Trabajo 1! ;)

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Trabajo 1! ;)

  1. 1. 1) MEMORIAS ASINCRONASDRAM:(Dynamic Random Access Memory)Es un tipo de memoria dinámica de accesoaleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otrosdispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que paramantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada ciertoperiodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construirmemorias con gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta:en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de accesomedidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, cuando no hayalimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Fue inventada en los setentaen forma de módulos SIMM O DIMMFPM-RAM: (Fast Page Mode) Memoria en modo paginado, esquema mas frecuente dechips de RAM. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila ycolumna. La ventaja de este memoria consiste en pedir permiso una sola vez u llevarsevarios datos consecutivos; esto comenzó a usarse principios de os años noventa y diobuenos resultados a estos módulos se los denominaron SIMM FPM DRAM y pueden tener30 o 72 pines y se la utiliza en las Pentium 1 lo que logro con esta tecnología es agilizar elproceso de lectura, estas memorias ya no se utilizan mas.
  2. 2. EDO- RAM: (Extended Data Output RAM) Esta memoria permite a la CPU acceder másrápido porque envía bloques enteros de datos; con velocidades de acceso de 40 ó 30 ns.escapaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientrasque se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminaciónde estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza elpróximo ciclo de lectura.BEDO – RAM: (Burst Extended Data Output RAM). Es un tipo mas rápido de EDO quemejora la velocidad usando un contador de dirección par las siguientes direcciones y unestado ¨ Pipeline¨ que solapa las operaciones. Fue diseñada originalmente para soportarmayores velocidades de BUS. Esta memoria es capaz de transferir datos al procesador encada ciclo de reloj, pero no de forma continuada, sino a ráfagas, reduciendo aunque nosuprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datosde memoria. Nunca salió al mercado.2) MEMORIAS SINCRONAS SDR SDRAM: (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM) Memoria con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168
  3. 3. contactos. Fue utilizada en los Pentium 2 y en los Pentium III, así como en los AMD K6, k7 y Duron. Dependiendo de la frecuencia de trabajo se divide en: PC66- bus de memoria es de 66 MHz PC100-bus de memoria es de 100 MHz PC133- bus de memoria es de 133 MHz PC66:La memoria SDRAM que funciona a 66 MHz. Actualmente sólo se utiliza en los Celeron. PC100: La memoria SDRAM que funciona a 100 MHz. Hoy en día es la más utilizada (K6-2, K6-III, K7 Athlon, Pentium II modernos y Pentium III).
  4. 4. PC133: la memoria SDRAM que funciona a 133 MHz. DDR SDRAM:(Doublé Data Rate SDRAM) Envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDRAM, en función de la frecuencia del sistema se clasifican en (según JEDEC).Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian informacióncon el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos losmódulos DIMM en el mismo banco de slots.Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancosde slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus através de dos canales simultáneos, uno para cada banco.
  5. 5. PC 1600 o DDR200: Funciona a 2,5 V, trabaja a 200MHz, es decir 100MHz de busde memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 1,6 Gb/s (de ahí el nombrePC1600). Este tipo de memoria la utilizan los Athlon de AMD, y los últimos Pentium4.PC 2100 o DDR266: Funciona a 3,3 V, trabaja a 266MHz, es decir 133MHz de busde memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,16 Gb/s (de ahí el nombrePC2100).PC 2700 o DDR 333: Funciona a 5 V, trabaja a 333MHz, es decir 166MHz de bus dememoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 Gb/s.
  6. 6. PC 3200 o DDR400 : Velocidad del reloj: 200 MHz Tiempo entre señales: 5 ns Velocidad del reloj: 200 MHz Datos transferidos por segundos: 400 millones Nombre del modulo: PC3200 Máxima capacidad de transferencia: 3200 MB/sPC 4200 o DDR2-553:
  7. 7. Velocidad del reloj: 266MHz Tiempo entre señales: 3,7ns Velocidad del reloj: 266MHz Datos transferidos por segundos: 266millones Nombre del modulo: PC4300 Máxima capacidad de transferencia: 4264 MB/sPC4800 o DDR2-600:Trabaja a 600Mhz, es decir, 300 MHz de bus de memoria y ofrecetasas de transferencia de hasta 4,8 GBs (de ahí el nombre PC4800).PC-5300 o DDR2-667:Trabajaa 667Mhz, es decir, 333 MHz de bus de memoria y ofrece tasas detransferencia de hasta 5,3 GBs (de ahí el nombre PC5300).PC-6400 o DDR2-800: trabaja a 800Mhz, es decir, 400 MHz de bus de memoria y ofrece tasas detransferencia de hasta 6,4 GBs (de ahí el nombre PC6400).
  8. 8. DDR3:Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio. Elprincipal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datosmás rápido, y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades debus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción enla latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usarintegrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB. Tambiénproporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo quelleva consigo una disminución global de consumo eléctrico. Existen estándares de memoria DDR3 en el mercado Son las siguientes: DDR-200 (2001) DDR-266 (2002) DDR-300 (2003) DDR-333 (2004) DDR-366(2004) DDR-400 (2004) DDR-433 (2004) DDR-466 (2004) DDR-500 (2004) DDR-533 (2004)
  9. 9. RDRAM: Esun tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipode memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desdela base pensando en cómo se debería integrar en un sistema.El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos enuna serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho debanda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pines.Este tipo de memoria se utilizó en la videoconsola Nintendo 64 de Nintendo y otrosaparatos de posterior salida.Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho depalabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, ytambién trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar enflancos positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 MHz virtuales oequivalentes; este conjunto le da un amplio ancho de banda. Por eso, a pesar de diseñarsecomo alternativa a la SDR SDRAM, se convirtió en competidora de la DDR SDRAM. XDR DRAM: (Extreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambús RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2SDRAM y GDDR4. XDR fue diseñado para ser efectivo en sistemas pequeños y de alto desempeño que necesiten memorias de alto desempeño así como en GPUs de alto rendimiento. Esta tecnología elimina la inusual alta latencia
