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  1. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor (resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.
  2. TRANSISTOR JFET Los valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación. Está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta).
  3. TRANSISTOR MOSFET Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo.
  4. TRANSISTOR IGBT Es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Usado en aplicaciones de alta y media energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V.
  5. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos). Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
  6. TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO FET Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). Es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. Comprende los MOSFET, JFET, MESFET, HEMT, MODFET, IGBT, FREDFET, DNAT, et c.

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