Chuong 4  pha huy dien moi
Upcoming SlideShare
Loading in...5
×

Like this? Share it with your network

Share
  • Full Name Full Name Comment goes here.
    Are you sure you want to
    Your message goes here
    Be the first to comment
No Downloads

Views

Total Views
3,917
On Slideshare
3,917
From Embeds
0
Number of Embeds
0

Actions

Shares
Downloads
68
Comments
0
Likes
1

Embeds 0

No embeds

Report content

Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
    No notes for slide

Transcript

  • 1. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4Chương 4 PHÁ HUỶ ĐIỆN MÔI Dưới tác động của điện trường ngoài, trong điện môi sẽ xảy ra các hiện tượng phân cực,dẫn điện và tổn hao. Khi điện áp đặt càng cao thì dòng điện rò càng lớn, dòng điện dung cũngtăng theo (trong trường hợp điện môi hoạt động ở điện áp xoay chiều), tổn hao năng lượng trongđiện môi cũng tăng theo tương ứng. Nhưng ở các phần trước đã nêu các giả thiết rằng khi tăngđiện áp đặt lên điện môi không làm cho điện môi thay đổi tính chất cách điện. Tuy nhiên tính cách điện của điện môi không thể giữ được điện áp vô hạn mà không thayđổi tính chất. Nếu như chúng ta tăng điện áp đặt lên cách điện tới một mức nào đó thì sẽ xảy raphá huỷ chọc thủng điện môi. Trong trường hợp này dòng điện dẫn qua cách điện sẽ tăng mộtcách mạnh mẽ. I P U Uct Đặc tính Volt-Ampe của cách điện Khi xảy ra chọc thủng sẽ hình thành kênh dẫn chọc thủng mà trên thực tế là ngắn mạchgiữa hai điện cực. Điện áp lớn nhất Uct đặt lên điện môi ở thời điểm chọc thủng được gọi là điệnáp chọc thủng. Điện áp chọc thủng cách điện phụ thuộc vào độ dày của điện môi, độ dày của lớp điệnmôi càng lớn thì điện áp chọc thủng càng cao. Điện môi khác nhau có cùng độ dày sẽ có điện ápchọc thủng khác nhau. Điều này là cơ sở để đưa ra các tham số của vật liệu cách điện và xác địnhkhả năng chịu chọc thủng. Độ bền điện Ect. U E ct = ct h U ct = E ct .h Độ bền điện của điện môi có thể được xem như cường độ chọc thủng của điện trường hayta có cường độ điện trường trong điện môi tại vị trí và thời điểm chọc thủng. Như đã biết, giá trị Ect của vật liệu phụ thuộc vào độ dày h, Uct tăng theo độ dày khôngphải theo tỷ lệ thuận. Câu hỏi còn trở nên phức tạp hơn khi xác định Ect ở điện trường khôngđồng nhất. Cũng như các tham số khác Ect có thể phụ thuộc vào nhiều yếu tố khác: nhiệt độ, độẩm, tần số của điện áp, thời gian đặt điện áp... Để thiết bị điện làm việc dưới điện áp có độ tin cậy cao thì điện áp làm việc Up phải nhỏhơn điện áp chọc thủng. Hệ số Uct /Up được gọi là hệ số dự trữ của độ bền cách điện. 4.1 Phá huỷ điện môi khí. Không khí là môi trường cách điện của những thiết bị điện, điện tử khác nhau. Trongnhững trường hợp khi những thiết bị làm việc gần bề mặt trái đất, thì các quá trình vật lý trongkhông khí xảy ra ở điều kiện áp suất bình thường. Tuy nhiên trong kỹ thuật điện, điện tử thườngxuyên xảy ra điều kiện làm việc ở áp suất cao, hoặc rất thấp. 4.1.1 Diễn biến chung của quá trình phóng điện. 1. Ion hoá chất khí. 44
