semiconductores intrinsecos y dopados.

1. semiconductores

2. Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza,
ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conducción.
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm

3. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente por átomos de silicio (Si)
que forman una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo
poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces
covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor.

4. Tipo N
Son los que están dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb). Que sean elementos
pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la última capa, lo que hace que al formarse la
estructura cristalina, un electrón quede fuera de ningún enlace covalente, quedándose en un nivel superior al de
los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, además de la formación de los pares e-h, se liberan los
electrones que no se han unido.
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925813.html

5. Tipo P
En este caso son los que están dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes,
hace que a la hora de formar la estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energético ligeramente
superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrón que lo rellenaría.

6. Semiconductores dopados
La aplicación de la teoría de bandas a los semiconductores de tipo n y tipo p muestra que los niveles adicionales
se han añadido por las impurezas. En el material de tipo n hay electrones con niveles de energía cerca de la
parte superior de la banda prohibida, de modo que pueden ser fácilmente excitados hacia la banda de
conducción. En el material de tipo p, los huecos adicionales en la banda prohibida, permiten la excitación de los
electrones de la banda de valencia, dejando huecos móviles en la banda de valencia.
hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/dope.html

7. El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un
semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1
cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más
átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje
pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_%28semiconductores%29