Emlékező áramköri elemek fizikája Szalai Ferenc [email_address]
Elemi elektrodinamika Töltés: q Fluxus: F (elektromos tér felületegységen) Áram: I (töltés időbeni változása) Feszültség: ...
 
Elemi lineáris áramköri elemek Ellenállás: V = R * I Kondezátor: q = C * V Tekercs: F = L * I
1960 - Bernard Widrow - ADALINE 1971 – Leon O. Chua: Memristor – The Missing Circuit Element
Hogyan függ a fluxus a töltéstől? Memristor: F = M(q) * q M: memristance Ha M nem függ q-tól, akkor ez egy sima ellenállás...
Mire emlékezik? V(t) = M(q(t))*I(t) M egy adott időpontban, arányos a feszültség korábbi értékeinek összegével (integrál) ...
Elméletnek jó, de a létezik ilyen?
1960 Titán-Oxid vékonyréteg kapcsoló tulajdonsága “végállapot töltése nem függ az alkalmazott feszültségtől”
2008 április 30 HP Labs R. Stanley Williams, Greg S. Snider Titánium-Oxid nano struktúra
TiO 2-x TiO 2 Ti Pt 50 nm 5nm q
Egyéb megvalósítások Rezonáns alagútdióda (1994) Polimer végonyrétegek (2004, 2008) Magnézium oxid vékonyréteg (2009) Spin...
2009-2010 DARPA: SyNAPSE (mesterséges neuronhálózat) RRAM: Resistive Random Access Memory Mire jó?
Upcoming SlideShare
Loading in …5
×

Szalai Ferenc - Emlékező áramköri elemek fizikája - Budapest Science Meetup December

765 views

Published on

Published in: Education
  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

Szalai Ferenc - Emlékező áramköri elemek fizikája - Budapest Science Meetup December

  1. 1. Emlékező áramköri elemek fizikája Szalai Ferenc [email_address]
  2. 2. Elemi elektrodinamika Töltés: q Fluxus: F (elektromos tér felületegységen) Áram: I (töltés időbeni változása) Feszültség: V (fluxus időbeni változása)
  3. 4. Elemi lineáris áramköri elemek Ellenállás: V = R * I Kondezátor: q = C * V Tekercs: F = L * I
  4. 5. 1960 - Bernard Widrow - ADALINE 1971 – Leon O. Chua: Memristor – The Missing Circuit Element
  5. 6. Hogyan függ a fluxus a töltéstől? Memristor: F = M(q) * q M: memristance Ha M nem függ q-tól, akkor ez egy sima ellenállás. Nemlineáris rendszerben izgalmas csak!
  6. 7. Mire emlékezik? V(t) = M(q(t))*I(t) M egy adott időpontban, arányos a feszültség korábbi értékeinek összegével (integrál) “Emlékezik a feszültségekre”
  7. 8. Elméletnek jó, de a létezik ilyen?
  8. 9. 1960 Titán-Oxid vékonyréteg kapcsoló tulajdonsága “végállapot töltése nem függ az alkalmazott feszültségtől”
  9. 10. 2008 április 30 HP Labs R. Stanley Williams, Greg S. Snider Titánium-Oxid nano struktúra
  10. 11. TiO 2-x TiO 2 Ti Pt 50 nm 5nm q
  11. 12. Egyéb megvalósítások Rezonáns alagútdióda (1994) Polimer végonyrétegek (2004, 2008) Magnézium oxid vékonyréteg (2009) Spin memristor (2008)
  12. 13. 2009-2010 DARPA: SyNAPSE (mesterséges neuronhálózat) RRAM: Resistive Random Access Memory Mire jó?

×