  • 2. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 Mọi quá trình phóng điện trong chất khí đều được bắt nguồn từ hiện tượng ion hoá các phần tử khí trung tính. Đó là hiện tượng phân ly phân tử thành ion dương và điện tử hay nói cách khác là hiện tượng tách điện tử ra khỏi phân tử. Để giải thoát điện tử ra khỏi phân tử phải cung cấp điện tử một năng lượng đủ lớn theo điều kiện: W ≥ Wi WI- năng lượng ion hoá. Lý thuyết phóng điện trong chất khí được xây dựng trên cơ sở các dạng ion hoá sau đây: −Ion hoá va chạm: Là hiện tượng ion hoá gây nên bởi va chạm, chủ yếu là va chạm của điện tử với phân tử khí. Khi đặt điện môi trong điện trường E dưới tác dụng của lực điện trường F=q.E thì điện tử di chuyển ngược chiều với chiều của điện trường: W=q.E.x x- quảng đường di chuyển. Sự ion hoá xảy ra khi: W = q.E.x ≥ Wi = q.W.x i Wi x ≥ xi = q.E −Ion hoá quang: Là hiện tượng ion hoá mà năng lượng của điện tử nhận được từ các bức xạ quang học. Nếu gọi λ, γ là bước sóng và tần số của bức xạ quang học. Năng lượng của bức xạ quang học: c.h W = h.γ = λ c- tốc độ ánh sáng. h- hằng số Plank. h=6,5.10-27Hz/s. Điều kiện ion hoá được viết dưới dạng: c.h λ≤ Wi Nếu nhìn nhận ánh sáng dưới dạng hạt thì ion hoá quang cũng là một dạng ion hoá va chạm với các hạt phôton. −Ion hoá bề mặt: Là hiện tượng giải thoát điện tử bề mặt các điện cực kim loại. Năng lượng cần thiết để tiến hành ion hoá bề mặt được gọi là công thoát Wth. Trị số` công thoát phụ thuộc vào vật liệu làm điện cực và trạng thái bề mặt của điện cực. Trong phóng điện chất khí ion hoá bề mặt được thực hiện chủ yếu bởi sự bắn phá bề mặt âm cực của các ion dương và phôton mà các hạt này là sản phẩm của quá trình ion hoá va chạm và ion hoá quang nêu trên. 2. Diễn biến của phóng điện. Ion hoá va chạm là nhân tố cơ bản của quá trình phóng điện trong chất khí. Nhằm đơn giản hoá trong tính toán đã sử dụng một số giả thiết sau đây: −Điện tử sau mỗi lần va chạm với phân tử khí dù có hay không gây ra ion hoá đều mất đi toàn bộ năng lượng. −Trước khi bị ion hoá các phân tử khí đều ở trạng thái bình thường , như vậy ta không xét khả năng ion hoá các phân tử khí đã bị kích thích. −Quỹ đạo của điện tử là đường thẳng và có phương ngược chiều với phương điện trường. −Không xét khả năng gây ion hoá va chạm của ion dương do đoạn đường tự do của chúng quá ngắn so điện tử. 45
  • 3. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 −Hệ số ion hoá va chạm của điện tử- hệ số α Khả năng gây ion hoá của các phân tử khí do va chạm của điện tử được đặc trưng bởi hệ số ion hoá va chạm đó là số lần gây ion hoá va chạm của điện tử khi nó đi đoạn đường 1cm trong môi trường khí có mật độ phân tử N/cm3 dưới tác dụng của điện trường E. Có thể dễ dàng nhận thấy hệ số α được xác định bởi tích số giữa số lần va chạm của điện tử với các phân tử khí với xác suất để các va chạm đó gây ion hoá phân tử khí.  