Your SlideShare is downloading. ×
0
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Dasar semikonduktor+dioda
Upcoming SlideShare
Loading in...5
×

Thanks for flagging this SlideShare!

Oops! An error has occurred.

×
Saving this for later? Get the SlideShare app to save on your phone or tablet. Read anywhere, anytime – even offline.
Text the download link to your phone
Standard text messaging rates apply

Dasar semikonduktor+dioda

8,424

Published on

Fakultas Teknik Universitas Riau

Fakultas Teknik Universitas Riau

Published in: Education, Technology, Sports
2 Comments
4 Likes
Statistics
Notes
No Downloads
Views
Total Views
8,424
On Slideshare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
1
Actions
Shares
0
Downloads
582
Comments
2
Likes
4
Embeds 0
No embeds

Report content
Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
No notes for slide

Transcript

  • 1. Dasar Semikonduktor Amir Hamzah, ST.MTPROGRAM STUDI S1 TEKNIK ELEKTRO UNIVERSITAS RIAU
  • 2. Pendahuluan• Komponen-komponen elektronika seperti dioda, transistor dan Integrated Circuit terbuat dari bahan semikonduktor.• Topik bahasan: - struktur atom - semikonduktor, konduktor dan insulator. - ikatan kovalen - konduksi dalam semikonduktor. - dioda - bias dioda - karakteristik tegangan-arus dioda - model dioda
  • 3. Struktur Atom• Segala sesuatu benda terbuat dari atom-atom, dan semua atom terdiri dari elektron, proton dan neutron.
  • 4. Atom• Definisi Atom Partikel terkecil dari elemen yang tidak dapat dibagi lagi secara kimia. • Bagian-bagian atom:  Nukleus : - Proton (bermuatan positif) - Neutron (tidak bermuatan)  Elektron (bermuatan negatif) Model atom Bohr
  • 5. Atom• Setiap atom memiliki jumlah elektron dan proton tertentu yang membedakannya dari atom elemen lainnya. Contoh, atom hidrogen memiliki satu proton dan satu elektron , atom helium memiliki dua proton dan dua neutron dalam nukleus serta dua elektron pada orbitnya.
  • 6. Nomor Atom• Semua elemen telah diatur dalam tabel periodik, sesuai dengan nomor atomnya.• Nomor atom adalah sama dengan jumlah proton dalam nukleus, yang mana juga sama dengan jumlah elektron (seimbang).• Contoh: hidrogen memiliki nomor atom 1 dan helium memiliki nomor atom 2.
  • 7. Group → 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18↓ Period 1 21 H He 3 4 5 6 7 8 9 102 Li Be B C N O F Ne 11 12 13 14 15 16 17 183 Na Mg Al Si P S Cl Ar 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 364 K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 545 Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe 55 56 * 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 866 Cs Ba Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg Tl Pb Bi Po At Rn 87 88 ** 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 1187 Fr Ra Rf Db Sg Bh Hs Mt Ds Rg Uub Uut Uuq Uup Uuh Uus Uuo 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 * Lanthanides La Ce Pr Nd Pm Sm Eu Gd Tb Dy Ho Er Tm Yb Lu 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 ** Actinides Ac Th Pa U Np Pu Am Cm Bk Cf Es Fm Md No Lr
  • 8. Electron Shells dan Orbit• Lintasan orbit elektron memiliki jarak tertentu dari nukleus.• Elektron yang dekat dengan nukleus memiliki energi yang lebih kecil dibanding dengan elektron yang berada pada orbit yang lebih jauh.• Tiap jarak tertentu (orbit) dari nukleus berhubungan dengan level energi tertentu. Dalam atom, orbit-orbit dikelompokkan dalam pita-pita energi yang disebut dengan shells.• Shells ditandai dengan nomor 1, 2, 3 dan seterusnya. Dengan nomor 1 adalah yang terdekat dengan nukleus. (atau dalam referensi lain menggunakan huruf K, L, M dst).
  • 9. Ilustrasi Pita Energi Energi semakin besar pada orbit yang lebih jauh dari nukleus
  • 10. Elektron Valensi• Elektron-elektron yang berada di orbit terjauh dari nukleus memiliki energi yang lebih besar dan memiliki ikatan yang lebih kecil/lemah dibanding dengan elektron yang berada pada orbit yang dekat dengan nukleus (attraction force).• Shell yang terluar disebut dengan shell valensi, dan elektronnya disebut dengan elektron valensi.
