Your SlideShare is downloading. ×
0
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Fet2
Upcoming SlideShare
Loading in...5
×

Thanks for flagging this SlideShare!

Oops! An error has occurred.

×
Saving this for later? Get the SlideShare app to save on your phone or tablet. Read anywhere, anytime – even offline.
Text the download link to your phone
Standard text messaging rates apply

Fet2

931

Published on

Published in: Technology, Business
0 Comments
1 Like
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

No Downloads
Views
Total Views
931
On Slideshare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
0
Actions
Shares
0
Downloads
60
Comments
0
Likes
1
Embeds 0
No embeds

Report content
Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
No notes for slide

Transcript

  • 1. TRANSISTOR<br />26/4/2011<br />
  • 2. Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction) yang membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut transistor bipolar,  karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup.  <br />
  • 3. Fungsi Transistor<br />Kegunaan transistor bisasebagaipenguat, sebagaisirkuitpemutusdanpenyambung (switching), stabilisasitegangan, modulasisinyalatausebagaifungsilainnya. Transistor dapatberfungsisemacamkranlistrik, dimanaberdasarkanarusinputnya (BJT)<br />
  • 4. BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)<br /> BI = 2 POLAR = Kutup<br /> JUNCTION = Simpang<br />FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR)<br /> FIELD = Medan<br /> EFFECT = Dampak<br />MOSFET ( METAL OXIDA SEMICONDUCTOR FET)<br /> Metal = Logam<br />Oxida = Oksidasi<br />IGFET (Insulated Gate FET)<br /> Insulated = Mengisolasi/menyekati<br /> Gate = Pintu, gerbang<br />
  • 5. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base  selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor.<br />
  • 6. JUNCTION F.E.T( FIELD-EFFECT TRANSISTOR )<br />Mengapakitamasihperlu transistor jenis lain?<br />BJT selalumemerlukanarus basis IB, walaupunarusinikecil, tetapitidakbisadiabaikan, terutamasekalisaat BJT digunakansebagaisaklar,pastidibutuhkanarus yang cukupbesaruntkmembuat transistor jenuh. <br />
  • 7. makaadajenis transistor lain yang bisadigerakkandengantegangantanpamembutuhkanarus, yaituFET.<br />Denganperantaraan FET, kitadapatmenghubungkanperalatankomputeratautransduser yang tidakbisamenghasilkanarus, denganalat yang lebihbesar. <br />Lapisaniniterbentukantarasemikonduktortipe n dantipe p, karenabergabungnyaelektrondan hole disekitardaerahperbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source. <br />
  • 8. 8<br />FET vs BJT<br />FET<br />Gate (G) = Gerbang<br />Drain(D) = Penguras<br />Source(S) = Sumber<br />BJT<br />Base (B) = Dasar<br />Collector (C) = Pengumpul<br />Emitter (E) = Emitor<br />
  • 9. 9<br />Junction FET<br />
  • 10. 10<br />JFET saluran N<br />
  • 11. 11<br />
  • 12.
  • 13. 13<br />n-Channel FET for vGS= 0.<br />
  • 14. <ul><li>Penampangkanalpenghantarjauhlebihsempitdekatujung drain daripadapenampangdekatujung drain lebihbesardaripadacatubalikdekatujungsumber. Sehinggajelasbahwawalaupungerbangdihubungkansingkatkesumber (yakni VGS = 0), sehinggategangancatubalikmucullewathubungan p-n yang harganyalebihbesardekatujung drain. Jadikarakteristkgambaranstatisdariarus drain menuruttegangan drain kesumber (VDS) dengantegangangerbangkesumber VGS sbg parameter dinamakankarakteristiksumber drain dari FET hubugan.</li></li></ul><li><ul><li>JFET menggunakansambungan PN untukmemberikanimpedansimasukan yang tinggi.
  • 15. MOSFET menggunakangerbangterisolasiuntukmemberikanimpedansimasukan yang tinggi.