Xác định số lần va chạm: Xem điện tử và phân tử khí như là một khối cầu có bán kính r e và r. Trên mặt phẳng để có va chạm giữa điện tử với các phân tử khí thì khoảng cách giữa các tâm của chúng phải bằng hoặc bé hơn tổng các bán kính. Như vậy những phân tử khí nào có tâm điểm nằm trong hình tròn có diện tích π(re + r)2 sẽ phát sinh va chạm với điện tử và khi điện tử di chuyển trên đoạn đường 1cm thì mọi phân tử khí có tâm nằm trong hình trụ có đáy là hình tròn diện tích π(re + r)2 và chiều cao 1cm sẽ phải va chạm với phân tử đó. r re 1cm a Số lượng các phân tử khí này được xác định bởi: S = π( re + r ) 2 .1.N Do re<<r nên: S = πr 2 N Có thể nhận thấy S cũng là số lần va chạm của điện tử với phân tử khí khi nó đi đoạn đường 1cm và từ đó sẽ xác định được đoạn đường tự do(khoảng cách giữa hai lần va chạm kế tiếp nhau) trung bình của điện tử: 1 1 λ= = 2 S πr N Thay thế mật độ phân tử N của chất khí bởi: P N= kT P- áp suất khí. T- nhiệt độ tuyệt đối (oK). k- hằng số Boltzman, k=1,37.10-16arg/oK. Thì số lần va chạm và đoạn đường tự do trung bình sẽ được biểu thị theo: k.T 1 λ= 2 = πr P A.P πr 2 A= k.T S = A.P A- được xem là hằng số khi không xét đến sự biến thiên của nhiệt độ. 46
  • 4. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 Công thức trên cho thấy số lần va chạm tăng theo áp suất trong khi đó độ dài đoạn đường tự do trung bình lại giảm khi áp suất tăng cao. Phân bố của đoạn đường tự do: Đoạn đường tự dothực có thể dài hơn hoặc ngắn hơn đoạn đường tự - - do trung bình được xác định theo - + các công thức trên. Để xác định luật phân bố hãy xét ví dụ sau: - - U Giả thiết tại x=0 (cực âm) có no điện tử: dưới tác dụng của điện trường E = chúng sẽ Sbay xuyên qua lớp khí có mật độ N phân tử/cm3 để tới cực dương. Khi bay như vậy chúng sẽ phát sinh va chạm với các phân tử khí. Dễ dàng nhận thấycàng đi xa khỏi cực âm thì số điện tử đã va chạm với phân tử khí sẽ tăng và ngược lại số điện tửchưa từng va chạm với phân tử khí sẽ giảm dần. Nếu ở toạ độ x số điện tử chưa bị va chạm là n số này có đoạn đường tự do > x thì viphân dn trên đoạn đường dx tiếp theo sẽ là: dn = − n.S.dx n.dx dn = − λ Phương trình vi phân trên cho kết quả: x − n = n o .e λhoặc viết: x n − =e λ no Công thức trên một mặt biểu thị phân bố của số điện tử chưa bị va chạm mặt khác cònxác định sự phân bố của độ dài đoạn đường tự do: x − ζ ( x ) = P{ ââtd > x } = e λ Từ đó có thể xác định được xác suất ion hoá va chạm đó là xác suất để đoạn đường tự docó độ dài ≥ xI : Wi − xi − ζ( x i ) = e λ =e q . E .λ B .ρ − ζ( x i ) = e E W B= i q Cuối cùng hệ số ion hoá va chạm được xác định bởi: α = S .ζ ( x i ) B .ρ − α α = A .P .e E α αmax Hoặc viết dưới dạng tổng quát: α E  = f  P P A.P 47 0 Pm 0 P E
