Electronica - Modulo 4 - Semicondutores
Upcoming SlideShare
Loading in...5
×
 

Electronica - Modulo 4 - Semicondutores

on

  • 2,314 views

 

Statistics

Views

Total Views
2,314
Views on SlideShare
2,314
Embed Views
0

Actions

Likes
0
Downloads
110
Comments
0

0 Embeds 0

No embeds

Accessibility

Categories

Upload Details

Uploaded via as Adobe PDF

Usage Rights

© All Rights Reserved

Report content

Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
  • Full Name Full Name Comment goes here.
    Are you sure you want to
    Your message goes here
    Processing…
Post Comment
Edit your comment

Electronica - Modulo 4 - Semicondutores Presentation Transcript

  • 1. Materiais semicondutores Estrutura atómica Neutrões não têm carga Protões têm carga positiva Electrões têm carga negativa Neutrões Protões Electrões Níveis de energia-1- António Pedro Andrade
  • 2. Materiais semicondutores Um electrão ocupa de preferência o estado de energia mínimo (órbita mais próximo do núcleo). Se fornecermos energia ele irá ocupar estados energéticos mais elevados. Por outro lado, um determinado nível de energia só pode estar ocupado por um determinado número de electrões. Neste caso, irá ocupar níveis de energia imediatamente superiores. Esta teoria não é válida para estruturas cristalinas (uma estrutura cristalina é uma forma ordenada de arranjo de átomos) onde os electrões da última camada são influenciados pelos átomos a que pertencem e pelos átomos vizinhos. Deste modo, faz mais sentido afirmar que um electrão da última camada não pertence a um determinado átomo mas sim à estrutura cristalina. A esta banda de energia chama-se banda de valência.-2- António Pedro Andrade
  • 3. Materiais semicondutores Á zona de energias permitidas para o electrão acima da banda de valência dá-se o nome de banda de condução. Á zona de energias não permitidas chama-se banda proibida. Banda de condução Electrões livres Banda proibida B lacunas A Isolador Semi C condutor condutor Banda de valência-3- António Pedro Andrade
  • 4. Materiais semicondutores Em função da largura de banda proibida de energia, podemos caracterizar vários tipos de materiais: a) Isolador (A): a banda proibida é muito larga o que implica fornecer muita energia para que o electrão transite da banda de valência para a de condução. Assim, neste tipo de materiais não encontramos mutios electrões livres nesta banda não sendo por conseguinte possível a passagem da corrente eléctrica. São os materiais denominados isoladores. b) Semicondutor (B): Sendo a banda proibida muito pequena, á temperatura ambiente, é muito fácil os electrões transitaram da banda de valência para a de condução (à temperatura de zero absoluto comporta-se como um isolador). Neste caso, tornam-se condutores em virtude de termos muitos electrões livres na banda de condução. Por outro lado, ao abandonarem a banda de valência deixam “lugares” por ocupar aos quais iremos chamar lacunas. c) Condutores (C): Neste caso a banda de valência confunde-se com a de condução. Deste modo, iremos ter uma grande disponibilidade de portadores de carga o que explica as boas propriedades condutoras de muitos metais.-4- António Pedro Andrade
  • 5. Materiais semicondutores Os materiais mais utilizados nos semicondutores são o Germânio e o Silício. O silício (latim: silex, pedra dura, inglês: silicon) é um elemento químico de símbolo Si de número atómico 14 (14 protões e 14 electrões). Á temperatura ambiente, o silício encontra-se no estado sólido. Foi descoberto por Jöns Jacob Berzelius, em 1823 e é o segundo elemento mais abundante da face da terra. Aparece na argila, feldspato, granito, quartzo e areia. O germânio é um elemento químico de símbolo Ge, número atómico 32 (32 protrões e 32 electrões). Á temperatura ambiente, o germânio encontra-se no estado sólido. É um semi-metal sólido, duro, cristalino, de coloração branco acinzentada, lustroso, quebradiço. Os únicos minerais rentáveis para a extração do germânio são a germanita (69% de Ge) e ranierita (7-8% de Ge); além disso está presente no carvão, na argirodita e outros minerais. Ambos possuem 4 electrões na última camada com energias correspondentes à banda de valência, ou seja, pertencem à estrutura cristalina como um todo. Desta forma, a ligação entre os átomos são feitas por estes electrões que não pertencem exclusivamente a cada átomo mas são compartilhados entre eles.-5- António Pedro Andrade
