2. El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para entregar una señal
de salida en respuesta a una señal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término transistor es
la contracción en inglés de transfer resistor
(resistencia de transferencia). Actualmente se
encuentran prácticamente en todos los aparatos
electrónicos de uso diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, entre otros.
El transistor bipolar fue inventado en los
Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre
de 1947 por John Bardeen, Walter Houser
Brattain y William Bradford Shockley.
Transistor
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/imgsol/tran1.gif
http://www.acusticavisual.net/laesferaazul/lea_imagenes/transistor.gif
3. Tipos de Transistores
Existen cuatro conocidos grupos de transistores, y en cada grupo existen
diferentes tipos de transistores, los que explicaremos en el siguiente
diagrama:
• Transistor BJT
• NPN
• PNP
• Transistor FET
• MOSFET
• JFET
• Transistor UJT
• Canal N
• Canal P
• Transistor Potencia
• IGBT
• Tiristor
http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema2/images/tr_muestra2.gif
4. Transistor PNP
Características:
• I.A.W. rendimiento eléctrico MIL- PRF-
19500/291
• Disponible en Oblea o Chip Formulado
para aplicaciones hibridas
• Velocidad Alta General, para uso de la
conmutación
• Bajo VCE ( sat) : .4v @ CI = 150 mAdc
Valores Máximos
Datos obtenidos del Data Sheet Switching Transistor PNP Silicon
5. Transistor NPN
Datos obtenidos del Data Sheet Switching Transistor NPN Silicon
CARACTERÍSTICAS
• I.A.W. rendimiento eléctrico MIL-
PRF- 19500/255
• Disponible en Oblea o Chip
Formulario para Aplicaciones
Hibridas.
• Velocidad alta en la Conmutación
para uso de propósito general
• Bajo VCE ( sat) : .3V @ CI = 150 mAdc
Valores Máximos
6. Transistor Mosfet
CARACTERÍSTICAS
• Modo de Mejoramiento N - Canal de
dispositivos
• Estructura DMOS
• Capacitancias más bajos para la
Operación de Banda Ancha
• Alta potencia de salida saturada
• Bajo la figura de ruido que los
dispositivos bipolares
Valores Máximos a 25° C
Datos obtenidos del Data Sheet RF MOSFET Power Transistor, 6OW, 28V 2 – 175 MHz
7. Transistor JFET
Características:
• S prefijo para automóviles y otras
aplicaciones que requieren de un sitio
único y de cambio de control Requisitos ;
AEC- Q101 Calificado y PPAP Capaz
• Estos dispositivos son Pb - libre , libre de
halógenos / BFR libre y son RoHS
Valores Máximos
Datos obtenidos del Data Sheet JFET Switching Transistors
8. Transistor Bipolar IGBT
Características
• Baja caída de tensión a altas
corrientes
• Estándar de la industria A -252
paquete ( D - Pak )
• 700V calificación tensión de
ruptura
Aplicaciones
• Electrodomésticos
• Pequeños electrodomésticos
• Controles de Iluminación
• unidades de motor
• Los lectores de Medidores
• Las pequeñas fuentes de
alimentación fuera de línea
Datos obtenidos del Data Sheet IGBT Bipolar Transistors