  • 5. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 Quan hệ α( E ) khi p=const được trình bày như hình trên. Hệ số α tăng theo điện trường làdo điện tử tích luỹ được năng lượng cao và đặc biệt khi điện trường đủ lớn thì mọi va chạm đềugây ion hoá phân tử khí và hệ số α đạt giá trị tới hạn: α = S = A.P  Hình thành và phát triển của thác điện tử: Kết quả của các lần ion hoá va chạm là làm xuất hiện các điện tử mới (và các ion dương),những điện tử này sẽ phải chiụ lực tác dụng của điện trường... di chuyển và tích luỹ năng lượngvà khi đạt được điều kiện W≥WI hoặc x≥xI sẽ gây ion hoá các phần tử khí khác. Dưới đây sẽ khảo sát qui luật tăng của số điện tích trong khe hở giữa hai điện cực vàphân bố của chúng trong không gian. Giả thiết lúc ban đầu có tồn tại một Eđiện tử ở khu vực cực âm. Điều này khôngtrái với thực tế vì như đã nêu ở trên do quátrình ion hóa quang tự nhiên trong lớp khíquyển luôn có điện tử tự do. Điện tử nói trên _ eđược gọi là điện tử khởi đầu vì là điện tử _đầu tiên gây ra ion hóa các phân tử khí. Nếun là số điện tử ở tọa độ x thì vi phân dn sẽđược xác định bởi: n dn = n.α.dx Từ đó ta được: E 0 x x x _ ∫ α.dx + n = e0 Và số ion dương sẽEbằng: n-1. Ei a e Các ion dương và điện tử được sản sinh từ quá trình ion hoá sẽ phân bố trong một miền xxác định gọi là thác điện tử. E b Ee Ei x 0 s E E+EI+Ee c 48 x 0 s
  • 6. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 Điện tử tự do nhẹ nên khuếch tán dễ dàng trong không gian rộng lớn ở đầu thác. Còn iondương với khối lượng nặng nề sẽ di chuyển chậm chạp và giới hạn trong miền hẹp ở đuôi thác.Các điện tích không gian của thác sẽ tạo nên các điện trường phụ: điện trường Ee của điện tử vàđiện trường EI của ion dương. Dưới tác dụng của điện trường thác sẽ phát triển chẳng những về kích thước hình học màcòn về số lượng điện tích chứa bên trong. Khi thác tiếp cận với cực dương thì số lượng điện tích xsẽ đạt tới giá trị ∫ α.dx nhưng đây cũng là lúc mà thác điện tử triệt tiêu do các điện tích sẽ được e0trung hoà ở các điện cực khác nhau.  Sự hình thành của phóng điện: Hiện tượng phóng điện chỉ xảy ra khi có nhiều thác điện tử và phải sao cho các thác mớixuất hiện trước khi các thác cũ bị triệt tiêu. Như đã nêu ở trên nguồn các điện tử khởi đầu của thác mới sẽ là quá trình ion hoá quangvà ion hoá bề mặt gây nên bởi photon được sản sinh ở khu vực đầu và sau đầu các thác cũ. Mộtnguồn thác cũng rất quan trọng là các quá trình ion hoá bề mặt do sự bắn phá của ion dương vàobề mặt cực âm. Khi áp suất khí thấp thì điện tử khởi đầu được sản sinh chủ yếu là do quá trình ion hoá bềmặt của ion dương và phôton vì các hạt này có thể dễ dàng bay tới cực âm mà không bị các phântử khí ngăn cản, hấp thụ. Ngược lại, khi áp suất khí trong khe hở tăng cao lớp dày đặc các phân tử khí sẽ chặnkhông cho các ion dương và phôton bay tới cực âm và nguồn sản sinh điện tử khởi đầu chỉ có thểlà quá trình ion hoá quang, xảy ra ở các khu vực đầu và sau đầu thác cũ. Do tác dụng của điện trường và tác dụng lẫn nhau chúng sẽ liên kết lại để hình thànhplasma có mật độ điện tích lớn nối liền các điện cực. Môi trường trong khe hở lúc này mất hẳnkhả năng cách điện và trở thành môi trường dẫn điện như một khối kim loại. Tuy nhiên, các điện tích khác dấu trong dòng plasma có thể kết hợp với nhau để trở thànhcác phần tử trung tính... và như vậy để duy trì tính dẫn điện của plasma phải đảm bảo có quá 49