  • 6. Materiais semicondutores Do que foi anteriormente, a uma ligação química deste tipo chama-se covalente Electrões Ligação valência covalente lacuna Quando um electrão quebra a ligação covalente e transita para a banda de condução torna-se um electrão livre. A energia necessária para que isto aconteça é de 0,72 eV para o Ge e 1,1 eV para o Silício. (eV equivale a 1,6 x 10–19 joules. Um electrão-volt Electrão é a quantidade de energia cinética ganha por um único livre electrão quando acelerado por uma diferença de potencial eléctrico de um volt, no vácuo).-6- António Pedro Andrade
  • 7. Materiais semicondutores No slide anterior, vimos que um electrão pode deixar um espaço vago (lacuna) na ligação covalente, o que significa que este espaço pode vir a ser ocupado por outro electrão deixando, assim, outra lacuna por ocupar. Deste modo, podemos pensar num movimento de electrões mas, também, de uma condução eléctrica por parte das lacunas. Dito de outra forma, nos semicondutores assistimos a dois tipos de condutividade: movimento dos electrões e movimento das lacunas. Podemos pois, concluir, que num semicondutor puro ou intrínseco, a concentração dos electrões é igual à das lacunas. Impurezas dadoras e aceitadoras Na prática costuma-se misturar impurezas aos semicondutores para que se possa obter dois tipos de semicondutores. As impurezas podem ser o Arsénio, Antimónio ou o Fósforo ou 5 electrões valência ou o Boro, Gálio e o Índio com três electrões valência. Vejamos o que acontece quando se misturam estes elementos com o Germânio ou Sílicio.-7- António Pedro Andrade
  • 8. Materiais semicondutores Electrão livre 5 Impureza do tipo n Ao juntarmos impurezas como o Fósforo que possui 5 electrões valência, 4 ficam a fazer parte da ligação covalente enquanto que o quinto fica livre. Assim, vamos ter vários electrões que transitam facilmente para a banda de condução uma vez que estão pouco ligados à estrutura cristalina. Deste modo, obtemos um material onde os electrões são portadores de carga maioritários enquanto que as lacunas são portadores minoritários. A um semicondutor deste tipo chamamos do tipo n.-8- António Pedro Andrade
  • 9. Materiais semicondutores Lacuna 3 Impureza do tipo p Ao juntarmos impurezas como o Gálio (3 electrões valência) vamos ter falta de electrões na estrutura cristalina. Deste modo, obtemos um material onde os electrões são portadores de carga minoritários enquanto que as lacunas são portadores maioritários. A um semicondutor deste tipo chamamos do tipo p.-9- António Pedro Andrade
  • 10. Materiais semicondutores Dependência com a temperatura A condutividade dos semicondutores aumenta com a temperatura devido à geração de maior número de portadores de carga. Inversamente diminui com a temperatura uma vez que a largura de banda proibida aumenta. Esta variação da condutividade pode ser aproveitada na construção de um dispositivo semicondutor chamado termistor. Este dispositivo (NTC) é utilizado em circuitos de medição e controle de temperatura.- 10 - António Pedro Andrade
  • 11. Materiais semicondutores Junção PN Se juntarmos um semicondutor do tipo p a outro do tipo n, nas proximidades da união irá verificar-se uma variação nas concentrações de portadores de carga. Os electrões passam do lado n para o p e as lacunas do lado p para o lado n. Esta deslocação dos portadores denominada corrente de difusão será tanto maior quanto maior forem as diferenças nas concentrações e durará até se restabelecer o equilíbrio. Campo eléctrico - + p n p - + n - + Junção pn zona de carga espacial- 11 - António Pedro Andrade
  • 12. Materiais semicondutores – Diodo junção Uma junção deste tipo toma o nome de diodo de junção ou simplesmente diodo. iD Curva característica A K mA do diodo 100 p n 80 Ge iD 60 Si 40 ânodo cátodo 20 vD 0,2 0,4 0,6 0,8 1 vD volts- 12 - António Pedro Andrade
