Your SlideShare is downloading. ×
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Bjt
Upcoming SlideShare
Loading in...5
×

Thanks for flagging this SlideShare!

Oops! An error has occurred.

×
Saving this for later? Get the SlideShare app to save on your phone or tablet. Read anywhere, anytime – even offline.
Text the download link to your phone
Standard text messaging rates apply

Bjt

4,068

Published on

Fakultas Teknik Universitas Riau

Fakultas Teknik Universitas Riau

Published in: Education, Business, Technology
0 Comments
2 Likes
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

No Downloads
Views
Total Views
4,068
On Slideshare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
0
Actions
Shares
0
Downloads
316
Comments
0
Likes
2
Embeds 0
No embeds

Report content
Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
No notes for slide

Transcript

  • 1. Bipolar Junction Transistor
  • 2. Pendahuluan• Dioda, terbuat dari dua bagian material semikonduktor (baik itu jenis silikon atau germanium), yang membentuk sambungan PN.• Bila dua buah dioda dihubungkan back-to-back, maka diperoleh dua sambungan PN yang terhubung seri dengan berbagi terminal P atau N bersama.• Gabungan dua dioda menghasilkan tiga layer, dua sambungan, tiga terminal yang disebut dengan bipolar junction transistor (BJT).
  • 3. Typical BJT
  • 4. Dasar Kerja• Transistor memiliki dua fungsi, yaitu: sebagai saklar (switching) dan sebagai penguat (amplification).• Oleh karena itu BJT dapat bekerja dalam tiga bentuk: 1. active, transistor bekerja sebagai amplifier ( Ic=β.IB) 2. Saturasi, transistor “On” sebagai saklar (Ic = Isat) 3. Cut-off, transistor “off” sebagai saklar (Ic = 0)
  • 5. Konfigurasi BJT• Diketahui BJT memiliki tiga terminal, maka terdapat tiga metode dasar untuk menghubungkannya dalam rangkaian elektronika dengan satu terminal menjadi input dan output bersama.• Tiap metode memiliki respon yang berbeda terhadap sinyal input dalam rangkaian sebagai fungsi dari karakteristik statis
  • 6. Konfigurasi Dasar BJT1. Konfigurasi Common Base - has Voltage Gain but no Current Gain.2. Konfigurasi Common Emitter - has both Current and Voltage Gain.3. Konfigurasi Common Collector - has Current Gain but no Voltage Gain.
  • 7. Konfigurasi Common Base
  • 8. Konfigurasi Common Base• Berdasarkan namanya (konfigurasi base di ground): Base dihubungkan bersama dengan sinyal input dan sinyal output dengan sinyal input diberikan antara terminal base dan emitter.• Sinyal output berada di terminal antara base dan collector.• Common base voltage gain:
  • 9. Konfigurasi Common Emitter
  • 10. Konfigurasi Common Emitter• Berdasarkan namanya (konfigurasi emitter di ground): Sinyal input diberikan antara terminal emitter dan base, sementara sinyal output dari terminal collector dan emitter.• Persamaan konfigurasi ini:
  • 11. Konfigurasi Common Collector
  • 12. Konfigurasi Common Collector• Berdasarkan namanya (konfigurasi collector di ground): sinyal input diberikan di base, dan sinyal output pada beban emitter.• Persamaan konfigurasi ini:
  • 13. Karakteristik masing-masing konfigurasi Common Common Common Characteristic Base Emitter CollectorInput Impedance Low Medium HighOutput Impedance Very High High Low Phase Angle 0o 180o 0o Voltage Gain High Medium Low Current Gain Low Medium High Power Gain Low Very High Medium
  • 14. Transistor NPN kontruksi
  • 15. Koneksi Transistor NPN• Tegangan VBE: positif pada base dan negatif pada emitter.• Tegangan VCE: positif pada collector dan negatif pada emitter.
  • 16. Koneksi Transistor NPN• Collector dihubungkan dengan suplai VCC melalui beban resistor RL, RL juga berfungsi untuk membatasi arus maksimum yang melalui transistor.• Suplai tegangan base VB dihubungkan dengan resistor RB, yang juga berfungsi untuk membatasi arus maksimum base.
  • 17. Dasar Operasi• Bias maju membuat lapisan deplesi BE mengecil• Bias mundur membuat lapisan deplesi BC membesar• Tingkat doping E>C>B• Krn B didoping sangat kecil (sedikit hole) maka hanya sedikit elektron bebas yg bergabung dng hole.• Akibatnya, hanya ada sedikit arus basis
  • 18. Dasar Operasi• Kebanyakan elektron yg tdk berekombinasi akan menuju kolektor, membentuk arus kolektor• Mengapa???• Krn lapisan deplesi B sangat tipis dan elektron bebas memiliki masa hidup yg lama di B• Elektron yg ada dikolektor akan ditarik oleh (+) terminal.
  • 19. Aliran arus pd transistor dapat dilihat dari diagram berikut : Sehingga, persamaan arusnya menjadi : IE IC IB IE IC IB IC
  • 20. Rasio/perbandingan antara arus : IC ICDC DC IB IE
  • 21. Hubungan α dan β
  • 22. Hubungan α dan β
  • 23. Analisa Arus dan TeganganVBE 0.7VRB VBB VBE VBB VBEVRB RB .I B IB RB
  • 24. VCE VCC VRCVRC RC .I CVCE VCC I C RCVCB VCE VBE
  • 25. contoh• Sebuah transistor NPN memiliki gain arus DC β sebesar 200. Hitunglah arus base IB yang dibutuhkan untuk men”switch” beban resistif dengan arus 4mA.• Jawab:
  • 26. contohTentukan IB, IC, IE, VBE, VCE, dan VCB untuk rangkaian berikutBila transistor memiliki beta DC 150.
  • 27. Kurva Karakteristik Transistor
  • 28. Persamaan-persamaan Karakteristik
  • 29. Kondisi Cutoff • Daerah kerja transistor bila IB=0. • Saat ini, ada sejumlah kecil arus leakage collector ICEO dihasilkan pembawa thermal. • Sehingga, VCE = VCC. • Lapisan base-emitter dan base-collector dibias mundur.
  • 30. Keadaan Saturasi IB dinaikkan sehingga IC juga membesar (IC=ßDC.IB). Akibatnya VCE mengecil. Pd saat VCE(Sat) tercapai, Ic tidak akan bertambah lagi meskipun IB dinaikkan. Pd titik saturasi, hubungan IC=ßDC.IB tidak berlaku lagi.
  • 31. Garis Beban DC Titik saturasi dan cutoff pd kurva kolektor dpt dihub dng garis beban DC. Titik terbawah adlh titik ideal cutoff bila IC=0 dan VCE=VCC. Titik teratas adlh titik saturasi bila VCE=VCE (Sat)
  • 32. contohTentukan apakah transistor pd gambarBerikut berada dlm keadaan saturasi atau tidak.Asumsikan VCE(sat)=0.2V. PenyelesaianPertama, tentukan IC(sat)Kemudian, tentukan apakahIB cukup besar untuk menghasilkan IC(sat) Ini berarti, IB dpt menghasilkan IC yg >> IC(sat). Berarti transistor saturasi.

×