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  • 1. TRANSISTORES FICHA TÉCNICA CARACTERÍSTICAS Curso : Física Electrónica Alumna : Salcedo Hernández Mónica Gabriela
  • 2. Transistor JFETEl transistor JFET (Junction Field Efect Transistor, que se traduce como transistor deefecto de campo) es un dispositivo electrónico activo unipolar.Funcionamiento básicoTienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado portensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corrienteentre drenador y fuente.
  • 3. CaracterísticasEste tipo de transistor se polariza de Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen lasmanera diferente al transistor bipolar. La curvas características del transistor JFET. Las curvasterminal de drenaje se polariza características típicas para estos transistores sepositivamente con respecto al terminal de encuentran en la imagen, nótese que se distinguen tresfuente (Vdd) y la compuerta se polariza zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte y lanegativamente con respecto a la fuente (- zona de saturación.Vgg).
  • 4. Transistor MOSFET Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. La práctica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.Funcionamiento : Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
  • 5. CaracterísticasExisten dos tipos de transistores MOS:• MOSFET de canal N o NMOS y• MOSFET de canal P o PMOS.A su vez, estos transistores pueden ser deacumulación (enhancement) o deplexion (deplexion);en la actualidad los segundos están prácticamente endesuso y aquí únicamente serán descritos los MOS deacumulación también conocidos como deenriquecimiento.
  • 6. Transistor FETTransistores de Efecto de Campo (FET)Tienen también 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas. Croquis de un FET con canal N
  • 7. Características Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.• La Figura muestra un esquema que ayudará a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.• La puerta está polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unión P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.• Si el material de la puerta está más dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estará formada por el canal.• Si al tensión de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.
  • 8. Transistor Bipolar de Unión (BJT) El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
  • 9. CaracterísticasLos transistores bipolares son los transistores másconocidos y se usan generalmente en electrónicaanalógica aunque también en algunas aplicaciones deelectrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.Un transistor de unión bipolar consiste en tres regionessemiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y laregión del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo Pen un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región delsemiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B)o colector (C), según corresponda.Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN. Donde sepuede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que labase-emisor.
  • 10. Transistor MESFETMESFET significa transistor de efecto de campo de metal semiconductor . Es muy similar aun JFET en la construcción y terminología. La diferencia es que en lugar de utilizar una unión pn para unapuerta, una Schottky ( de metal - semiconductor ) unión se utiliza. MESFET se construyen normalmente enlas tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivación de alta calidad de lasuperficie.
  • 11. Características Numerosas posibilidades de fabricación MESFET se han explorado para una amplia variedad de sistemas de semiconductores. Algunas de las principales áreas de aplicación son: Comunicaciones militares Como amplificador de ruido bajo extremo delantero de los receptores de microondas en los dos militares de radar y dispositivos de comunicación. Comercial optoelectrónica comunicaciones por satélite Como amplificador de potencia para la etapa de salida de los enlaces de microondas. Como un oscilador de potencia.
  • 12. Fuentes Bibliográficas http://www.unicrom.com/Tut_transistores_MOSFET.asp http://es.wikiversity.org/wiki/Transistor_JFET http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_MOSFET http://www.ucm.es/info/electron/laboratorio/componentes/codigos/pag07- 03.htm http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar http://transistoresfet.galeon.com/dos.htm