  • 13. Materiais semicondutores - Polarização do diodo Quando polarizamos o diodo inversamente a tensão aplicada tende a “puxar” os portadores para longe da junção forçando o crescimento da região de carga espacial. Ao polarizarmos o diodo directamente, o valor da barreira de potencial diminui facilitando as correntes de difusão dos portadores maioritários. Dito de outro modo, as lacunas do lado p são injectadas no lado n e os electrões do lado n injectados no lado p. A corrente que circula no diodo é a soma das correntes de difusão. Não esquecer que a tensão VD tem que ser maior que um determinado valor a que chamamos tensão de limiar V. iD iD vD vD - + + - Diodo polarizado inversamente Diodo polarizado directamente- 13 - António Pedro Andrade
  • 14. Materiais semicondutores – Diodo junção Características do diodo Curva característica Tensão directa UF Polarização iF directa Corrente directa IF Corrente directa UR vR vF Tensão inversa Polarização inversa iR Corrente inversa Corrente inversa IR- 14 - António Pedro Andrade
  • 15. Materiais semicondutores Circuitos equivalentes do díodo Como vimos pelas curvas características dos diodos, eles não começam a conduzir imediatamente quando se aplica um d.d.p. aos seus terminais. Só quando a tensão VD é superior a 0,7V para o diodo de sílicio e 0,2V para os de germânio é que iremos ter iD. O diodo ideal seria aquele que conduziria mal se aplicasse uma d.d.p. aos seus terminais. O circuito desenhado em abaixo considera esta situação. 0,7V + -- 15 - António Pedro Andrade
  • 16. Materiais semicondutores A nomenclatura dos componentes, têm por objectivo identificar de forma fácil e unificada cada um dos dispositivos utilizados em eletrónica. Os principais códigos normalizados são: • PROELECTRON – Europeu Duas letras + sequência alfanumérica da série (aplicações comerciais) Três letras + sequência alfanumérica de série (aplicações profissionais) • JEDEC – Americano Um número + N + Sucessão alfanumérica de série • JIS – Japonês 2S + Sequência alfanumérica de série EX. 1N – Código americano (uma junção); 1S – Código Japonês; BA – Código europeu. If – corrente máxima directa Vr – tensão máxima inversa- 16 - António Pedro Andrade
  • 17. Materiais semicondutores – Aplicações dos diodos Circuitos limitadores Por vezes temos necessidade de limitar sinais ou tensões a um valor pré-determinado, podendo ser negativo, positivo ou ambos. Por exemplo: Estes tipos de circuitos podem ser efectuados com diodos os quais tomam o nome de limitadores. Mesmo que a tensão de entrada Vi aumente, a tensão de saída Voserá sempre igual ao valor da pilha mais o valor de condução do diodo: VO= E + V. Vejamos dois casos:- 17 - António Pedro Andrade
  • 18. Materiais semicondutores – Circuitos limitadores Consideremos o circuito abaixo onde temos 2 fontes de tensão, uma CC e outra CA. O diodo só conduz quando a tensão for E+ V. Se Vi for menor que E+ V o diodo não conduz, logo I =0 e Vo=Vi VO = VD + E R Diodo não conduz  V Vo Vi Vo + Vi - E Diodo conduz- 18 - António Pedro Andrade
  • 19. Materiais semicondutores - Circuitos limitadores Montagem laboratorial 1 Recorrendo ao software existente montar o seguinte circuito: - Uma fonte alimentação CA, 10V; - Uma fonte CC de 4V - Resistência de 1K; - 1 osciloscópio; - Diodo rectificador; - Ligação à terra.- 19 - António Pedro Andrade
  • 20. Materiais semicondutores - Circuitos limitadores Elaboração do relatório 1 Com base neste trabalho prático faz um relatório no processador de texto onde constem os seguintes elementos: - Título; - Objectivo; - Introdução teórica relativamente aos diodos quanto à polarização, tensão de condução, explicação sumária do funcionamento do circuito, etc.; - Esquema do circuito e respectivos valores (verificar na Internet as características dos diodo); - Conclusões. (varia o valor da fonte CA para um valor Vi < E+ V , verifica a forma de onda e explica o porquê da situação; o porquê da forma de onda de saída, em que situações é que o diodo conduz, qual o valor da onda de saída mesmo quando aumentamos Vi...)- 20 - António Pedro Andrade
