Elektronika analog 1_ch3_temp

503 views
411 views

Published on

Sang Pengembara

Published in: Education
0 Comments
0 Likes
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

No Downloads
Views
Total views
503
On SlideShare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
7
Actions
Shares
0
Downloads
16
Comments
0
Likes
0
Embeds 0
No embeds

No notes for slide

Elektronika analog 1_ch3_temp

  1. 1. Bab 3: Transistor Bipolar 68 Transistor silikon akan mati (cut-off) apabila tegangan VBE = 0 Volt atau ba-sis dalam keadaan hubung singkat (dengan emitor). Pada saat ini pada kolektor men-galir arus bocor sebesar ICES. Apabila basis terbuka (tergantung) yang berarti IB = 0dimana sebenarnya VBE = 0.06 Volt, maka pada kolektor mengalir arus bocor sebe-sar ICEO. Dalam gambar terlihat bahwa ICES dan ICEO hampir sama. Dan bahkankarena kecilnya nilai arus bocor ini, biasanya dalam perhitungan praktis sering dia-baikan. Tegangan cut-in Vγ adalah tegangan VBE yang menyebabkan arus kolektorkira-kira mengalir sebesar 1 persent dari arus maksimum. Besarnya Vγ ini untuksilikon adalah 0.5 Volt dan untuk germanium adalah 0.1 Volt. Besarnya arus kolek-tor pada saat VBE belum mencapai tegangan cut-in adalah sangat kecil, yakni dalamorde nanoamper untuk silikon dan mikroamper untuk germanium. Setelah VBE mencapai tegangan cut-in ini transistor masuk ke daerah aktifdimana arus IC mulai naik dengan cepat. Untuk silikon daerah aktif ini antara 0.5 -0.8 Volt, dan pada umumnya tegangan VBE aktif dianggap sebesar 0.7 Volt. Tegan-gan VBE lebih besar dari 0,8 Volt (atau 0,3 Volt untuk germanium) menyebabkantransistor masuk daerah jenuh (saturasi). Tabel 3.2 memberikan beberapa tegangan pada persambungan transistor baikuntuk germanium maupun silikon. oTabel 3.2 Berbagai tegangan persambungan transistor npn pada suhu 25 C VCE VBE VBE VBE VBE saturasi saturasi aktif cut-in cut-off Silikon 0.2 0.8 0.7 0.5 0.0 Germanium 0.1 0.3 0.2 0.1 -0.13.6 Pengaruh Temperatur Mengingat bahwa sifat-sifat kelistrikan bahan semikonduktor sangat peka ter-hadap temperatur, maka demikian juga transistor yang terbuat dari bahan semikon-Herman D. Surjono, (2001), Elektronika Analog I
  2. 2. Bab 3: Transistor Bipolar 69duktor. Semua karakteristik transistor yang dibicarakan di depan sangat dipengaruhioleh perubahan temperatur. Apabila temperatur naik, maka arus bocor ICBO, ICEO, dan ICES akancenderung untuk naik. Arus-arus bocor ini akan naik dua kali lipat untuk setiap ke- onaikan temperatur 10 C. Pada transistor silikon dimana harga arus bocornya dalam oorde nanoampere umumnya mampu untuk dipakai sampai temperatur 200 C. Se-dangkan transistor germanium yang arus bocornya dalam orde mikroamper mampu ountuk dipakai hingga suhu 100 C. Akibat kenaikan arus bocor ini, maka arus kolektor juga cenderung untuk naikapabila temperatur naik. Pengaruh perubahan temperatur terhadap arus kolektor ICdapat dilihat pada gambar 3.11. Demikian juga faktor penguatan arus α dan β akancenderung untuk naik terhadap perubahan temperatur. Pengaruh temperatur terhadapβ atau hfe dapat dilihat pada gambar 3.12. IC (mA) o 25 C o 50 C IB= 60 µA IB= 40 µA IB=20 µA IB= 0 VCE (Volt) Gambar 3.11 Pengaruh perubahan temperatur