Dispositivos electronicos de potencia
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Caracteristicas y funciones de lo s dispositivo

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Dispositivos electronicos de potencia Dispositivos electronicos de potencia Presentation Transcript

  • DISPOSITIVOS ELECTRONICAS DE POTENCIA
    Nombre: Jorge Astudillo
    Freddy Cabrera
  • Diodo de Potencia
    Es un semiconductor de estructura P- N, que funciona como interruptor unidireccional donde la corriente circulara solo en el sentido de la conducción.
  • Caracteristicas
    Formado por una sola unión PN
    Posee una región N adicional la cual es de menor dopaje la cual permite soportar tensiones mas elevadas.
    Soportan tensiones de ruptura en el orden de los Kilo voltios.
    Pueden conducir corrientes en el orden de los Kilo Amperios.
    Su tamaño esta al rededor de unos cuantos mucho mas grande que el diodo de señal.
    La caída de tensión en el diodo esta alrededor de 1 – 3v
    Recuperacion Inversa : tiempo requerido para pasar del estado de conducción al estado de bloqueo. Este tiempo esta en el orden de los 10s para diodos normales.
     
    Recuperacion Directa: tiempo requerido para pasar del estado de bloque al de conducción, es de menor importancia que el anterior
  • TIPOS DE DIODOS
    Diodos Schottky, Diodos de recuperación rápida ,Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.
  • TIRISTORES
    Elemento semiconductor que contiene una puerta, dichos elementos trabajan en zona de conmutación.
     
    Características:
    Tiene un Gate para el control de l a conmutación.
    Trabaja en zona de conmutación
    Tiene cuatro capas semiconductoras PNPN
    Necesita una señal de control externa.
     
  • SCR
    Características:
    Gran capacidad para controlar potencia
    Formado por cuatro capas emiconductoras y tres terminales anodocatodo y gate
    Para que deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del valor minimo de mantenimiento.
    Para conducción no basta aplicar tensión inversa.
    En off puede bloquear tensión directa y no conduce corriente
  • Tiene tres regiones de funcionamiento zona de bloqueo inverso, zona de bloqueo directo, y zona de conducción.
    Tipos de disparo:
    Disparo por tensión
    Disparo por impulso de puerta
    Disparo por derivación de tensión
    Disparo por temperatura
    Disparo por luz
  • TRIAC
    Es un director bidireccional, permite el paso de corriente en 2 sentidos.
     
    Características
    Corriente en 2 sentidos.
    Se dispara desde el sentido de corte al de conducción en corriente positiva o negativa
    Compacto, requiere un único circuito de control
  • GTO
    es un tiristor con capacidad externa de bloqueo
    Características
    Se puede bloquear externamente
    Entra en conducción o se bloquea atravez de señales al Gate
    Conduce si supera una corriente determinada
    Soporta tensión inversa de la unión puerta catodo
    Absorción de portadores de toda superifcie conductora
    No puede bloquear tensión inversa
  • TRANSISTORES
    Elemento semiconductor de potencia que funciona como interruptor
     
    Características
    Son totalmente controlados
    Trabajan en zona de conmutación
  • TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA TBP
    Transistores que básicamente funcionan como interruptores de potencia controlados por corriente
     
    Características
    Contiene una capa intermedia del colector que define la tensión de bloqueo del componente
    No soporta tensión en sentido opuesto
    Menores perdidas en relación al PNP
    Baja caída de tensión en saturación
    Poca ganancia con v/ i grandes
    Posee configuración Darlington
  • MOSFET
    Transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metalico son transistores controlados por tensión
     
    Características
    Hay de dos tipos canal N y canal P
    Tres zonas de trabajo corte, óhmica y saturación
    Transistores mas rapidos que existen, alta frecuencia
  • IGBT
    Es un transistor hibrido que aprovecha las ventajas de los bipolares y los mosfet
     
    Características
    Facilidad de disparo del mosfet
    Pequeñas perdidas en conducción de los BJT en potencia
    Control por tensión sencillo
    Soperta tensión elevadas
    Velocidades bajas (frecuencia)
    Alta impedancia de entrada