  • 21. Materiais semicondutores - Circuitos limitadores O circuito abaixo só difere do anterior em virtude de ter dois diodos montados em paralelo e com polarizações diferentes. Cada diodo só conduz quando a tensão for E+ V. R Diodos não conduzem  - Vo + Vi Vi Vo E - E + Diodos conduzem- 21 - António Pedro Andrade
  • 22. Materiais semicondutores - Circuitos limitadores Montagem laboratorial 2 Recorrendo ao software existente montar o seguinte circuito: - Uma fonte alimentação CA, 10V; - Duas fontes CC de 6V e 2V; - Resistência de 1K; - 1 osciloscópio; - 2 Diodos rectificadores; - Ligação à terra.- 22 - António Pedro Andrade
  • 23. Materiais semicondutores - Circuitos limitadores Elaboração do relatório 2 Com base neste trabalho prático faz um relatório no processador de texto onde constem os seguintes elementos: - Título; - Objectivo; -Introdução teórica relativamente aos diodos quanto à polarização, explicação sumária do funcionamento do circuito, etc.; - Esquema do circuito e respectivos valores(verificar na Internet as características dos diodos); - Conclusões (varia o valor da fonte CA para um valor Vi < E+ V e verifica a forma de onda e explica o porquê da situação; porquê da forma de onda de saída, em que situações é que os diodos conduzem, qual o valor da onda de saída, qual a diferença para o circuito testado anteriormente)- 23 - António Pedro Andrade
  • 24. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores No circuito descrito, o diodo encontra-se em condução desde que E seja superior a V. Se calcularmos o valor de iD e de VD e se os conjugarmos com a curva característica do diodo, obteremos o que se chama a recta de carga estática e o respectivo ponto de funcionamento. se i D  0 teremos E  VD  RiD E  VD se VD  0 teremos iD  E / R VD iD Ponto de + funcionamento do diodo Vo E - E R V VD- 24 - António Pedro Andrade
  • 25. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Neste circuito, onde a pilha foi substítuida por uma fonte CA, a fórmula anterior continua válida e sabemos que o diodo só conduz quando Vi é maior que V. Facilmente se compreenderá que o diodo só irá conduzir nas alternâncias positivas. Vi  VD  Ri D VO  Vi  V VO  Vi  V iD  (Vi  V ) / R VD  Vo Vi VO Vi R- 25 - António Pedro Andrade
  • 26. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Montagem laboratorial 3 Recorrendo ao software existente montar o seguinte circuito: - Resistência de 1K; - 1 osciloscópio; - 1 Diodo rectificador; - Ligação à terra.- 26 - António Pedro Andrade
  • 27. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Elaboração do relatório 3 - Título; - Objectivo; a) Estudo da rectificação de meia onda utilizando um diodo; - Introdução teórica relativamente à rectificação de meia onda, explicação sumária do funcionamento do circuito, etc.; - Esquema do circuito e respectivos valores(verificar na Internet as características dos diodo); - Conclusões (qual o valor máximo da tensão inversa que o diodo deve suportar, o porquê da forma de onda de saída, qual o seu valor, etc)- 27 - António Pedro Andrade
  • 28. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores No circuito abaixo, temos um transformador com ponto intermédio C o que irá resultar em duas tensões no secundário AC e BC. Quando temos a alternância positiva em A, o diodo D1 irá conduzir ficando o D2 ao corte. A corrente passa por D1, pela resistência e fecha-se no ponto C. Quando temos a alternância positiva em B, a corrente flui por D2 passa pela resistência e fecha-se no ponto C. Como a corrente passa pela resistência sempre no mesmo sentido teremos V O sempre positiva. Por outro lado, como temos sempre condução (alternâncias positivas e negativas) resulta numa forma de onda com uma frequência dupla da de entrada. A tensão de saída será metade da desenvolvida no secundário em virtude de ser extraída do ponto intermédio do transformador em relação a um dos extremos. Um circuito deste tipo é designado por rectificador de onda completa. VO  Vi / 2  V VD A  C V’i D1 Vo Vi B D2 R VO Vi- 28 - António Pedro Andrade