terhadap arus kolektor IC. Disamping itu perubahan temperatur juga mempengaruhi besarnya teganganVBE. Apabila temperatur naik, maka tegangan bias maju VBE untuk menghasilkanarus kolektor IC tertentu akan menurun. Koefisien perubahan temperatur terhadap otegangan VBE ini adalah sebesar -2.5 mV/ C. Artinya bahwa untuk menghasilkanarus kolektor IC tertentu tegangan VBE yang diperlukan akan turun sebesar 2,5 mV osetiap kenaikan suhu 1 C.Herman D. Surjono, (2001), Elektronika Analog I
  3. 3. Bab 3: Transistor Bipolar 70 β atau hfe o T = 125 C o T = 25 C IC Gambar 3.12: Variasi β (hfe) terhadap IC dan temperatur o Apabila pada temperatur T1 = 25 C tegangan VBE suatu transistor 0,7 Voltdapat menghasilkan IC sebesar 10 mA, maka untuk mencapai arus IC yang sama pada otemperatur T2 = 50 C diperlukan tegangan VBE sebagai berikut. o VBE(T2) = VBE(T1) - (T2 - T1)(2.5mV/ C) o o VBE (50 C)= 0.7 V - (50 - 25)(2.5mV/ C) = 0.7 V - 0.0625 V = 0.637 V = 637 mV oJadi pada suhu 50 C dibutuhkan tegangan VBE = 0.637 V untuk menghasilkan arusIC = 10 mA. Lihat gambar 3.13. IC (mA) o o 50 C 25 C 10 VBE (mV) 637 700 Gambar 3.13 Pengaruh temperatur terhadap VBEHerman D. Surjono, (2001), Elektronika Analog I
  4. 4. Bab 3: Transistor Bipolar 71 Masalah pengaruh temperatur terhadap berbagai karakteristik transistor sung-guh tidak dapat diabaikan begitu saja. Perubahan temperatur akan bisa merubah titikkerja yang sudah ditetapkan pada suhu ruang. Hal ini bisa jadi akan juga mempenga-ruhi faktor penguatan tegangan dari suatu rangkaian penguat. Disamping itu sinyaloutput akan bisa menjadi cacat atau distorsi karena perubahan temperatur yangmeyakinkan. Olehkarena itu dalam rangkaian penguat transistor perlu adanya berba-gai kompensasi, yang nanti akan dijelaskan dalam bab berikutnya.3.7 Ringkasan Struktur transistor terdiri atas sebuah bahan type p yang diapit oleh dua bahantipe n (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipe n yang diapit oleh dua ba-han tipe p (transistor PNP). Meskipun strukturnya mirip seperti dua buah dioda yangdisambung berbalikan, namun prinsip kerjanya sama sekali berbeda. Hal ini disebab-kan karena ukuran fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basisyang sangat rendah. Terdapat tiga macam variasi rangkaian transistor yang dikenal dengan istilahkonfigurasi, yaitu konfigurasi basis bersama (CB), konfigurasi emitor bersama (CE),dan konfigurasi kolektor bersama (CC). Pada konfigurasi CE sinyal input dium-pankan pada basis dan output diperoleh dari kolektor dengan emitor sebagai ground-nya. Faktor penguatan arus pada emitor bersama disebut dengan BETA (β). Kurvakarakteristik transistor yang paling penting adalah karakteristik input dan karakter-istik output. Apabila temperatur naik, maka arus bocor ICBO, ICEO, dan ICES akancenderung untuk naik. Arus-arus bocor ini akan naik dua kali lipat untuk setiap ke- onaikan temperatur 10 C. Akibatnya maka arus kolektor juga cenderung untuk naikapabila temperatur naik. Disamping itu perubahan temperatur juga mempengaruhibesarnya tegangan VBE. Apabila temperatur naik, maka tegangan bias maju VBEuntuk menghasilkan arus kolektor IC tertentu akan menurun.Herman D. Surjono, (2001), Elektronika Analog I

×