  • 16. MOS memilikiimpedansimasukan yang lebihtinggi.JFET penggerakaruslebihtinggi (transkonduktansi), impedansikeluaran yang lebihrendahdandapatdigunakanuntuktujuan drive tinggi</li></li></ul><li><ul><li>JFET menggunakansambungan PN untukmemberikanimpedansimasukan yang tinggi.
  • 17. MOSFET menggunakangerbangterisolasiuntukmemberikanimpedansimasukan yang tinggi.
  • 18. JFET penggerakaruslebihtinggi (transkonduktansi), impedansikeluaran yang lebihrendahdandapatdigunakanuntuktujuan drive tinggi</li></li></ul><li><ul><li>JFET menggunakansambungan PN untukmengontrolarus, Mosmenggunakanterisolasigerbanguntukmengontrolarus.Dalamduniasekarangic, mosteknologidominan.</li></li></ul><li><ul><li>TIPE-P BERFUNGSI SEBAGAI GATE
  • 19. TERJADI DEPLESI/PENIPISAN PADA CHANNEL KARENA GERAKAN ELEKTRON PADA GATE
  • 20. KONDUKSI ARUS TIDAK ADA SAMPAI SANGAT KECIL</li></li></ul><li><ul><li>TIPE-P BERFUNGSI SEBAGAI GATE
  • 21. REVERSE BIAS PADA GATE DIPERBESAR SEHINGGA MEMPERBESAR AREA DEPLESI
  • 22. MEMPERKECIL JALUR PADA CHANNEL
  • 23. MEMPERBESAR TAHANAN CHANNEL DARI SOURCE MENUJU DRAIN</li></li></ul><li><ul><li>TIPE-P BERFUNGSI SEBAGAI GATE
  • 24. REVERSE BIAS PADA GATE DIPERBESAR SEHINGGA MEMPERBESAR AREA DEPLESI
  • 25. TERJADI PINCH-OFF(PINCH-OFF VOLTAGE),KARENA KECILNYA VOLTASE YANG DAPAT LEWAT DARI SOURCE MENUJU DRAIN</li></li></ul><li> LEBIH SINGKAT BAHWA RESISTANSI PADA CHANNEL DAPAT DIKONTROL DENGAN DERAJAT/BESAR REVERSE BIAS YANG BERIKAN PADA GATE<br />
  • 26. <ul><li>GERAKAN ELEKTRON FET TIPE-N
  • 27. ARUS ELEKTRON MENGALIR DARI KUTUB NEGATIF SUMBER TEGANGAN, KE SOURCE,MENUJU DRAIN</li></li></ul><li>Transistor MOSFET<br />Transistor efek-medansemikonduktorlogam-oksida (MOSFET) adalahsalahsatujenis transistor efekmedan. Prinsipdasarperangkatinipertama kali diusulkanoleh Julius Edgar Lilienfeld padatahun 1925. MOSFET mencakupkanaldaribahan semikonduktortipe-N dantipe-P. Disebutjuga NMOSFET atau PMOSFET (jugabiasanMOS, pMOS). Iniadalah transistor yang paling umumpada sirkuit digital maupun analog.<br />
  • 28. Berbagaisimboldigunakanuntuk MOSFET.<br />Sambunganbadanjikaditampilkandigambartersambungkebagiantengankanaldenganpanah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panahselalumenunjukdari P ke N, sehingga NMOS (kanal-N dalamsumur-P atausubstrat-P) memilikipanah yang menunjukkedalam (daribadankekanal). <br />
  • 29. Jikabadanterhubungkesumber (seperti yang umumnyadilakukan) kadangsaluranbadandibelokkanuntukbertemudengansumberdanmeninggalkan transistor. Jikabadantidakditampilkan (seperti yang seringterjadipadadesain IC desainkarenaumumnyabadanbersama) sebuahpanahpadasumberdapatdigunakandengancara yang samaseperti transistor dwikutub (keluaruntuk NMOS, masukuntuk PMOS).<br />
  • 30.
  • 31. Miripseperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET)memiliki drain, source dan gate. Namunperbedaannya gate terisolasiolehsuatubahanoksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.<br />
  • 32. 28<br />n-Channel depletion MOSFET.<br />
  • 33. 29<br />enhancement-mode n-channel MOSFET<br />
  • 34. vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased iD=0.<br />30<br />
  • 35. 31<br />Terbentuk saluran N<br />vGS < Vtopn junction antara drain dan body  reverse biased iD=0.<br />
  • 36. 32<br />vGS >Vto terbentuksalurann. vGSbertambah saluranmembesar. <br />vDSkecil,I DsebandingdenganvDS.resistor tergantungnilaivGS.<br />
  • 37. 33<br />vDSbertambah, saluranmengecildi drain dan<br />LajupertambahaniD : melambat<br />SaatvDS> vGS-Vto,  iDtetap<br />
  • 38. 34<br />PMOS circuit symbol<br />D<br />D<br />G<br />G<br />S<br />S<br />CIRCUIT SYMBOLS<br />NMOS circuit symbol<br />
