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•La base de la ganancia de corriente de un transistor de contacto
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Es uno de los dispositivos que son fruto de la
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 Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones de semiconductores dopados.
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UNION BIPOLAR bc337
Es un transistor sensible a la luz, normalmente
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de base, generando portad...
 El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, está compuesto por el
mismo material semiconduct...
FUENTES DE INFORMACIÓN:
1. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
2. http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagi...
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Transistores

  1. 1. Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, teléfonos celulares, etc.
  2. 2. Es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento sólo intervienen los portadores mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P". En ambos tipos de JFET, la corriente ID de salida se controla por medio de un voltaje entre la compuerta y el surtidor. El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente.
  3. 3. Curvas características del Transistor de Efecto de Campo. Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la representación ID v/s VGS para un VDS dado, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la región de saturación. En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica, puesto que en el primero, VGS positiva hace crecer rápidamente a IG.
  4. 4. Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga que aparecía en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N. Debido a que la puerta está aislada del canal, se puede aplicar una tensión positiva de polarización al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en enriquecimiento. Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura.
  5. 5.  En la siguiente figura, se muestra el ejemplo de una familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.  Obsérvese cómo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la relación que existe entre VGS e ID. Ésta posee la forma que se muestra en la siguiente curva abajo a la derecha. Obsérvese cómo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta razón, la corriente IDSS, correspondiente a la intersección de la curva con el eje ID, ya no es la de saturación.
  6. 6. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shock ley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
  7. 7. •La base de la ganancia de corriente de un transistor de contacto común es de alrededor de 2 a 3, mientras que la de un de un transistor de unión bipolar es típicamente entre 0,98 y 0,998. •Resistencia negativa diferencial. •Cuando se utiliza en el modo saturado en la lógica digital, se enganchan en el on-estado, por lo que es necesario eliminar el poder por un breve periodo de tiempo en cada ciclo de la máquina que se les devuelva el estado de desconexión.
  8. 8. Es uno de los dispositivos que son fruto de la tecnología en semiconductores (basada en uniones PN y dopaje) y es uno de los tipos de transistores mas usados en la actualidad. Un transistor posee tres terminales (base, colector y emisor) las cuales se muestran en la ilustración de la representación esquemática de un transistor PNP y NPN respectivamente. Un transistor BJT puede eventualmente trabajar en tres regiones, las cuales son: Región activa, región de saturación y región de ruptura; Cuando un transistor BJT trabaja en región activa, quiere decir que está trabajando como amplificador de una señal (Corriente o voltaje), esta región de funcionamiento se caracteriza porque la corriente de base es muy pequeña en comparación a la de colector y emisor (que son parecidas), y porque el voltaje colector base no puede exceder los 0.4 o -0.4V (dependiendo si es PNP o NPN).
  9. 9.  Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones de semiconductores dopados. Se puede utilizar una pequeña corriente en la región central o base, para controlar una corriente mayor que fluye entre las regiones extremas (emisor y colector). El dispositivo puede ser caracterizado como un amplificador de corriente, el cual tiene muchas aplicaciones en la amplificación y la conmutación.
  10. 10. UNION BIPOLAR bc337
  11. 11. Es un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de la siguiente manera: 1. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común). 2. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación). 3. Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
  12. 12.  El fototransistor no es muy diferente a un transistor normal, es decir, está compuesto por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoeléctrico. Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de elemento optoelectrónicos, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando incide más o menos luz sobre sus junturas.
  13. 13. FUENTES DE INFORMACIÓN: 1. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor 2. http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm 3. http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.html 4. http://electro-cev.blogia.com/2010/090702-transistor-de-contacto-puntual.php 5. http://centrodeartigos.com/articulos-noticias-consejos/article_140873.html 6. http://gambox-bjt.blogspot.com/2009/09/teoria.html 7. http://es.wikipedia.org/wiki/Fototransistor 8. http://www.ecured.cu/index.php/Fototransistor

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