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La polarizzazione del transistor

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l'analisi in continua del transistore con polarizzazione di base e di emettitore.

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Transcript

  • 1. Lezione sul transistor Prof. Silvano Natalizi, novembre 2009
  • 2.  
  • 3.  
  • 4.  dc I B V CE Diodo ideale
  • 5.  dc I B V CE V BE = 0.7 V
  • 6. Ic = β x Ib
  • 7.  
  • 8.  
  • 9.  
  • 10.  
  • 11.  
  • 12.  
  • 13.  
  • 14.  
  • 15.  
  • 16.
    • Occorrono due punti:
      • Il punto di coordinate (Vce=0, e Ic=Isat)
      • Il punto di coordinate (Ic=0, e Vcd=Vcutoff)
  • 17. V CC R C R B V BB 12 V 1 k  12 V Mental short I C = 12 V 1 k 
  • 18. 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2 4 6 8 10 12 14 V CE in Volts I C in mA = 12 mA This is the saturation current. 20  A 0  A 100  A 80  A 60  A 40  A I C = 12 V 1 k 
  • 19. V CC R C R B V BB 12 V 1 k  12 V Mental open
  • 20. 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2 4 6 8 10 12 14 V CE in Volts I C in mA V CE(cutoff) = V CC 20  A 0  A 100  A 80  A 60  A 40  A
  • 21. 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2 4 6 8 10 12 14 V CE in Volts I C in mA A circuit can operate at any point on the load line. 20  A 0  A 100  A 80  A 60  A 40  A
  • 22. V CC R C R B = 283 k  V BB 12 V 1 k  12 V The operating point is determined by the base current. I B = 12 V - 0.7 V 283 k  = 40  A I B = V BB - V BE R B
  • 23. 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2 4 6 8 10 12 14 V CE in Volts I C in mA The operating point is called the quiescent point. Q This Q point is in the linear region. 20  A 0  A 100  A 80  A 60  A 40  A
  • 24. 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2 4 6 8 10 12 14 V CE in Volts I C in mA Saturation and cutoff sono punti di lavoro non lineari. Questi punti Q sono usati in switching applications. 20  A 0  A 100  A 80  A 60  A 40  A
  • 25.
    • La corrente di base è determinata da V BB e R B .
    • La corrente di collettore è  volte più nei circuiti lineari
    • Il guadagno di corrente ha un effetto importante nel punto di lavoro.
    • Non è prevedibile il valore del guadagno di corrente.
  • 26. V CC R C R E V BB 5 V 1 k  15 V 1 k  2.2 k  I E = V BB - V BE R E = 1.95 mA V C = 15 V - (1.95 mA)(1 k  ) = 13.1 V Emitter bias: V CE = 13.1 V - 4.3 V = 8.8 V I C  I E
  • 27.
    • Base bias dipende dalle variazioni del guadagno di corrente.
    • Base bias dipende inoltre dagli effetti della temperatura.
    • Emitter bias quasi elimina questi effetti.
    • Il guadagno di corrente del transistor non entra nel calcolo con emitter bias (la polarizzazione di emettitore).