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DISPOSITIVOS ELECTRONICAS DE POTENCIA<br />Nombre: Jorge Astudillo<br />	   Freddy Cabrera<br />
Diodo de Potencia<br />Es un semiconductor de estructura P- N, que funciona como interruptor unidireccional donde la corri...
Caracteristicas<br />Formado por una sola unión PN<br />Posee una región N adicional la cual es de menor dopaje la cual pe...
TIPOS DE DIODOS<br />Diodos Schottky, Diodos de recuperación rápida  ,Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.<br />
TIRISTORES<br />Elemento semiconductor que contiene una puerta, dichos elementos trabajan en zona de conmutación.<br /> <b...
SCR<br />Características: <br />Gran capacidad para controlar potencia<br />Formado por cuatro capas emiconductoras  y tre...
Tiene tres regiones de funcionamiento zona de bloqueo inverso, zona de bloqueo directo, y zona de conducción.<br />Tipos d...
TRIAC<br />Es un director bidireccional, permite el paso de corriente en 2 sentidos.<br /> <br />Características<br />Corr...
GTO<br />es un tiristor con capacidad externa de bloqueo<br />Características<br />Se puede bloquear externamente<br />Ent...
TRANSISTORES<br />Elemento semiconductor de potencia que funciona como interruptor<br /> <br />Características <br />Son t...
TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA   TBP<br />Transistores que básicamente funcionan como interruptores de potencia controlado...
MOSFET<br />Transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metalico son transistores controlados por tensión<br /> <...
IGBT<br />Es un transistor hibrido que aprovecha las ventajas de los bipolares y los mosfet<br /> <br />Características<br...
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Dispositivos electronicos de potencia

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  1. 1. DISPOSITIVOS ELECTRONICAS DE POTENCIA<br />Nombre: Jorge Astudillo<br /> Freddy Cabrera<br />
  2. 2. Diodo de Potencia<br />Es un semiconductor de estructura P- N, que funciona como interruptor unidireccional donde la corriente circulara solo en el sentido de la conducción.<br />
  3. 3. Caracteristicas<br />Formado por una sola unión PN<br />Posee una región N adicional la cual es de menor dopaje la cual permite soportar tensiones mas elevadas.<br />Soportan tensiones de ruptura en el orden de los Kilo voltios.<br />Pueden conducir corrientes en el orden de los Kilo Amperios.<br />Su tamaño esta al rededor de unos cuantos mucho mas grande que el diodo de señal.<br />La caída de tensión en el diodo esta alrededor de 1 – 3v<br />Recuperacion Inversa : tiempo requerido para pasar del estado de conducción al estado de bloqueo. Este tiempo esta en el orden de los 10s para diodos normales.<br /> <br />Recuperacion Directa: tiempo requerido para pasar del estado de bloque al de conducción, es de menor importancia que el anterior<br />
  4. 4. TIPOS DE DIODOS<br />Diodos Schottky, Diodos de recuperación rápida ,Diodos rectificadores o de frecuencia de línea.<br />
  5. 5. TIRISTORES<br />Elemento semiconductor que contiene una puerta, dichos elementos trabajan en zona de conmutación.<br /> <br />Características:<br />Tiene un Gate para el control de l a conmutación.<br />Trabaja en zona de conmutación<br />Tiene cuatro capas semiconductoras PNPN<br />Necesita una señal de control externa.<br /> <br />
  6. 6. SCR<br />Características: <br />Gran capacidad para controlar potencia<br />Formado por cuatro capas emiconductoras y tres terminales anodocatodo y gate<br />Para que deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del valor minimo de mantenimiento.<br />Para conducción no basta aplicar tensión inversa.<br />En off puede bloquear tensión directa y no conduce corriente <br />
  7. 7. Tiene tres regiones de funcionamiento zona de bloqueo inverso, zona de bloqueo directo, y zona de conducción.<br />Tipos de disparo:<br /> Disparo por tensión<br /> Disparo por impulso de puerta<br /> Disparo por derivación de tensión<br /> Disparo por temperatura<br /> Disparo por luz<br />
  8. 8. TRIAC<br />Es un director bidireccional, permite el paso de corriente en 2 sentidos.<br /> <br />Características<br />Corriente en 2 sentidos.<br />Se dispara desde el sentido de corte al de conducción en corriente positiva o negativa<br />Compacto, requiere un único circuito de control<br />
  9. 9. GTO<br />es un tiristor con capacidad externa de bloqueo<br />Características<br />Se puede bloquear externamente<br />Entra en conducción o se bloquea atravez de señales al Gate<br />Conduce si supera una corriente determinada<br />Soporta tensión inversa de la unión puerta catodo<br />Absorción de portadores de toda superifcie conductora<br />No puede bloquear tensión inversa<br />
  10. 10. TRANSISTORES<br />Elemento semiconductor de potencia que funciona como interruptor<br /> <br />Características <br />Son totalmente controlados <br />Trabajan en zona de conmutación<br />
  11. 11. TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA TBP<br />Transistores que básicamente funcionan como interruptores de potencia controlados por corriente<br /> <br />Características<br />Contiene una capa intermedia del colector que define la tensión de bloqueo del componente<br />No soporta tensión en sentido opuesto<br />Menores perdidas en relación al PNP<br />Baja caída de tensión en saturación<br />Poca ganancia con v/ i grandes<br />Posee configuración Darlington<br />
  12. 12. MOSFET<br />Transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metalico son transistores controlados por tensión<br /> <br />Características<br />Hay de dos tipos canal N y canal P<br />Tres zonas de trabajo corte, óhmica y saturación<br />Transistores mas rapidos que existen, alta frecuencia<br />
  13. 13. IGBT<br />Es un transistor hibrido que aprovecha las ventajas de los bipolares y los mosfet<br /> <br />Características<br />Facilidad de disparo del mosfet<br />Pequeñas perdidas en conducción de los BJT en potencia<br />Control por tensión sencillo<br />Soperta tensión elevadas<br />Velocidades bajas (frecuencia)<br />Alta impedancia de entrada<br />
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