 Introduzione all’argomento Tecniche di preparazione, apparato  sperimentale Esperimento Risultati: dati sperimentali ...
Porosità indotta da impiantazione ionica    Sensoristica   Esclusiva proprietà strutturale di Ge e di alcune    leghe (I...
La causa della formazione dei buchi       potrebbe consistere in un processo di       diffusione e agglomerazione delle   ...
 Tecnica consistente  nell’immissione di ioni  energetici all’interno di un  target. Modifica delle proprietà  elettrich...
Campioni: • Ge (100) bulk          • Ge (111) bulk          • S500Ione impiantato: Ge+Energia degli ioni: 100 KeVFluence: ...
• Sorgente elettronica: filamento di W             a V<0 (emissione a effetto di campo             assistita termicamente:...
Ge (111) con contrasto               modificato tramite Gatan                           Dettaglio parte centrale10,43 5,65...
Ge(111): immagine realizzatacon un rivelatore di SE.Minore Contrasto Topografico
Buchi chiari    14,75 14,09 nm                  22,7 32,65 nmBuchi scuri 14,79 21,25 nm
12,10 17,93 nm                   6,03 11,04 nm                 7,38 10,11 nm
 Film di 500 nm di Germanio depositato su uno strato di SiO2  e cresciuto su un substrato di Si.                         ...
Ge(100)              Ge(111)   Rmax               12,10±17,93 nm       18,65±13,48nm   Rmin                6,03±11,04 nm  ...
Buchi scuri         Buchi chiari       Rmax                12,10±17,93 nm      22,7± 32,65 nm       Rmin                 6...
Ge (111)                                                      Ge (100)                                                    ...
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  1. 1.  Introduzione all’argomento Tecniche di preparazione, apparato sperimentale Esperimento Risultati: dati sperimentali e analisi Conclusioni
  2. 2. Porosità indotta da impiantazione ionica Sensoristica  Esclusiva proprietà strutturale di Ge e di alcune leghe (InSb, GaN, GaSb)  Diminuzione delle performance di dispositivi elettronici realizzati con materiali porosi Interessante materiale nanostrutturatoL. Romano, G. Impellizzeri, M.V. Tomasello, F. Giannazzo, C. Spinella, M.G. Grimaldi.Nanostructuring in Ge by self-ion implantation, J.Appl. Phys. 107, 084314 (2010)
  3. 3. La causa della formazione dei buchi potrebbe consistere in un processo di diffusione e agglomerazione delle vacanze formatesi in seguito all’impiantazione.L. Romano, G. Impellizzeri, M.V. Tomasello, F. Giannazzo, C. Spinella, M.G. Grimaldi.Nanostructuring in Ge by self-ion implantation, J.Appl. Phys. 107, 084314 (2010)
  4. 4.  Tecnica consistente nell’immissione di ioni energetici all’interno di un target. Modifica delle proprietà elettriche (Drogaggio di materiali…) e/o strutturali (amorfizzazione, formazione di strutture porose…).
  5. 5. Campioni: • Ge (100) bulk • Ge (111) bulk • S500Ione impiantato: Ge+Energia degli ioni: 100 KeVFluence: 9,6 x 1015 ioni/cm2Temperatura di impianto: RTArea di impianto: 1”Pressione della camera~E-7mbarAngolo di impiantazione: 7
  6. 6. • Sorgente elettronica: filamento di W a V<0 (emissione a effetto di campo assistita termicamente: T~2500K, φ=4,5V) •Anodo: estrazione e accelerazione del fascio con V>0 (10-20 keV) • Sistemi di focalizzazione di lenti magnetiche • Scanning coils • Rivelazione (SE, BSE, In lens) • Software di imagingp~E-7 mbar
  7. 7. Ge (111) con contrasto modificato tramite Gatan Dettaglio parte centrale10,43 5,65nm 18,65 13,48nm 14,89 6,58 nm
  8. 8. Ge(111): immagine realizzatacon un rivelatore di SE.Minore Contrasto Topografico
  9. 9. Buchi chiari 14,75 14,09 nm 22,7 32,65 nmBuchi scuri 14,79 21,25 nm
  10. 10. 12,10 17,93 nm 6,03 11,04 nm 7,38 10,11 nm
  11. 11.  Film di 500 nm di Germanio depositato su uno strato di SiO2 e cresciuto su un substrato di Si. Porzione di campione di S500 su cui effettuare indagine statistica. Minore contrasto topografico associato alla scarsa emissione di SE da parte del film sottile.
  12. 12. Ge(100) Ge(111) Rmax 12,10±17,93 nm 18,65±13,48nm Rmin 6,03±11,04 nm 10,43±5,65nm Rmedio 7,38±10,11 nm 14,89±6,58 nm• Disuniformità della porosità nel Ge (100)• Ge (111) ha dimensioni dei buchi maggiori rispetto al Ge(100).• Causa (?)
  13. 13. Buchi scuri Buchi chiari Rmax 12,10±17,93 nm 22,7± 32,65 nm Rmin 6,03±11,04 nm 14,75±14,09 nm Rmedio 7,38±10,11 nm 14,79±21,25 nm• Le dimensioni dei buchi chiari sono maggiori rispetto a quelle deibuchi scuri.• Probabile causa della disomogeneità del campione: presenza diimpurezze durante la fase di preparazione e, quindi, di una disuniformeimpiantazione.• Necessità di appurare questa ipotesi.
  14. 14. Ge (111) Ge (100) S500Bibliografia:•Ion Implantation, dott.ssa Lucia Romano, slides lezioni diLaboratorio di Nanostrutture.•Self-ion-induced nanostructures in Ge, , dott.ssa LuciaRomano, slides lezioni di Laboratorio di Nanostrutture.•Scanning Electron Microscopy, , dott.ssa Lucia Romano,slides lezioni di Laboratorio di Nanostrutture.•L. Romano, G. Impellizzeri, M.V. Tomasello, F. Giannazzo, C.Spinella, M.G. Grimaldi. Nanostructuring in Ge by self-ionimplantation, J.Appl. Phys. 107, 084314 (2010)

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