  10. 10. que plagaba a su predecesor RDRAM. XDR, también se centra en el ancho de banda soportado por sus pines, lo que puede beneficiar considerablemente los costos de control en la producción de PCB, esto es debido a que se necesitarían menos caminas (lanes) para la misma cantidad de ancho de banda. Rambus, posee todos los derechos sobre esta tecnología y actualmente esta implementada en la consola de videojuegos Play Station 3. Actualmente los módulos XDR soportan una capacidad mínima de 1 GB. XDR2 DRAM: Es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus. Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR RAM. Como compañía de semiconductores Rambus solo produce un diseño, sino que debe llegar a cuerdos con los fabricantes de memoria para producir chips DRAM XDR2, y ha habido una notable falta de interés en hacerlo.4)DRDRAM: Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns, picos de variosGbytes/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para lastarjetas graficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la tarjeta grafica y la memoriaprincipal durante el acceso directo a memoria par el manejo de las texturas graficas. Estetipo de memoria se utilizo en el sistema de videojuegos Nintendo 64 y otros aparatos deposterior salida.
  11. 11. 5) SLDRAM(Synclink Dram) Se basa, al igual que la DRDRAM, es un protocolo propietario,que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso no dependen de lasincronización de múltiples líneas, por lo que este tipo de memoria promete velocidadessuperiores a los 800 MHz, ya que además puede operar al doble de velocidad del reloj delsistema.6) SRAM: (Static Random Access Memory), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es untipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, escapaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito derefresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si seles interrumpe la alimentación eléctrica.La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmenteen reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponerde un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su complejaestructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando esnecesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de loscomputadores personales.  ASYNC SRAM: La memoria cache de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns  SYNC SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns
  12. 12.  PIPELINED SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns7) EDRAM: Significa“Embedde DRAM”, un condensador basado en la memoria de accesoaleatorio dinámico integrado en la misma matriz como un ASIC o el procesador. El costopor bit es superior a la de los chips DRAM independientes, pero en muchas aplicaciones,las ventajas de rendimiento de la colocación de la EDRAM en el mismo chip que elprocesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.Incorporación de la memoria en el procesador ASIC o permite mucho más amplios buses yvelocidades más altas de operación, y debido a la mayor densidad de memoria DRAM, encomparación con SRAM , mayores cantidades de memoria se puede instalar en pequeñasFichas si EDRAM se utiliza en lugar de ESRAM. EDRAM se necesitan más pasos del procesoen comparación con fab integrado SRAM, lo que eleva el costo, pero el ahorro en la zonade 3X compensaciones de memoria EDRAM el coste del proceso, cuando una cantidadsignificativa de memoria se utiliza en el diseño.Memorias EDRAM, al igual que todas las memorias DRAM, requieren periódica derestauración de las células de memoria, lo que añade complejidad.
  13. 13. 8) ESDRAM: (Enhanced Sdram) Incluye una pequeña memoria estática en el interior delchip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser resueltas por estarápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de lamemoria cache utilizada en los procesadores. Este tipo de memoria es apoyado porALPHA, que piensa utilizarla en sus futuros sistemas. Funciona a 133MHz y alcanzatransferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con unavelocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dosanteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo minoritario de ALPHA,VLSI, IBM y DIGITAL.9) VRAM: (Video RAM) es una memoria DRAM y DIMM diseñado específicamente para suuso en las tarjetas graficas.Es más rápido que la DRAM convencional. A diferencia de la DRAM, se le permite leer yescribir al mismo tiempo. Su frecuencia es de 80 MHz y tiempo de acceso es de 20-25 ns.Es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda lainformación visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de estaclase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De estamanera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que
  14. 14. serán visualizados en el monitor en cada momento. Por esta razón también se clasificacomo Dual-Ported TIPOS:  SAM  WRAM  SGRAM  MDRAM  CDRAM  3D RAM  GDDR- SDRAM  RAM extendida10)SGRAM: Es un tipo especializado de SDRAM para adaptadores gráficos. Agrega mejorascomo bit masking (escribir en bit especifico sin afectar a otros) y block write (rellenas unbloque de memoria con un único color). A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM esde un solo puerto. De todas maneras, puede abrir dos páginas de memoria como una,simulando el doble puerto que utilizan otras tecnologías RAM.Tiene mejores características que las FPM, EDO, VRAM, WRAM y SDRAM.Las SGRAM y las SDRAM se volvieron los tipos de DRAM más Populares a finales de los 90y principios del año 2000
  15. 15. 11) WRAM:(Windows RAM): es un tipo de VRAM equipada con líneas separadas delectura y escritura, que ofrece sin embargo tiempos rápidos de acceso y es baratade producir. Por ejemplo, las tarjetas gráficas Matrox MGA Millennium yla Number Nine Revólution 3D "Ticket to Ride" usan WRAM.

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