  • 7. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4trình ion hoá liên tục nhằm sản sinh các điện tích mới bù trừ cho số điện tích đã tham gia quátrình kết hợp. 4.1.2 Phóng điện trong điện trường đồng nhất và gần đồng nhất. Như đã nêu ở trên, nhân tố cơ bản của quá trình phóng điện trong chất khí là ion hoá vachạm và tham số có ý nghĩa quyết định đối với phóng điện là hệ số ion hoá va chạm α. Trong điều kiện áp suất và nhiệt độ giữ không đổi thì hệ số này chỉ phụ thuộc vào trị sốcủa cường độ điện trường E. Vì cường độ điện trường không những được xác định bởi điện áp mà còn bị ảnh hưởngbởi phân bố trường trong khe hở do đó cần nghiên cứu phóng điện trong các trường hợp khácnhau của phân bố trường. Trong điện trường đồng nhất, trường phân bố đều tại khắp nơi nên: U E ( x ) = = const s α ( x ) = const Trong thực tế rất khó đạt được trường đồng nhất mà chỉ có thể là điện trường gần đồngnhất. Để có khái niệm cụ thể xét phân bố trường trong tụ điện hình trụ có điện cực là hình trụđồng trục: E E(x) r x R Cường độ điện trường tại điểm cách tâm khoảng cách x (r ≤ x ≤ R) U E= R x ln r Từ công thức trên sẽ xác định được điện trường cực đại xuất hiện tại điểm A. còn điệntrường cực tiểu trong khe hở là tại điểm B: U E max = R r ln r U E min = R R ln r Phân bố trường được xem như gần đồng nhất là khi mà các giá trị E max, Emin chênh lệchnhau không nhiều. Như trong trường hợp của tụ điện hình trụ thường qui định Emax /Emin ≤2. Từđó ta được: R ≤ 2r 4.1.3 Phóng điện trong điện trường không đồng nhất. Đặc điểm trong điện trường không đồng nhất là sự phân bố không đều của cường độ điệntrường trong không gian giữa hai điện cực. 50
  • 8. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 • Diễn biến của phóng điện: Phóng điện trong điện trường không đồng nhất có các đặc điểm sau: Do sự tăng cục bộ của điện trường ở lân cận điện cực có bán kính cong bé (mũi nhọn) nên tại đó dễ xảy ra ion hoá và tiếp theo đó là sự hình thành thác điện tử và dòng plasma. Đó là nguyên nhân khiến cho điện áp phóng điện trong điện trường không đồng nhất thấp hơn nhiều so với điện áp phóng điện trong điện trường đồng nhất ở khe hở khí có cùng khoảng cách a. E _ e _ n 0 x x 4.1.4 Phóng điện ở điện áp xung. Ở các phần trên ta đã nghiên cứu phóng điện trong chất khí khi điện áp tác dụng là điệnáp một chiều và xoay chiều. Trong thực tế điện áp tác dụng còn có thể ở dạng xung gây nên bởiphóng điện sét vào đường dây trên không hoặc vào các trạm biến áp ngoài trời của hệ thốngđiện. u u/U 1 0,9 0,5 0,3 Uo to t1 t2 0 τds t ttk tht t τs tp τs- độ dài sóng. τds- thời gian đầu sóng. ttk- thời gian chậm trễ thống kê. tht- thời gian hình thành phóng điện. Ở đầu sóng điện áp tăng nhanh từ 0 tới trị số cực đại U và sau đó ở đuôi sóng điện ápgiảm chậm τ âs Dạng sóng xung được biểu thị bởi tỷ số . Thời gian tác dụng củ điện áp quá ngắn τs(trên dưới 1% µs ) đã gây ảnh hưởng rất lớn đến quá trình phóng điện. 51
