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  • 1. CURSO : FÍSICA ELECTRÓNICAESPECIALIDAD : INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICAESTUDIANTE : ELIAS EMILIO GARCIA CASTILLODOCENTE : EUSEBIO CARRASCO SAJAMI
  • 2.  El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.
  • 3. TIPOS DE TRANSISTORES Transistor de unión bipolar El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
  • 4. FICHA TÉCNICA Y CARACTERÍSTICA DE CADA TRANSITOR
  • 5. TIPOS DE TRANSISTORES1.- Transistores Bipolares de unión BJT. ( PNP o NPN )- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor).El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia elmaterial polarizado de forma opuesta.2.-Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de efecto decampo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barrase establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.- MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor.- MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor esformado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando comouna puerta, un electrodo de metal.3.-Transistores HBT y HEMT.Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y HightElectron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación dediferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida
  • 6. FOTOTRANSISTORLos fototransistores son sensibles a la radiacion electromagnética enfrecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo decorriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Unfototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo quepuede trabajar de 2 maneras diferentes:Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace lasveces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

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