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1. CENTRO DE BACHILLERATO TECNOLÓGICO
AGROPECUARIO NO. 109
SUBMODULO 2 II PARCIAL
FACILITADOR: ING. JOSUE ARREORTUA
MARTÍNEZ
ALUMNO: NORBERTO MARTINEZ ARREORUA
II SEMESTRE INFORMATICA
CAPULÁLPAM DE MÉNDEZ IXTLÁN DE JUÁREZ
OAXACA A 15 DE ABRIL DE 2015.

2. Fabricación de un
circuito integrado

3. Produce silicio puro por el crecimiento de un cristal
de silicio de gran tamaño. Calienta el silicio a una
temperatura elevada de alrededor de 1.400 grados
centígrados en un crisol, y luego lentamente extrae
un único cristal puro, típicamente de 200 milímetros
de diámetro desde el centro de la cuba de rotación.
Enfría este cristal cilíndrico de gran tamaño, y luego
corta con cuidado en finas obleas de menos de un
milímetro de espesor. Mantén la superficie de la
oblea plana para tolerancias muy precisas. Trata
cada oblea con óxido de silicio, que actúa como un
agente aislante.

4. INICIA LA PRIMERA ETAPA DE FOTOLITOGRAFÍA CON UNA BRILLANTE LUZ ULTRAVIOLETA
(UV) A TRAVÉS DE UNA MÁSCARA QUE COINCIDA CON EL DIAGRAMA DEL CIRCUITO DE
CADA OBLEA. CUBRE LA OBLEA ENTERA CON UNA CAPA PROTECTORA QUE SEA
SENSIBLE A LA LUZ UV. REALIZA ESTE PROCESO EN UNA SALA LIMPIA DONDE SE HA
ELIMINADO TODO EL POLVO CON FILTRO DE AIRE COMO EN LA HABITACIÓN DE UN
HOSPITAL

5. CONSTRUYE LA PRIMERA CAPA DEL CIRCUITO CON LA LUZ
UV BRILLANDO A TRAVÉS DE LA PRIMERA MÁSCARA,
COLOCADA EN LA PARTE SUPERIOR DEL CHIP RECUBIERTO.
EL PATRÓN DE LA MÁSCARA PERMITE QUE CAIGA UN POCO
DE LUZ EN EL CHIP Y DEGRADE SÓLO LAS ÁREAS
DESCRITAS POR LA MÁSCARA. ELABORA EL CHIP,
ELIMINANDO LAS ZONAS RECUBIERTAS DEGRADADAS Y
DEJANDO UN PATRÓN.

6. GRABA EL CHIP CON PRODUCTOS QUÍMICOS. EN ESTE
PROCESO, LA CAPA AISLANTE DE ÓXIDO DE SILICIO SE ELIMINA
DONDEQUIERA QUE EL PATRÓN DE LA MÁSCARA SE HAYA
DESIGNADO, DEJANDO EXPUESTO EL SILICIO PURO EN UN
PATRÓN DE TIPO PLANO.

7. TRATA LA CAPA EXPUESTA DE SILICIO PURO A TRAVÉS DE UN
PROCESO LLAMADO "DOPAJE" QUE AÑADE PEQUEÑAS
CANTIDADES DE ELEMENTOS TALES COMO FÓSFORO Y BORO,
PERMITIENDO QUE EL SILICIO SEA UTILIZADO COMO UN AGENTE
DE CONMUTACIÓN.

8. REPITE LOS PASOS DEL 2 AL 5 DE ESTA SECCIÓN SI ES
NECESARIO PARA COMPLETAR EL PROCESO DE
ESTRATIFICACIÓN DEL CIRCUITO. LAS CAPAS ADICIONALES DE
ÓXIDO DE SILICIO, Y LA REALIZACIÓN DE MATERIAL AISLANTE
DEBEN AÑADIRSE SEGÚN SEA NECESARIO