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3.2 transistores

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  • 1. TRANSISTORES • Introducción y tipo de transistores Alumno: Flores Díaz Francisco James
  • 2. TRANSISTORES  Un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador, o rectificador.  Es El transistor es el primer componente que tiene tres terminales  Funciona como un interruptor, por la corriente que entra por una de sus patas.  Los más utilizados son los unión o BJT, cuyo terminal se llama base (b), emisor (e), y colector (c)
  • 3. TRANSISTORES TIPO DE TRANSISTORES
  • 4. TRANSISTOR Transistor de contacto puntual llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor Fabricado en el año de 1947, en los laboratorios Bell, por los científicos, William Bradford Shockley, John Bardeen y Walter Houser Brattain
  • 5. TRANSISTORES Transistores Bipolar  son dispositivos electrónicos de estado sólido consiste en dos uniones PN muy cerca entre sí, que permiten el paso de corriente en función de la otra.  Son los transistores más conocidos y son de dos clases PNP y NPN, llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja
  • 6. TRANSISTORES Transistores NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo
  • 7. TRANSISTORES Transistores PNP • el otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor • Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado “N” entre dos capas de material dopado “P”. • Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo
  • 8. TRANSISTORES Transistor de unión unipolar o de efecto de campo  El transistor de unión unipolar llamado también de efecto de campo de unión (JFET) fu el primer transistor de efecto de campo en la practica.  Esta formada por una barra semiconductor, de silicio de tipo N o P , en los terminales de la barra se establece un contacto óhmico
  • 9. TRANSISTORES Transistores de Efecto de Campo o FET, Controlan la corriente en función de una tención, tiene alta impedancia de entrada
  • 10. TRANSISTORES TRANSISTORES MOSFET.  Los transistores MOSFET o Metal-OxidoSemiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción  Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS
  • 11. TRANSISTORES  Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deplesión (deplexion)
  • 12. TRANSISTORES  estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador, fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra conectado a la fuente.  La puerta, cuya dimensión es W·L, está separado del substrato por un dieléctrico (Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador.  Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión) en la superficie del substrato y se crea un camino de conducción entre los terminales drenador y fuente. La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión umbral o tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenador fuente es nula; valores típicos de esta tensión son de 0.5 V a 3 V.