  • 11. Ionization• Ketika atom menyerap energi, misal: panas atau cahaya, energi elektron akan naik. Elektron valensi menerima energi yang lebih dan menjadi semakin lemah ikatannya terhadap nukleus dibanding dengan elektron terdalam, sehingga elektron akan semakin mudah meloncat (lepas).• Proses lepasnya elektron valensi disebut dengan ionization, yang mengakibatkan atom lebih bermuatan positif atau disebut dengan ion positif.• Contoh: sebuah atom hidrogen H. Bila atom hidrogen netral terlepas elektron valensinya maka menjadi ion positif, dengan simbol H+. Elektron valensi yang lepas disebut dengan elektron bebas. Ketika elektron bebas habis energi dan jatuh ke shell terluar suatu atom hidrogen netral, maka atom tersebut menjadi bermuatan negatif dan disebut dengan ion negatif dengan simbol H-.
  • 12. Jumlah Eletron Tiap Shell• Jumlah elektron maksimum (Ne) pada tiap shell dari atom dapat dihitung dengan persamaan: Ne 2n 2• Dimana n adalah nomor shell.• Shell 1• Shell 2• dst
  • 13. Semikonduktor, Konduktor dan Insulator.Konduktor:  Bahan yang dapat dengan mudah mengalirkan arus listrik.  Memiliki elektron terluar/valensi kurang dari 4, sehingga mudah lepas ikatannya.  Konduktor terbaik adalah bahan single-element (elektron valensi satu), seperti tembaga, perak, emas dan alumunium.Insulator:  Bahan yang tidak dapat mengalirkan arus listrik.  Elektron terluar /valensi memiliki ikatan yang kuat.  Memiliki atom terluar/valensi lebih dari 4.  Contoh: glass, mica
  • 14. Semikonduktor Bahan yang tidak konduktor dan tidak isolator tetapi bersifat antara keduanya. Mudah dipengaruhi oleh temperatur dan cahaya. Kebanyakan memiliki atom terluar/valensi sama dengan 4 dengan kekuatan rata-rata. Contoh: silicon, germanium, carbon
  • 15. Energy Bands
  • 16. Perbandingan atom semikonduktor dan atom konduktor
  • 17. Silicon dan GermaniumSilikon umum digunakan sebagai bahan untuk dioda, transistor, IC dll.Germanium memiliki elektron valensi pada shell ke empat, memilikilevel energi yang lebih besar dari silikon, dan membutuhkan energiyang sedikit untuk lepas.Germanium lebih tidak stabil pada temperatur tinggi.
  • 18. Ikatan Kovalen• Ikatan kimia dibentuk dengan satu atau lebih elektron-elektron yang berbagi, terutama pasangan dari elektron-elektron, antara atom-atom.• Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik.• Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik.
  • 19. Ikatan Kovalen
  • 20. Konduksi pada Semikonduktor • Diagram pita energi dari sebuah unexcited atom dalam kristal silikon. Tidak ada elektron dalam pita konduksi. • Kondisi ini terjadi hanya pada temperatur absolut 00 kelvin.
  • 21. Electrons dan Holes• Pembentukan pasangan elektron-hole dalam kristal silikon. Elektron dalam pita konduksi adalah elektron bebas.
  • 22. • Saat elektron melompat ke pita konduksi, tempat yang ditinggalkan elektron tersebut disebut dengan hole.• Rekombinasi terjadi bila elektron pada pita konduksi habis energi dan jatuh ke hole di pita valensi.
  • 23. Aliran Elektron dan Hole• Bila tegangan diberilan pada antara bagian silikon, maka panas akan membangkitkan elektron-elektron bebas dalam pita konduksi, yang bebas bergerak secara acak dalam struktur kristal.• Pergerakan elektron-elektron bebas ini disebut dengan aliran elektron. Aliran elektron
  • 24. Aliran hole
  • 25. Semikonduktor tipe N dan tipe P• Konduktivitas bahan silikon dan germanium dapat ditingkatkan dengan mengatur penambahan impurities ke bahan semikonduktor interinsic (pure). Proses ini disebut dengan doping.• Proses doping meningkatkan jumlah aliran pembawa (elektron atau holes)• Dua kategori impurities adalah tipe-n dan tipe-p.
  • 26. Semikonduktor tipe N• Untuk meningkatkan jumlah elektron-elektron pita konduksi dalam silikon intrinsic, ditambahkan dengan atom impurities pentavalen, yaitu atom dengan elektron valensi lima, seperti arsenic (As), phosphorus (P), bismuth (Bi) dan antimony (Sb).