  • 9. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 Ảnh hưởng của điện áp đối với thời gian hình thành phóng điện được thể hiện bởi hệ số ion hoá va chạm tăng theo điện trường khiến cho các quá trình ion hoá hình thành thác điện tử và dòng plasma được phát triển thuận lợi và nhanh chóng hơn nhiều. Sự phụ thuộc của thời gian hình thành phóng điện vào điện áp hay nói cách khác sự thay đổi của giá trị điện áp phóng điện theo thời gian phóng điện trong điều kiện áp suất, nhiệt độ và khoảng cách cực giữ không đổi dẫn đến việc xuất hiện một đặc tính rất quan trọng của cách điện ở điện áp xung- đặc tính "Volt-giây"(V-s). Đó là quan hệ giữa biên độ điện áp tác dụng với thời gian phóng điện. u u Đặc tính (V-s) được xác định tương ứng một dạng sóng thống nhất và biên độ tăng dần nếu phóng điện xảy ra ở đuôi sóng thì điện áp phóng điện sẽ lấy bằng biên độ của điện áp tác dụng còn khi phóng điện xảy ra ở đầu sóng thì sẽ lấy theo giá trị tức thời. Do tính tản mạn của thời gian phóng điện sẽ nhận được từ thực nghiệm không phải là 0 tmột đường mà1 là một miền đặc tínt V-s.0 t t2 4 3 t h t4t3 t2 t1 t τds u 2 1ui 4.1.5 Phóng điện dọc theo bề mặt điện môi rắn. Khi điện môi rắn được đặt trong không khí thì quá trình phóng điện men theo bề mặt điện môi rắn - nơi tiếp xúc với không khí sẽ xảy ra trước tiên với trị số điện áp phóng điện béu50 hơn rá6t nhiều so với điện áp chọc thủng khe hở khí cũng như so với điện áp chọc thủng điện môi rắn. b 0 t1 t2 8÷10µ t c a 52 s
  • 10. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 4.2 Phá huỷ điện môi lỏng. Chất cách điện lỏng khi sạch có độ bền điện rất cao hàng trăm kV/cm. Tuy nhiên khi cótạp chất thì độ bền điện giảm sút rất nhanh và diễn biến của quá trình phóng điện chọc thủngkhác hẳn so với khi chất lỏng sạch. Vì mật độ phân tử trong chất lỏng rất lớn so với trong chất khí nên đoạn đường tự do củađiện tử rất ngắn và do đó để có thể gây ion hoá va chạm thì điện trường và điện áp tác dụng phảicó trị số cao hơn nhiều so với số liệu về phóng điện trong chất khí. Khi chất lỏng có chứa tạp chất như các bọt khí, ẩm, sợi tơ... phóng điện được giải thíchbởi sự hình thành các cầu nối dẫn điện giữa các điện cực. Xét trường hợp khi chất lỏng có chứa bọt khí giả thiết có hình cầu. Do hằng số điện môicủa chất khí bé hơn so với của chất lỏng nên cường độ điện trường trong bọt khí tăng cao, dẫnđến quá trình ion hoá các phân tử khí. Sự di chuyển của các điện tích trái dấu trong bọt khí do tác dụng của điện trường sẽ kéotheo sự biến dạng bọt khí từ hình cầu trở thành hình elip... và sự liên kết giữa nhiều bọt khí elipsẽ dẫn đến sự hình thành cầu dẫn điện nối giữa các điện cực. Lý thuyết phóng điện nêu trên được minh hoạ bằng các kết quả thực nghiệm sau đây:  Độ bền điện của dầu biến áp sạch có thể đạt tới 20-25 kV/mm nhưng chỉ cần lượng ẩm trong dầu vượt quá giới hạn 0,05% thì độ bền điện chỉ có 4 kV/mm tức là giảm từ 5 đến 6 lần.  Ở điện áp xung độ bền điện hầu như không thay đổi cho dù trong dầu có tạp chất. Điều đó được giải thích bởi các cầu dẫn điện không được hình thành trong khoảng thời gian tác dụng của điện áp xung.  