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  • 1. PROPIEDADES ELECTRONICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES
  • 2. INTRODUCCION Un semiconductor se puede convertir en un conductor o en un aislante dependiendo de la conveniencia
  • 3. HUECOS Y ELECTRONES Los electrones y los huecos se crean por pares . Las reglas de los electrones “ van a revés ” para los huecos.
  • 4. SEMICONDUCTOR INTRINSECO En un semiconductor intrínseco, la concentración de electrones para conducir es igual a la concentración de huecos. Ni = concentración de portadores en equilibrio Para Si -> Ni = 1.5 x 10 10 1/cm 3 a temperatura ambiente
  • 5. DOPAJES > Los semiconductores se dopan para generar una mayor cantidad de portadores > Dopajes con elementos del grupo V: As, Sb, Bi -> Donan e - (Nd) > Dopajes con elementos del grupo III: B, Al, Ga -> Donan h + (Na)
  • 6. RESISTIVIDAD > Para Si Intrínseco Supongamos que dopamos con Na y Nd. Por conservación de la carga Donde Normalmente solo Nd >> Na o Na >> Nd. En cada caso, cuando estas cantidades son >> ni, entonces ó
  • 7. RESISTIVIDAD (Cont) Normalmente Si se dopa con Nd ≈ 10 17 1/cm 3 ≈ n 0 Entonces hay un aumento en la conductividad de aproximadamente 7 ordenes de magnitud ! Podemos manipular un semiconductor y convertirlo en un metal!
  • 8. DIAGRAMA DE ENERGIA Nivel de Fermi nos ayuda a medir la cantidad de portadores disponibles para la conducción
  • 9. JUNTURA PN Juntamos dos materiales de manera abrupta Difusión
  • 10. JUNTURA PN (Cont) Lo más importante es la formación de la zona de agotamiento
  • 11. DIAGRAMA ENERGIA JUNTURA PN En equilibrio
  • 12. DIAGRAMAS PARA UNA JUNTURA PN
  • 13. POLARIZACIÓN Ec del diodo
  • 14. TRANSISTORES Un transistor se diseña para funcionar como un switch. Puede estar conduciendo como un metal o no conduciendo como un aislante > BJT > FET > Transistores Modernos
  • 15. BJT (Bipolar Junction Transistor) > Inventado en 1947 en Bell Laboratories. > Ha revolucionado la electrónica, reemplazando los tubos de vacio
  • 16. FET (Field Effect Transistor) > Base de la electrónica digital moderna
  • 17. TRANSISTOR DE TUNELAMIENTO
  • 18. SET (Single Electron Transistor) La base de su funcionamiento es el tunelaje
  • 19. SET (Single Electron Transistor)