  • 29. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Montagem laboratorial 4 Montar o seguinte circuito: - 1 transformador com ponto intermédio; - 1 fonte alimentação CA; - Resistência de 1K; - 1 osciloscópio; - 2 Diodos rectificadores; - Ligação à terra.- 29 - António Pedro Andrade
  • 30. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Elaboração do relatório 4 - Título; - Objectivo; a) Estudo da rectificação de onda completa utilizando um transformador com ponto intermédio; - Introdução teórica relativamente à rectificação de onda completa, frequência e tensão de saída, explicação sumária do funcionamento do circuito, etc.; - Esquema do circuito e respectivos valores; - Conclusões (O porquê da forma de onda ter sempre o mesmo sentido, diferenças entre este circuito e 3, aplicações deste tipo de circuito, etc)- 30 - António Pedro Andrade
  • 31. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Nos circuitos rectificadores anteriores verificamos que a onda de saída sofre algumas variações em torno do valor médio. Estas variações podem não ser compativeis com alguns tipos de circuitos que necessitem de uma forma perfeitamente contínua sem flutuações. Para evitar este problema, podemos introduzir um condensador no circuito de forma a que a onda de saída não sofra tantas variações ou que, pelo menos, sejam atenuadas. O valor do condensador é escolhido em função da constante de tempo do circuito  = R.C. Deve ser maior que o período de onda da tensão de entrada. VD Análise do circuito: Na alternância em que o diodo conduz, o condensador irá carregar-se até ao valor Vi. Na alternância negativa, o diodo  Vo não conduz, visto estar polarizado inversamente, o que irá proporcionar a descarga do condensador pela resistência. A Vi C este fenómeno dá-se o nome de filtragem. O valor do R condensador deve ser tal que permita apenas uma pequena descarga para que as variações sejam menores.- 31 - António Pedro Andrade
  • 32. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Onda de saída sem Onda de saída com condensador condensador Descarga do Carga do condensador condensador- 32 - António Pedro Andrade
  • 33. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Montagem laboratorial 5 Montar o seguinte circuito: - Resistência de 1K; - 1 osciloscópio; - 1 Diodo rectificador; - 2 condensadores; - 1 switch; - Ligação à terra.- 33 - António Pedro Andrade
  • 34. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Elaboração do relatório 5 - Título; - Objectivo; a) Verificação da rectificação com diodo; b) Verificação da filtragem através da introdução de condensadores; - Introdução teórica relativamente à rectificação, filtragem, explicação sumária do funcionamento do circuito, etc.; - Esquema do circuito e respectivos valores (verificar na Internet as características dos diodo); - Conclusões (qual o valor máximo da tensão inversa que o diodo deve suportar, o porquê da forma de onda de saída, função do condensador, influência da capacidade, qual a constante tempo do circuito, etc)- 34 - António Pedro Andrade
  • 35. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores A melhor rectificação é aquela que se consegue com um circuito idêntico ao da figura, que utiliza uma ponte de diodos. Com a polaridade indicada, os diodos D1 e D3 conduzem visto estarem polarizados directamente enquanto D2 e D4 ficam ao corte. Na alternância oposta serão do diodos D2 e D4 a conduzirem. A corrente flui na resistência sempre com o mesmo sentido fazendo com que VO nunca seja negativo. A tensão de saída é VO  Vi  2V D4 D1 +  Vi Vo D3 D2 R VO Vi- 35 - António Pedro Andrade
  • 36. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Montagem laboratorial 6 Montar o seguinte circuito: - Fonte alternada - Resistência de 1K; - 1 osciloscópio; - 1 ponte de Diodos; - 1 condensador 680F; - Ligação à terra.- 36 - António Pedro Andrade
  • 37. Materiais semicondutores – Circuitos rectificadores Elaboração do relatório 6 - Título; - Objectivo: a) Estudo da rectificação de onda completa através da ponte de diodos; b) Verificação da filtragem introduzindo um condensador; - Introdução teórica relativamente à rectificação, filtragem, explicação sumária do funcionamento do circuito, etc.; - Esquema do circuito e respectivos valores; - Conclusões.- 37 - António Pedro Andrade