Sự biến thiên của điện áp chọc thủng theo nhiệt độ được biểu thị như hình dưới: Đối với dầu sạch điện áp chọc thủng hầu như không thay đổi theo nhiệt độ khi nhiệt độ không quá 80oC. khi dầu bị ẩm điện áp phóng điện chọc thủng biến thiên như đường số 2 và có giá trị cực đại ở nhiệt độ mà tại đó các hạt nước chuyển sang trạng thái hoà tan trong dầu. Uct 1 1 P 2 toC -40 0 40 60 120 4.3 Phá huỷ điện môi rắn. Cơ chế phóng điện trong điện môi rắn khác nhau tuỳ thuộc vào các hoàn cảnh cụ thể và được phân loại như sau:  Phóng điện do điện trong điện môi đồng nhất.  Phóng điện do điện trong điện môi không đồng nhất.  Phóng điện do nguyên nhân điện hoá.  Phóng điện do nguyên nhân điện nhiệt. 1. Phóng điện do điện trong điện môi đồng nhất. Dạng phóng điện này xảy ra tức thời và không gây tăng nhiệt ở mẫu vật liệu. 53
  • 11. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 Dưới tác dụng của điện trường các điện tử tự do sẽ tích luỹ năng lượng khi va chạm vớimạng tinh thể của vật liệu sẽ giải thoát điện tử từ các mạng tinh thể đó và tiếp theo là quá trìnhhình thành thác điện tử và tia lửa điện... Độ bền điện trong trường hợp này đạt trị số rất cao đặc biệt trong loại vật liệu có liên kếttinh thể vững chắc. Uct(kV) 100 1 Khi điện trường phân bố không 80đồng nhất độ bền điện và điện áp chọc 60thủng giảm đi rất nhiều. Ở hình bên: đường 1 ứng với 40khi trường đồng nhất, đường 2 khi 2 20 h(mm)trường không đồng nhất. 0 0,1 0,2 0,3 0,4 2. Phóng điện do điện trong điện môi không đồng nhất. Do chế tạo trong các vật liệu cách điện thể rắn thường xuất hiện các khuyết tật dưới dạngbọt khí có kích thước và hình dáng khác nhau. Đặc biệt là ở các vật liệu xốp thì số lượng bọt khírất lớn và chiếm tỷ lệ đáng kể trong toàn bộ thể tích của vật liệu. Vì hằng số điện môi của chất khí bé hơn hằng số điện môi của môi trường vật liệu xungquanh nên sẽ có sự tăng cục bộ của điện trường trong các bọt khí dẫn đến các quá trình ion hóavà phóng điện cục bộ... Các quá trình trên sẽ tạo điều kiện thuận lợi cho sự phát triển của phóng điện chọc thủngtoàn khối điện môi và kết quả là độ bền điện giảm đi rất nhiều so với các điện môi có kết cấuđồng nhất. Vật liệu Độ bền điện ở tần số công nghiệp và khi Ghi chú điện trường đồng nhất (kV/mm)Thuỷ tinh 100-300Mica 100-90 Điện môi kết cấu không đồngVật liệu gốm 10-30 nhất.Băng mica 10-20 Điện môi kết cấu không đồngGỗ 4-6 nhất.Giấy cáp chưa 7-10ngâm tẩm. Uct,Ect Uct(h) Ect(h) h Quan hệ của điện áp chọc thủng và độ bền điện theo chiều dày của mẫu vật liệu. 3. Phóng điện do nguyên nhân điện hoá. Dạng phóng điện này chỉ xuất hiện trong trường hợp khi vật liệu cách điện làm việc trongmôi trường có nhiệt độ và độ ẩm cao. Quá trình điện phân phát triển trong nội bộ vật liệu sẽ làmgiảm điện trở cách điện. Sự biến đổi này là không thuận nghịch nghĩa là phẩm chất cách điện 54
