Transistores• El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor quecumple funciones de amplificador, oscilador, co...
Transistor de contacto puntual• Llamado también transistor de punta de contacto, fue elprimer transistor capaz de obtener ...
Transistor de unión Bipolar• El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, sefabrica básicamente sobre u...
Transistor JFET• es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, segúnunos valores eléctricos de entrada, reaccio...
Transistor JFET de carburo desilicio
Transistor MOSFET• es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señaleselectrónicas. Es el transistor más utiliza...
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Transistores

  1. 1. Transistores• El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor quecumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador orectificador. El término «transistor» es la contracción en inglésde transfer resistor («resistencia de transferencia»).Actualmente se encuentran prácticamente en todos losaparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores,reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonoscelulares, etc.
  2. 2. Transistor de contacto puntual• Llamado también transistor de punta de contacto, fue elprimer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una basede germanio, semiconductor para entonces mejor conocidoque la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que seapoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen elemisor y el colector. La corriente de base es capaz de modularla resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de«transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, pococonocidos en su día.
  3. 3. Transistor de unión Bipolar• El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, sefabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicioo Arseniuro de galio, que tienen cualidades desemiconductores, estado intermedio entre conductores comolos metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustratode cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas,dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedandoformadas dos uniones NP.• La zona N con elementos donantes de electrones (cargasnegativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargaspositivas). Normalmente se utilizan como elementosaceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) ydonantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
  4. 4. Transistor JFET• es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, segúnunos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unosvalores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores deefecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son lastensiones eléctricas, en concreto la tensión entre losterminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, lasalida del transistor presentará una curva característica que sesimplifica definiendo en ella tres zonas con ecuacionesdefinidas: corte, óhmica y saturación.
  5. 5. Transistor JFET de carburo desilicio
  6. 6. Transistor MOSFET• es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señaleselectrónicas. Es el transistor más utilizado en la industriamicroelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales,aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popularen otro tiempo. Prácticamente la totalidad de losmicroprocesadores comerciales están basados en transistoresMOSFET.
  7. 7. • El término metal en el nombre de los transistores MOSFET esactualmente incorrecto debido a que el material de lacompuerta, que antes era metálico, ahora se construye conuna capa de silicio policristalino. En sus inicios se utilizóaluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970cuando el silicio policristalino comenzó a dominar el mercadogracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas.Las compuertas metálicas están volviendo a ganarpopularidad, debido a que es complicado incrementar lavelocidad de operación de los transistores sin utilizarcomponentes metálicos en la compuerta. De manera similar,el óxido utilizado como aislante en la compuerta también seha reemplazado por otros materiales con el propósito deobtener canales fuertes con la aplicación de tensiones máspequeñas.
  8. 8. Transistor MOSFET

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