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Transistor de efecto de campo mosfet y ffet

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Transistor de efecto de campo mosfet y ffet

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Transistor de efecto de campo mosfet y ffet

  1. 1. Universidad Antonio José De Sucre Nombre: Aldair Serrano Cedula: 24734573 Carrera: Electrónica (80)
  2. 2. Transistor JFET Es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje. Posee tres terminales, comúnmente llamados drenaje (D), puerta o compuerta (G) y fuente (S). A diferencia del transistor de unión bipolar el JFET, al ser un dispositivo controlado por un voltaje de entrada, no necesita de corriente de polarización. La carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor (de tipo N o P) que se halla entre el drenaje y la fuente. Aplicando una tensión eléctrica inversa al terminal de puerta, el canal se "estrecha" de modo que ofrece resistencia al paso de la corriente eléctrica. Un JFET conduce entre los terminales D y S cuando la tensión entre los terminales G y S (VGS) es igual a cero (región de saturación), pero cuando esta tensión aumenta en módulo y con la polaridad adecuada, la resistencia entre los terminales D y S crece, entrando así en la región óhmica, hasta determinado límite cuando deja de conducir y entra en corte. La gráfica de la tensión entre los terminales D y S (VDS) en el eje horizontal contra la corriente del terminal D (ID o corriente de drenaje) es una curva característica y propia de cada JFET. Un JFET tiene una gran impedancia de entrada (que se halla frecuentemente en el orden de1010 ohmios), lo cual significa que tiene un efecto despreciable respecto a los componentes o circuitos externos conectados a su terminal de puerta.
  3. 3. Transistores MOSFET Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento. La figura 1.14 indica los diferentes símbolos utilizados para describir los transistores MOS. En la figura 1.15 se describe la estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino de conducción entre los terminales drenador y fuente. La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS < VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos de esta tensión son 0.5 V a 3 V.
  4. 4. o Simbología utilizada (del JFET y MOSFET) o
  5. 5. Polarización de los FET Los circuitos básicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensión VGS debe ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de polarización característicos para este tipo de dispositivos. En este apartado únicamente se presentan dos de los circuitos más utilizados: polarización simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de tensión externa para generar una VGS<0, y auto polarización (figura 1.18), la caída de tensión en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.
  6. 6. Polarización Mosfet Ya que los mosfet de tipo empobrecimiento pueden operar en el modo de empobrecer, pueden usarcé todos los métodos de polarización estudiados para los JFET. Estos incluyen polarización de graduador, auto polarización, polariza por divisor de voltaje y polarización por corriente de surtidor. Además de estos métodos de polarización los MOSFE>T de tipo empobrecimiento admiten otra opinión. Ya un MOSFET del tipo de empobrecimiento puede operar, ya se a en el modo de empobrecimiento o en el de enriquecimiento, pueden fijarse el punto q en VGS= 0, como se muestra en una delas figuras. Por lo tanto, una señal de Ca de entrada aplicada al graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. el hecho de que VGS pueda ser cero es una ventaja cuando se trata de polarizar. Ello permite usar el circuito de polarización. A este circuito tan simple no se le aplica voltaje ni al graduador , ni al surtidor,, por lo tanto VGS= 0 e ID = IDSS. El voltaje de cc en el drenado es Ya que los mosfet de tipo empobrecimiento pueden operar en el modo de empobrecer, pueden usarcé todos los métodos de polarización estudiados para los JFET. Estos incluyen polarización de graduador, auto polarización, polariza por divisor de voltaje y polarización por corriente de surtidor. Además de estos métodos de polarización los MOSFE>T de tipo empobrecimiento admiten otra opinión. Ya un MOSFET del tipo de empobrecimiento puede operar, ya se a en el modo de empobrecimiento o en el de enriquecimiento, pueden fijarse el punto q en VGS= 0, como se muestra en una delas figuras. Por lo tanto, una señal de Ca de entrada aplicada al graduador produce variaciones arriba y abajo del punto Q. el hecho de que VGS pueda ser cero es una ventaja cuando se trata de polarizar. Ello permite usar el circuito de polarización. A este circuito tan simple no se le aplica voltaje ni al graduador , ni al surtidor,, por lo tanto VGS= 0 e ID = IDSS. El voltaje de cc en el drenado es.
  7. 7. Ejercicio de circuito con JFET

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