  • 38. Materiais semicondutores – Diodo Zener O diodo Zener é um tipo de diodo especialmente projectado para trabalhar na região de avalanche, ou seja, na região de ruptura da tensão inversa. O díodo zener quando polarizado inversamente permite manter uma tensão constante aos seus terminais (VZ) sendo, por isso, muito utilizado na estabilização/regulação da tensão nos circuitos. Quando polarizados directamente comportam-se como um diodos normais. Comercialmente são caracterizados pela tensão VZ I Especificações do diodo zener vZ v A K Vd: tensão directa iZ Vz: tensão inversa (dada pelo fabricante) ânodo cátodo Izmáx: corrente máxima vZ Izmin: corrente mínima Curva característica do Pz: potência zener zener- 38 - António Pedro Andrade
  • 39. Materiais semicondutores – Diodo Zener Verificação das características Qual o valor de VO no circuito? Vo Cálculo de R t  Rt  1k  2k  3k V 24V Cálculo de I  I    8mA Rt 3k Cálculo de VO  VO  R4  I  2  8  16V Suponhamos que queríamos que VO fosse igual a 10 V e sempre constante. O que poderíamos fazer?- 39 - António Pedro Andrade
  • 40. Materiais semicondutores – Diodo Zener Estabelização da tensão com diodo zener- 40 - António Pedro Andrade
  • 41. Materiais semicondutores – Diodo Zener Montagem laboratorial 7 - 4 pilhas; - Resistência de 1K e 2K; - 1 amperímetro; V1 - 2 voltímetros; - 1 diodo zener 1N4740A; - 1 Switch. A V2- 41 - António Pedro Andrade
  • 42. Materiais semicondutores – Diodo Zener Elaboração do relatório 7 - Título; - Objectivo: IZ V V1 V2 a) Estudo do diodo zener como estabelizador de tensão; 12V - Introdução teórica relativamente à aplicação do dido zener, sua 24V polarização, etc; - Esquema do circuito e respectivos 36V valores; - Conclusões acerca dos valores 72V medidos e funcionamento do zener.- 42 - António Pedro Andrade
  • 43. Materiais semicondutores – Diodo Led Nos diodos semicondutores na recombinação dos portadores electrão-lacuna dá-se uma libertação de energia, geralmente sob a forma de calor. Se utilizarmos semicondutores especiais, tais como o arsenieto de gálio (GaAs), a energia de recombinação aparece sob a forma de luminosa. Este efeito é utilizado na construção de diodos emissores de luz (LED: Ligth Emiting Diode). Um Led para emitir luz tem que estar devidamente polarizado.- 43 - António Pedro Andrade
  • 44. Materiais semicondutores – Diodo Led IF VF VF VR Intensidade Angulo Comprimento Tipo Cor max. typ. max. max. Luminosa visualização onda Standard Vermelho 30mA 1.7V 2.1V 5V 5mcd a 10mA 60° 660nm brilhante Standard 30mA 2.0V 2.5V 5V 80mcd a 10mA 60° 625nm vermelho Standard Amarelo 30mA 2.1V 2.5V 5V 32mcd a 10mA 60° 590nm Standard Verde 25mA 2.2V 2.5V 5V 32mcd a 10mA 60° 565nm Alta intensidade Azul 30mA 4.5V 5.5V 5V 60mcd a 20mA 50° 430nm Super brilho Vermelho 30mA 1.85V 2.5V 5V 500mcd a 20mA 60° 660nm Baixa corrente Vermelho 30mA 1.7V 2.0V 5V 5mcd a 2mA 60° 625nm IF max. Corrente máxima com o led ligado correctamente. VF typ.Voltagem tipica, VL é aproximadamente 2V, excepto para os leds azuis que é 4V. VF max.Tensão máxima. VR max. Tensão máxima inversa. Intensidade luminosa Brilho do led com a corrente normal de funcionamento, mcd = millicandela. Angulo de projecção de luz Standard LEDs têm um angulo de 60°. Comprimento de onda O pico de comprimento de onda visual determina a cor da luz enviada pelo LED. nm = nanometro. em http://www.electronica-pt.com/index.php/content/view/126/37/- 44 - António Pedro Andrade
  • 45. Materiais semicondutores – Diodo Led Polarização do LED Além de ser polarizado directamente, um led deve ter uma resistência em série para limitar os parametros de funcionamento para valores correctos, nomeadamente, a corrente. A resistência limitadora da corrente é calculada através da seguinte fórmula: V  VF R IF Suponhamos um led vermelho cujos valores de VF e IF são respectivamente 1,7V e 15 mA. Se quiseremos aplicar uma fonte de alimetação de 9V, então teremos: 9  1,7 R 3  490 15 10- 45 - António Pedro Andrade