  • 12. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4không thể phục hồi được. Đó là hiện tượng biến già của điện môi trong điện trường, độ bền điệngiảm dần dần và cuối cùng điện môi bị chọc thủng ở điện áp thấp hơn nhiều so với trường hợpphóng điện do điện. 4. Phóng điện do nguyên nhân điện nhiệt. Phóng điện do nguyên nhân điện- nhiệt được biểu hiện bởi sự phóng điện có kèm theotăng nhiệt độ ở mẫu vật liệu. Dưới tác dụng của điện trường tổn hao trong điện môi sẽ nung nóngvật liệu và khi cường độ điện trường đạt tới giới hạn nào đó thì nhiệt độ sẽ tăng cao tới mức đủđể gây nên các phân hủy do nhiệt và biến dạng cơ học trong nội bộ điện môi. Những biến đổinày sẽ làm tăng thêm điện dẫn và do đó tổn hao điện môi càng tăng. Nhiệt độ tiếp tục tăng caokhiến cho các quá trình phân huỷ do nhiệt và biến dạng cơ học càng trầm trọng thêm, cuối cùngsẽ dẫn đến phóng điện chọc thủng. Xét trường hợp mẫu vật liệu mỏng có độ dày h, điện tích mặt S, và hằng số điện môi ε.Trị số điện áp phóng điện do nhiệt điện chọc thủng mẫu vật liệu này được xác định dựa trên cácgiả thiết sau đây: • Do mẫu vật liệu mỏng nên nhiệt độ phân bố đều trong toàn khối điện môi và cả trên bề mặt mẫu. Ở giá trị điện áp U tức là điện trường E=U/h - nhiệt độ này có trị số t trong khi đó nhiệt độ môi trường to. • Cũng do mẫu vật liệu mỏng nên tản nhiệt được xem như chỉ xảy ra theo phương thẳng đứng. tooC Sự biến thiên của tổn hao S toC điện môi theo nhiệt độ được biểu thị dướ d i dạng: U ε h - tổn hao điện môi ở nhiệt độ t tgδ o − tổn hao điện môi ở nhiệt độ to. α - hằng số. Ở điện áp U nhiệt lượng đốt nóng điện môi có trị số: P = ω.C.U 2 .tgδ nhiệt lượng toả ra môi trường xung quanh sẽ bằng: Q = 2.σ.S.( t − t o ) σ − hệ số tản nhiệt (π/cm2.grad) còn thừa số 2 biểu thị điện tích tản nhiệt ở cả mặttrên và mặt dưới của mẫu vật liệu. Khi tgδ(t) được biểu thị bởi công thức trên thì các quan hệ của P, Q theo nhiệt độ nhưsau: P,Q P,Q Q(t) Giao điểm của đường cong P, Q cho các nhiệt độ: B B • Nhiệt độ làm việc tlv- tạP(t) có sự cân bằng nhiệt ổn định giữa P và Q. i đó P(U3) A P(U2) P(U) ∆t o P(U1) U1<U2<U355 toC tC A 0 t lv t th 0
  • 13. Bài giảng: Vật Liệu Kỹ Thuật Điện Chương 4 • Nhiệt độ tới hạn tth- tại nhiệt độ này cũng đạt cân bằng nhiệt nhưng không ổn định vì t>tth thì nhiệt lượng phát nóng lớn hơn nhiệt lượng tản khiến cho nhiệt độ tăng liên tục và dẫn đến phá huỷ điện môi. Như vậy hiệu số nhiệt độ ∆t=tth-tlv biểu thị độ dự trữ về ổn định nhiệt khi điện môi làm việc ở điện áp U. Để xác định điện áp chọc thủng Uo cho điện áp lấy các giá trị khác nhau. Khi điện áp tăngthì các đường cong P(t) sẽ di chuyển lên phía trên và ở điện áp U3>Uo sẽ không tồn tại cân bằngnhiệt. Nhiệt độ tăng liên tục tới khi điện môi bị phân huỷ hoàn toàn do nhiệt. Điện áp phóng điệnchọc thủng khởi đầu Uo được xác định theo điều kiện khi hai đường P và Q chỉ có một điểm tiếpxúc với nhau: Tại đó: P(t) = Q(t) P’(t) = Q’(t) Từ đó viết được: ωCU o tgδ o .e α ( t − t o ) = 2σS( t − t o ) 2 ωCU o tgδ o .e α ( t − t o ) = 2σS 2 σ.S nếu thay thế: C = h 2σh sẽ được: Uo = ωεtgδ o αe Công thức này chỉ sử dụng cho mẫu vật liệu có bề dày bé. 56