Your SlideShare is downloading. ×
Transistores
Upcoming SlideShare
Loading in...5
×

Thanks for flagging this SlideShare!

Oops! An error has occurred.

×
Saving this for later? Get the SlideShare app to save on your phone or tablet. Read anywhere, anytime – even offline.
Text the download link to your phone
Standard text messaging rates apply

Transistores

538

Published on

0 Comments
1 Like
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

No Downloads
Views
Total Views
538
On Slideshare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
0
Actions
Shares
0
Downloads
15
Comments
0
Likes
1
Embeds 0
No embeds

Report content
Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
No notes for slide

Transcript

  • 1. TRANSISTORES
  • 2. TRANSISTORES El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmu tador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.
  • 3. TRANSISTORES BIPOLARES NPN  NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.  Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.  La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
  • 4. TRANSISTOR MC140 (NPN)  Material: Si  La estructura de transistor: NPN  Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 3.5W  Limite el colector DC-base (Ucb): 80V  Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 40V  Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V  Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 1A  Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C  Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 60MHz  Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 25  Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 40/300  Fabricante: PHO  Caso: TO126
  • 5. Transistores Bipolares PNP  El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.  El símbolo de un transistor PNP.  Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.  La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo
  • 6. Número de Parte: 2N3639 Material: Si Polaridad de transistor: PNP ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 Tensión colector-base (Ucb): 6 Tensión colector-emisor (Uce): 6 Tensión emisor-base (Ueb): 4 Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.08 Temperatura operativa máxima (Tj), C: 125 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 500 Capacitancia de salida (Cc), pF: 3.5 Ganancia de corriente contínua (hfe): 30 Empaquetado / Estuche: TO106 TRANSISTOR PNP 2N3639
  • 7. TRANSISTOR FET Tienen 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas. Croquis de un FET con canal N
  • 8.  Estructura del transistor: FET  Altura 5.2mm  Ancho 4.2mm  Configuración Único  Conteo de Pines 3  Corriente Máxima Continua de Drenaje 10 mA  Dimensiones 4.8 x 4.2 x 5.2mm  Longitud 4.8mm  Resistencia Máxima Drenador-Fuente Ω18  Temperatura de Funcionamiento Mínima -65 C  Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 C  Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V  Tensión Máxima Puerta-Drenador -25V  Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V  Tipo de Canal N  Tipo de Encapsulado SPT  Tipo de Montaje Orificio Pasante ESPECIFICACIONES TRANSISTOR FET J110
  • 9. TRANSISTOR JFET El transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor de efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar. Funcionamiento básico Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
  • 10. CARACTERISTICAS JFET
  • 11. TRANSISTOR MOSFET Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Funcionamiento :
  • 12. TRANSISTOR NDP6030PL (MOSFET) CARACTERISTICAS  Los valores máximos absolutos TC = 25 ° C a menos que se indique lo contrario  Símbolo de los parámetros NDP6030PL NDB6030PL unidades  VDSS drenaje-fuente de tensión -30 V  VGSS puerta-fuente de tensión - Continuo ± 16 V  Identificación Consumo de corriente - continua -30 A  CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS  RqJC Resistencia térmica, conexión a Caso 2 ° C / W  RqJA Resistencia térmica, Junction-a-ambiente 62.5 ° C / W  NDP6030PL Rev.B1  Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5 V  RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.  Críticos de los parámetros eléctricos de corriente continua especificadas a temperaturas elevadas

×