  • 39. 35<br />ID<br />ID<br />VGS=3V<br />VGS= 3V<br />1 mA<br />1 mA<br />(for IDS = 1mA)<br />(for IDS = -1mA)<br />VGS=0<br />VGS=0<br />VDS<br />VDS<br />4<br />2<br />3<br />1<br />4<br />2<br />3<br />1<br />NMOS and PMOS Compared<br /> NMOS<br />“Body” – p-type<br />Source – n-type<br />Drain – n-type <br />VGS – positive <br />VT – positive <br />VDS – positive <br />ID – positive (into drain)<br /> PMOS<br />“Body” – n-type<br />Source – p-type<br />Drain – p-type <br />VGS – negative <br />VT – negative <br />VDS – negative <br />ID – negative (into drain)<br />G<br />G<br />S<br />S<br />D<br />D<br />ID<br />ID<br />n<br />p<br />n<br />p<br />n<br />B<br />B<br />
  • 40. JFET vs MOSFET<br />Fets MOS biasanyamemilikigerbangbawahkebocoran arus.MOS fetslebihmudahtersediasebagaidayatinggi / perangkatarustinggi.Fets MOS umumnyamemilikitranskonduktansimajulebihtinggi (10s dari Siemens vspecahandari Siemens).Andaharusberhati-hatiuntuktidak bias majugerbang-sumberdiodadalam JFET.<br />
  • 41. Proteus (Software simulasi & desain PCB)<br />
  • 42. Proteus adalahsebuah software untukmendesain PCB yang jugadilengkapidengansimulasipspicepada level skematiksebelumrangkaianskematikdiupgradeke PCB shinggasebelumPCBnyadicetak  kita  akantahuapakah PCB yang akankitacetaksudahbenaratautidak.<br />
  • 43. Fitur-fiturdari PROTEUS adalahsebagaiberikut .<br />1. memilikikemampuanuntukmensimulasikanhasilrancanganbaik digital maupun analog maupungabungankeduanya,mendukungsimulasi yang menarikdansimulasisecaragrafis.2. mendukungsimulasiberbagaijenis microcontroller sepertipic, 8051 series. 3. memiliki model-model peripheral yang interactive seperti led, tampilanlcd, rs232, danberbagaijenis library lainnya.4. mendukung instrument-instrument virtual seperti voltmeter, ammeter, oscciloscope, logic analyser, dll,<br />
  • 44. 5. Memilikikemampuanmenampilkanberbagijenisanalisissecaragrafisseperti transient, frekuensi, noise, distorsi, AC dan DC, dll.<br />6. Mendukungberbagaijeniskomponen-komponen analog.<br />7. Mendukung open architecture sehinggakitabisamemasukkan program seperti C++ untukkeperluansimulasi.<br />8. Mendukungpembuatan PCB yang di-update secaralangsungdari program ISIS ke program pembuat PCB-ARES.<br />
  • 45. Pengenalan ISIS<br />ISIS dipergunakanuntukkeperluanpendidikandanperancangan. Beberapafiturumumdari ISIS adalahsebagaiberikut.<br />
  • 46. 1. Windows dapatdioperasikanpada Windows 98/Me/2k/XP dan Windows terbaru.2. Routingsecaraotomatisdanmemilikifasilitaspenempatandanpenghapusandot.3. Sangat powerful untukpemilihankomponendanpemberianproperties-nya.4. Mendukunguntukperancanganberbagaijenis bus dankomponen-komponen pin, port moduldanjalur.5. Memilikifasilitas report terhadapkesalahan-kesalahanperancangandansimulasielektrik.6. Mendukungfasilitasinterkoneksidengan program pembuat PCB-ARES.7. Memilikifasilitasuntukmenambahkan package darikomponen yang belumdidukung.<br />
  • 47. Pengenalan ARES<br />ARES (Advanced Routing and Editing Software) digunakanuntukmembuatmodul layout PCB. Adapunfitur-fiturdari ARES adalahsebagaiberikut<br />
  • 48. 1. Memiliki database dengantingkatkeakuratan 32-bit danmemberikanresolusisampai 10 nm, resolusi angular 0,1 derajatdanukuranmaksimim board sampaikuranglebih 10 m. ARES mendukungsampai 16 layer.<br />2. Terintegrasidengan program pembuatskematik ISIS, dengankemampuanuntukmenentukaninformasi routing padaskematik.<br />3. Visualisasi board 3-Dimensi.<br />4. Penggambaran 2-Dimensi dengansimbol library.<br />
  • 49. Title<br /><ul><li> Text
  • 50. Subtext</li>

×