  • 27. Semikonduktor tipe P• Untuk meningkatkan jumlah holes dalam silikon intrinsic, ditambahkan dengan atom impurities trivalen, yaitu atom dengan elektron valensi tiga, seperti boron (B), indium (In), dan gallium (Ga)
  • 28. Dioda• Dioda: komponen semikonduktor dengan satu junction pn yang mengalirkan arus pada satu arah saja.• Fungsi: dioda hanya mengalirkan pada satu arah dan memblok arus pada arah yang berlawanan.• Tanda panah dari simbol rangkaian memperlihatkan arah arus yang dapat mengalir. Anode Cathode P N Pn junction (a) Struktur dasar dioda (b) Simbol skematik dioda
  • 29. Formasi pn-junction• pn junctions dibentuk dengan menggabungkan bahan semikonduktor tipe p dan tipe n.
  • 30. Formasi wilayah Deplesi Daerah-n  Kehilangan elektron bebas saat penghamburan keseberang pn- junction .  Hasil : membentuk sebuah lapisan +ve dekat junction. Daerah-p  Kehilangan holes sebagai gabungan elektron dan holes.  Hasil: membentuk lapisan -ve dekat junction.• Dua lapisan +ve dan –ve membentuk daerah deplesi.
  • 31. Barrier Potential• Dalam depletion region banyak terdapat muatan positif dan muatan negatif, yang terletak pada sisi berlawanan di junction pn.• Gaya antara muatan yang berlawanan membentuk “medan gaya” yang disebut medan elektrik (lihat gambar)• Untuk memindahkan elektron-elektron melintasi barrier medan listrik depletion region, dibutuhkan energi eksternal.• Besar tegangan yang dibutuhkan untuk dapat menggerakkan elektron-elektron tersebut sama dengan potensial pada medan listriknya.• Beda potensial tersebut dinamakan barrier potential.
  • 32. • Tegangan barrier pada junction pn bergantung pada beberapa faktor, yaitu jenis material semikonduktor, jumlah doping, dan temperatur.• Tipikal tegangan barrier adalah 0,7 V untuk silikon dan 0,3 V untuk germanium pada temperatur 25 0C.
  • 33. Bias Dioda• Pembahasan sebelumnya: tidak ada elektron yang bergerak melintasi junction pn pada kondisi seimbang.• Definisi Bias secara umum: penggunaan tegangan dc untuk memperoleh kerja tertentu pada sebuah komponen elektronika.• Terdapat dua bias: 1. forward bias 2. reverse bias
  • 34. 1. forward bias• Forward bias adalah kondisi yang meyebabkan arus mengalir melalui junction pn dioda.
  • 35. 2. reverse bias• Reverse bias adalah kondisi yang meyebabkan arus tidak mengalir melalui junction pn dioda.
  • 36. Karakteristik Tegangan-Arus Dioda• Karakteristik V-I untuk forward bias.
  • 37. Karakteristik Tegangan-Arus Dioda• Karakteristik V-I untuk forward bias. Titik a; kondisi zero-bias Titik b; kondisi tegangan forward kurang dari tegangan barrier 0,7 V. Titik c; kondisi tegangan forward aproksimasi sama dengan tegangan barrier.
  • 38. Karakteristik Tegangan-Arus Dioda• Karakteristik V-I untuk reverse bias. Bila tegangan reverse diberikan pada dioda, hanya arus reverse IR yang sangat kecil mengalir (diabaikan) Bila tegangan bias dinaikkan, hingga mencapai suatu nilai dimana disebut VBR , arus reverse akan naik secara cepat.
  • 39. Karakteristik Tegangan-Arus Dioda• Kurva karakteristik komplit.
  • 40. Karakteristik Tegangan-Arus Dioda• Efek temperatur
  • 41. Model Dioda• Strutur dioda dan simbol
  • 42. Hubungan forward bias• Doida di bias maju bila terminal positif tegangan sumber dihubungkan ke anoda dan terminal negatif dihubungkan ke katoda.
  • 43. Hubungan reverse bias• Doida di bias mudur bila terminal positif tegangan sumber dihubungkan ke katoda dan terminal negatif dihubungkan ke anoda.
  • 44. Model Dioda Ideal• Model ideal sebuah dioda adalah sebagai saklar sederhana. Bila dioda di bias maju, maka dioda berkerja sebagai saklar tertutup (on). Bila dioda di bias mundur, maka dioda sebagai saklar terbuka (off). Potensial barrier, resistansi dinamik, dan arus reverse diabaikan.
  • 45. Model dioda praktis• Model praktis memasukkan tegangan barrier dalam model saklar ideal.
  • 46. Model dioda komplit• Model dioda komplit: memasukkan pengaruh tegangan barrier, resistansi dinamis (r’d) dan resistansi reverse internal (r’R)
  • 47. Tipikal Dioda
  • 48. SEKIAN

×