Dispositivos electronicos de potencia
Upcoming SlideShare
Loading in...5
×
 

Dispositivos electronicos de potencia

on

  • 6,602 views

Caracteristicas y funciones de lo s dispositivo

Caracteristicas y funciones de lo s dispositivo

Statistics

Views

Total Views
6,602
Slideshare-icon Views on SlideShare
6,601
Embed Views
1

Actions

Likes
2
Downloads
165
Comments
0

1 Embed 1

http://www.slideshare.net 1

Accessibility

Categories

Upload Details

Uploaded via as Microsoft PowerPoint

Usage Rights

© All Rights Reserved

Report content

Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
  • Full Name Full Name Comment goes here.
    Are you sure you want to
    Your message goes here
    Processing…
Post Comment
Edit your comment

    Dispositivos electronicos de potencia Dispositivos electronicos de potencia Presentation Transcript

    • DISPOSITIVOS ELECTRONICAS DE POTENCIA
      Nombre: Jorge Astudillo
      Freddy Cabrera
    • Diodo de Potencia
      Es un semiconductor de estructura P- N, que funciona como interruptor unidireccional donde la corriente circulara solo en el sentido de la conducción.
    • Caracteristicas
      Formado por una sola unión PN
      Posee una región N adicional la cual es de menor dopaje la cual permite soportar tensiones mas elevadas.
      Soportan tensiones de ruptura en el orden de los Kilo voltios.
      Pueden conducir corrientes en el orden de los Kilo Amperios.
      Su tamaño esta al rededor de unos cuantos mucho mas grande que el diodo de señal.
      La caída de tensión en el diodo esta alrededor de 1 – 3v
      Recuperacion Inversa : tiempo requerido para pasar del estado de conducción al estado de bloqueo. Este tiempo esta en el orden de los 10s para diodos normales.
       
      Recuperacion Directa: tiempo requerido para pasar del estado de bloque al de conducción, es de menor importancia que el anterior
    • TIPOS DE DIODOS
      Diodos Schottky, Diodos de recuperación rápida ,Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.
    • TIRISTORES
      Elemento semiconductor que contiene una puerta, dichos elementos trabajan en zona de conmutación.
       
      Características:
      Tiene un Gate para el control de l a conmutación.
      Trabaja en zona de conmutación
      Tiene cuatro capas semiconductoras PNPN
      Necesita una señal de control externa.
       
    • SCR
      Características:
      Gran capacidad para controlar potencia
      Formado por cuatro capas emiconductoras y tres terminales anodocatodo y gate
      Para que deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del valor minimo de mantenimiento.
      Para conducción no basta aplicar tensión inversa.
      En off puede bloquear tensión directa y no conduce corriente
    • Tiene tres regiones de funcionamiento zona de bloqueo inverso, zona de bloqueo directo, y zona de conducción.
      Tipos de disparo:
      Disparo por tensión
      Disparo por impulso de puerta
      Disparo por derivación de tensión
      Disparo por temperatura
      Disparo por luz
    • TRIAC
      Es un director bidireccional, permite el paso de corriente en 2 sentidos.
       
      Características
      Corriente en 2 sentidos.
      Se dispara desde el sentido de corte al de conducción en corriente positiva o negativa
      Compacto, requiere un único circuito de control
    • GTO
      es un tiristor con capacidad externa de bloqueo
      Características
      Se puede bloquear externamente
      Entra en conducción o se bloquea atravez de señales al Gate
      Conduce si supera una corriente determinada
      Soporta tensión inversa de la unión puerta catodo
      Absorción de portadores de toda superifcie conductora
      No puede bloquear tensión inversa
    • TRANSISTORES
      Elemento semiconductor de potencia que funciona como interruptor
       
      Características
      Son totalmente controlados
      Trabajan en zona de conmutación
    • TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA TBP
      Transistores que básicamente funcionan como interruptores de potencia controlados por corriente
       
      Características
      Contiene una capa intermedia del colector que define la tensión de bloqueo del componente
      No soporta tensión en sentido opuesto
      Menores perdidas en relación al PNP
      Baja caída de tensión en saturación
      Poca ganancia con v/ i grandes
      Posee configuración Darlington
    • MOSFET
      Transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metalico son transistores controlados por tensión
       
      Características
      Hay de dos tipos canal N y canal P
      Tres zonas de trabajo corte, óhmica y saturación
      Transistores mas rapidos que existen, alta frecuencia
    • IGBT
      Es un transistor hibrido que aprovecha las ventajas de los bipolares y los mosfet
       
      Características
      Facilidad de disparo del mosfet
      Pequeñas perdidas en conducción de los BJT en potencia
      Control por tensión sencillo
      Soperta tensión elevadas
      Velocidades bajas (frecuencia)
      Alta impedancia de entrada