Caracteristicas de los transistores

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  • 1. H E L M E R E D U A R D O C A L L E S A N C H E Z CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
  • 2. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES • TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET • TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET • TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION • TRANSISTOR SILICON COMPLEMENTARY • TRANSISTOR SILICON POWER
  • 3. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET • Voltaje drenaje-Gate, VDG. ... ……….. 40V • Invierta Voltaje puerta-fuente, VGSR. . 40V • Forward puerta actual, IG (f). . .. . . 10mA • Disipación total del dispositivo (TA = 25 ° C), PD. . . . 310mW • Degradación por encima de 25 ° C 2.82mW /° C • Rango de temperatura de unión, TJ.. . -65 ° a +135 ° C • Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . .. . . . . . . . . . . -55 ° a 150 ° C NTE326 http://www.talonix.com
  • 4. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET • Baja resistencia: 2,5? • Bajo Umbral: 2,1 V • Baja capacitancia de entrada: 22 pF • Rápido velocidad de conmutación: 7 ns • Bajo entrada y fuga de salida 2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170 littlemachineshop.com
  • 5. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION • Programable - RBB, IV e IP • Baja tensión en estado activado - 1,5 V Máxima @ IF = 50 mA • Bajo Puerta de fuga del ánodo actual - 10 nA máximo • Tensión de salida High Peak - 11 V Típico • tensión de offset bajo - 0,35 V Típica (RG = 10 k) • Paquetes Pb gratuitos están disponibles * 2N6027, 2N6028 http://www.unicrom.com
  • 6. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR SILICON COMPLEMENTARY • Zona Alta de funcionamiento seguro: 250W @ 50V • Una baja distorsión Diseños Complementarios • Alta Ganancia de CC: hFE = 25 Min @ IC = 5A NTE60 (NPN) & NTE61 (PNP) octopart.com
  • 7. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR SILICON POWER • Alta Ganancia de CC: hFE = 25 - 100 @ IC = 7,5 • Excelente área de funcionamiento seguro NTE180 (PNP) & NTE181 (NPN) orig-10001.allied.att-dsa.net