Transistores bipolares de union

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Transistores bipolares de union

  1. 1. BJT
  2. 2. IDEAS PREVIAS Bulbo mas utilizado entre 1904 y 1947. Fleming 1904- Lee De Forest 1906. 1947: Walter H Brattain y Joseph Bardeen Industrias Bell Telephone Laboratories. William Shockley (1987) John Bardeen (1991) Dos premios Nobel Walter Brattain (1987)
  3. 3. VENTAJAS Mas pequeño y ligero No requerimiento de calentamiento No disipación de calor. Resistente. Consume menos potencia. Voltajes de operación más bajos. Dispositivos de tres o mas terminales.
  4. 4. NPN PNP
  5. 5. PARAMETROS
  6. 6. PARAMETROS
  7. 7. CONSTRUCCION Transistor de Unión Bipolar- Bipolar Junction Transistor. El Transistor es un dispositivo de 3 patillas: base (B), colector (C) y emisor (E). Base (B):ligeramente dopada Colector (C): muy poco dopada. Emisor (E): fuertemente dopada. Diferentes espesores
  8. 8. CONSTRUCCION
  9. 9. IDEAS PREVIAS
  10. 10. IDEAS PREVIAS
  11. 11. ZONA ACTIVA Activa: Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple aproximadamente la relación : Ic = hFE . Ib (En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de la construcción del transistor.) Aunque en la practica Ic varía levemente para diferentes valores de Vce, para esta región se puede pensar que: la corriente Ic es una versión amplificada de la corriente Ib.
  12. 12. ZONA DE CORTE Corte: Cuando Ib es muy pequeña o nula, implicará además Ic = 0. Lo que equivale a decir que no hay conducción entre colector y emisor. En esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “como una llave abierta”.
  13. 13. ZONA DE SATURACION Saturación: Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir, aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib La tensión Vce permanece prácticamente constante en un valor llamado Vsat, para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja “como una llave cerrada”.
  14. 14. REGIONES DE OPERACION
  15. 15. BASE COMUN IE = IC + IB
  16. 16. BASE COMUN
  17. 17. COLECTOR COMUN
  18. 18. EMISOR COMUN
  19. 19. EMISOR COMUN
  20. 20. LIMITES DE OPERACION
  21. 21. PRUEBA DEL TRANSISTOR

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