Memoria SDR

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Memoria SDR

  1. 1. MEMORIA RAMLa memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) esdonde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. Elalmacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen enella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y rápidamente
  2. 2. .
  3. 3. ARQUITECTURA BASEEn origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroidesde ferrita, la corriente polariza la ferrita. Mientras esta queda polarizada, el sistemapuede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes (en un estado dereposo) no es posible acceder. En sus orígenes, la invocación a la RAM, producía laactivación de contactores, ejecutando instrucciones del tipo AND, OR y NOT. Laprogramación de estos elementos, consistía en la predisposición de los contactorespara que, en una línea de tiempo, adquiriesen las posiciones adecuadas para crear unflujo con un resultado concreto. La ejecución de un programa, provocaba un ruidoestruendoso en la sala en la cual se ejecutaba dicho programa, por ello el área centralde proceso estaba separada del área de control por mamparas insonorizadas.Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por,válvulas de vacío, transistores y en las últimas generaciones, por un material sólidodieléctrico. Dicho estado sólido dieléctrico tipo DRAM permite que se pueda tantoleer como escribir información.
  4. 4. TECNOLOGIA DE MEMORIALa tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización pararealizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre estasincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguasmemorias FPM y EDO que eran asíncronas. Hace más de una década todala industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya que permitenconstruir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz(A día de hoy, se han superado con creces los 1600 Mhz.) Memorias RAM con tecnologías usadas en la actualidad.
  5. 5. Tipos de memoria RAM Trataremos estos cuatro, que son los principales, :1) DRAM: Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA, ya que es "la original", y portanto la más lenta.Usada hasta la época del 386, su velocidad típica es de 80 ó 70nanosegundos (ns), tiempo éste que tarda en vaciarse para poder darentrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es más rápida la de 70 ns quela de 80 ns.Físicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimosde 30 contactos.
  6. 6. 2) Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o sólo "RAM"), puesto queevoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocasveces se las diferencia. Algo más rápida, tanto por su estructura (el modode Página Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns.Usada hasta con los primeros Pentium, físicamente aparece como SIMMsde 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).
  7. 7. 3) EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de laFast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras losanteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algomás rápida (un 5%, más o menos).Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existeen forma de DIMMs de 168.
  8. 8. 4)SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con lavelocidad de la placa (de 50 a 66 MHz), para lo que debe serrapidísima, de unos 25 a 10 ns. Sólo se presenta en forma deDIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de350 MHz y en los Celeron.
  9. 9. PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz defuncionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a350 MHz y computadores más modernos; teóricamente se tratade unas especificaciones mínimas que se deben cumplir parafuncionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas lasmemorias vendidas como "de 100 MHz" las cumplen.PC133: o SDRAM de 133 MHz. La más moderna y recomendable).
  10. 10. DRAM• DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema.
  11. 11. HISTORIA• La memoria dinámica DRAM , fue desarrollada en los laboratorios de IBM pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard quien obtuvo una patente norteamericana en 1968 por una memoria fabricada con un solo transistor de efecto de campo y un condensador.• Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo como por ejemplo la línea System 360: el modelo 25 en 1968 ya incluía un ScratchPad (una especie de Caché) en forma de integrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en núcleos de Ferrita. Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores, un negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó en usar las tecnologías de estado sólido tipo SRAM o DRAM para construir la memoria principal. La empresa Intel fue creada para aprovechar esa oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.[
  12. 12. Velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y ventaja es la posibilidad de velocidades de acceso medidos en construir memorias con una gran densidad de posiciones millones de bit por segundo. y que todavía funcionen a una velocidad alta. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la características información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad. Se denomina dinámica, ya que para mantenerLa implementación DRAM se basa en una almacenado un dato, setopología de Circuito eléctrico que requiere revisar el mismo ypermite alcanzar densidades altas de recargarlo, cada ciertomemoria por cantidad de transistores, período, en un ciclo delogrando integrados de decenas o cientos refresco.de Megabits.
