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Aplicaciones del BJT y FET

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  • 1. UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA<br />ELECTRONICA DE POTENCIA<br />APLICACIONES DEL TBJ Y FET<br />PAULINA ARGÜELLO O.<br />
  • 2. TRANSISTORES<br />El transistor es un dispositivo que cumple funciones de <br />amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente <br />se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, <br /> grabadoras, reproductores de audio y video, <br /> hornos de microondas, lavadoras, <br /> automóviles, equipos de refrigeración, <br /> alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, <br /> calculadoras, impresoras, lámparas <br /> fluorescentes, equipos de rayos X, <br /> tomógrafos, ecógrafos, reproductores <br /> mp3, teléfonos móviles, etc.<br />
  • 3. TRANSISTOR BJT<br />El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas eninglés, se fabrica <br />básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de <br />galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio <br />entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. <br />Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, <br /> quedando formadas dos uniones NP.<br />
  • 4. Los transistores son utilizados como interruptores en los circuitos de <br />potencia. Los circuitos de polarización están diseñados para que estos<br />estén completamente saturados (activados) o en corte (desactivados).<br />El estado de conducción se consigue proporcionando suficiente <br />corriente de base para llevar el BJT a saturación. La tensión de<br />saturación colector-emisor típica es de 1V a 2V para un BJT de potencia.<br />Una corriente de base nula hace que el transistor se polarice en corte.<br />
  • 5. El transistor bipolar como amplificador<br />El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos <br />(Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en <br />directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. <br />Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión <br />igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un <br /> transistor de silicio y unos 0,4 para el <br /> germanio.<br /> Lo interesante del dispositivo es que en el <br /> colector tendremos una corriente proporcional <br /> a la corriente de base: IC = β IB, es decir, <br /> ganancia de corriente cuando β>1. Para <br /> transistores normales de señal, β varía entre <br /> 100 y300. <br />
  • 6. Tenemos tres configuraciones diferentes para la aplicación de los<br />transistores en los Amplificadores<br />EMISOR COMUN BASE COMUN<br />COLECTOR COMUN<br />
  • 7. Básicamente un transistor es un semiconductor que puede ser utilizado como amplificador oscilador conmutador o rectificador, igual que los diodos que se basan en conducción se utilizan básicamente para amplificar o bien <br /> también puede utilizarse como <br /> oscilador, prácticamente un <br /> transistor esta en todos los <br /> electrodomésticos de hoy en día. <br /> Me refiero al transistor de unión bipolar EL BJT (transistor de unión bipolar) <br />
  • 8. TRANSISTORES FET<br />El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET) es en <br />realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico <br />para controlar la conductividad de un "canal" en un material <br />semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias <br />controladas por diferencia de potencial.<br />Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y <br /> fuente (source). La puerta es el terminal <br />quivalente a la base del BJT. El transistor de <br /> efecto de campo se comporta como un <br /> interruptor controlado por tensión, donde el <br /> voltaje aplicado a la puerta permite hacer que <br /> fluya o no corriente entre el drenador y la <br /> fuente.<br />
  • 9. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de <br />efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, <br />dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta <br />pone al transistor en estado de conducción o no conducción, <br />respectivamente.<br />
  • 10. TIPOS DE FET<br />Se consideran tres tipos principales de FET:<br />• FET de unión (JFET) <br />• FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de empobrecimiento) <br />• FET metal óxido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET <br /> de enriquecimiento). Con frecuencia el <br /> MOSFET se denomina FET de compuerta <br /> aislada (IGFET, insulated-gate FET).<br />
  • 11. PRINCIPALES APLICACIONES DEL FET EN LA ELECTRONICA, TELECOMUNICACIONES Y OTRAS RAMAS<br />Entre las principales aplicaciones de este dispositivo tenemos:<br />
  • 12.
  • 13. PRINCIPALES VENTAJAS<br />Estos dispositivos son sensibles a la tensión con alta impedancia de <br />entrada (del orden de 107 W). Como esta impedancia de entrada es <br />considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT <br />para la etapa de entrada de un amplificador multietapa. <br /> * Los FET generan un nivel de ruido menor que los <br /> BJT. <br /> * Los FET se comportan como resistores <br /> variables controlados por tensión para valores <br /> pequeños de tensión de drenaje a fuente.<br /> * Los FET so más estables con la temperatura <br /> que los BJT. <br />
  • 14. * Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).<br /> * La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como <br />elementos de almacenamiento. <br /> * Los FET de potencia pueden disipar una <br />potencia mayor y conmutar corrientes grandes.<br />
  • 15. DESVENTAJAS<br /> * Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. <br /> * Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre. <br /> * Los FET se pueden dañar al <br /> manejarlos debido a <br /> la electricidad estática.<br />
  • 16. BIBLIOGRAFIA<br />http://metis.umh.es/jacarrasco/docencia/ep/Tema2/Tema2.pdf<br />http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor<br />http://www.buenastareas.com/ensayos/Amplificadores-Fet-y- Mosfet/1506637.html<br />http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php<br />

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