pF)50 50 50 50 150 150 10000 10000 ΩAmplification 10410510610710810910101011V/AUpper Cut-Off Frequency 720 720 480 480 72 72 1.6 1.6 kHzRise/Fall Time(10 % - 90 %)0.5 0.5 0.7 0.7 5 5 200 200 μsEquivalent InputNoise Current26 24 2.6 2.2 0.28 0.26 0.009 0.009 pAInput OffsetCurrent DriftGain DriftTBA 30000 3000 300 27 2.5 0.2 0.06 pATBA 0.008 0.008 0.008 0.010 0.010 0.010 0.020 %Max. Input Current 106100000 10000 1000 100 10 1 0.1 μAMax. Input OffsetCompensation Range106100000 10000 1000 100 10 1 0.1 nADC InputImpedance (//5pF)50 50 50 50 150 150 10000 10000 ΩSpecifications iAMP-700 ▪ Low Noise ModeSpecifications iAMP-700 ▪ High Gain Mode
  57. 57. IMPRESSUM IMPRINT- Herausgeber LASER COMPONENTS GmbH Werner-von-Siemens-Str. 15 82140 Olching/Germany Tel: +49 8142 2864-0 Fax: +49 8142 2864-11 www.lasercomponents.com info@lasercomponents.com Geschäftsführer: Patrick Paul, Günther Paul Handelsregister München HRB 77055 è Druck flyeralarm GmbH, Würzburgi Copyright und Ausschluss Diese Broschüre sowie alle enthaltenen Beiträge und Abbildungen sind urheberrechtlich geschützt. Mit Ausnahme der gesetzlich erlaubten Fälle ist für eine Verwertung die Einwilligung der Laser Components GmbH erforderlich. Trotz gründlicher Recherche kann keine Verantwortung für die Richtigkeit der Inhalte übernommen werden. Technische Änderungen ohne Ankündigung vorbehalten. © 2013. Alle Rechte vorbehalten. Version: 04/13 - Version 4- Editor LASER COMPONENTS GmbH Werner-von-Siemens-Str. 15 82140 Olching/Germany Tel: +49 8142 2864-0 Fax: +49 8142 2864-11 www.lasercomponents.com info@lasercomponents.com General Managers: Patrick Paul, Günther Paul Commercial Register in Munich HRB 77055 è Printer flyeralarm GmbH, Würzburgi Copyright This catalog, including all written and visual entries, is protected by copyright. With the exception of specific cases permitted by law, use of this material without the consent of Laser Components GmbH is punishable by law. Despite thorough research, Laser Components GmbH will not accept responsibility for any inaccuracy of content. Technical material is subject to change without notice. © 2013. All rights reserved.
  58. 58. www.lasercomponents.comGermany & Worldwide ContactLaser Components GmbHWerner-von-Siemens-Str. 1582140 Olching / GermanyTel.: +49 8142 2864-0Fax: +49 8142 2864-11info@lasercomponents.comUSALaser Components USA, Inc.9 River Road HudsonNH 03051/ USATel: +1 603 821 7040Fax: +1 603 821 7041info@laser-components.comFranceLaser Components S.A.S.45 bis Route des Gardes92190 Meudon / FranceTel.: +33 1 39 5l9 52 25Fax: +33 1 39 59 53 50info@lasercomponents.frGreat BritainLaser Components UK Ltd.Goldlay House114 ParkwayChelmsford Essex CM2 7PR / UKTel.: +44 1245 491 499Fax: +44 1245 491 801info@lasercomponents.co.ukKontakt ▪ Contact

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