  13. 13. Modo de tratamiento de lainformaciónLos pasos principales son:Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Estoes posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitudtienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y laseñal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan ypermitiendo la conexión eléctrica entre las líneas de columna y una fila decondensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores,uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los doscon un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valorde carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño,ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos derealimentación positiva: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como unredondeo.La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar lasegunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con laseñal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdasinvolucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.
  14. 14. Frecuencia de trabajo Su velocidad típica es de 80 ó 70 nanosegundos (ns), tiempo éste quetarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos.Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas entiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como0 y 1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de lafila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian pormedio de señales de sincronización llamadas RAS (del inglés RowAddress Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entradade cada parte de la dirección.
  15. 15. MARCAS DE FABRICACION, PRECIO DE VENTAS ACTUALXFX HD-695X-ZNFC Radeon HD 6950 Tarjeta Grafica - 800 MHz Core - 1 GB DDR5 SDRAM - PCI Express 2.1 x16 (5000 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - CrossFireX - HDMI - DisplayPort - DVI - MPN: HD695XZNFC) A partir de US$239.99 en Amazon.com EVGA 012-P3-1571-KR GeForce GTX 570 Tarjeta Grafica - 732 MHz Core - 1.28 GB GDDR5 SDRAM - PCI Express 2.0 x16 (3800 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - SLI - HDMI - DisplayPort - DVI - MPN: 012P31571KR) A partir de US$326.37 en PROVANTAGE Reembolsos y Ofertas Especiales: US$10.00 Oferta Limitada por Tienda disponible XFX HD-697A-CNFC Radeon HD 6970 Tarjeta Grafica - 880 MHz Core - 2 GB DDR5 SDRAM - PCI Express 2.1 x16 (5500 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - CrossFireX - HDMI – Puerto de Pantalla - DVI - MPN: HD697ACNFC) A partir de US$349.99 en Amazon.com XFX HD677XZNLC Radeon HD 6770 Tarjeta Grafica - 850 MHz Core - 1 GB GDDR5 SDRAM - PCI Express 2.1 x16 (4800 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - CrossFireX - HDMI - DVI - VGA - MPN: HD677XZNLC) A partir de US$109.99 en Amazon.com ZOTAC ZT-50402-10L GeForce GTX 550 Ti Tarjeta Grafica - 1000 MHz Core - 1 GB GDDR5 SDRAM - PCI Express 2.0 (4400 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - SLI - HDMI - DisplayPort - DVI - MPN: ZT5040210L) A partir de US$129.99 en Amazon.com Crucial 8GB DDR3 SDRAM Modulo de Memoria (8GB 2 x 4GB - 1066MHz DDR3-1066/PC3-8500 - Non-ECC - DDR3 SDRAM - 204-pin SoDIMM - MPN: CT2KIT51264BC1067) A partir de US$45.37 en Amazon.com Crucial 2GB PC2-6400 800MHz DDR2 SODIMM Memoria (MPN: CT25664AC800) A partir de US$24.99 en PROVANTAGE
  16. 16. DUAL CHANNEL VENTAJASDoble canal (en inglés: Dual Channel) es una tecnología para memorias aplicada en las computadoras u ordenadores personales, la cual permite el incremento del rendimiento gracias al acceso simultáneo a dos módulos distintos de memoria (haciéndolo a bloques de 128 bits, en lugar de los 64 bits tradicionales desde el inicio de la era Pentium en 1993). Esto se consigue mediante un segundo controlador de memoria en el puente norte (northbridge) del chipset o conjunto de chips.Las mejoras de rendimiento son particularmente perceptibles cuando se trabaja con controladoras de vídeo integradas a la placa base ya que éstas, al no contar con memoria propia, usan la memoria RAM o memoria principal del sistema y, gracias al
  17. 17. Detección y corrección de erroresExisten dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de eventos aleatorios, son más difíciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos más críticos, se aplican técnicas de corrección y detección de errores basadas en diferentes estrategias:• La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de datos, y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar), detectándose así el error.• Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un sólo bit. Esta técnica se usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad.Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene un costo más alto, y sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset y las memorias deben tener soporte para esas tecnologías. La mayoría de placas base no poseen dicho soporte.Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software especializadas que realizan pruebas integrales sobre los módulos de memoria RAM. Entre estos programas
  18. 18. FINTolava Lidia Clara

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