Datos rápidos y valores límite de transistor bipolar
1. DATOS DE REFERENCIA RÁPIDOS
SIMBOLO PARAMETRO CONDICION MIN TYP. MAX UNIDADES
-VEB2 VOLTAJE EMISOR-BASE2 - - 30 V
IEM CORRIENTE DE EMISOR VALOR - - 2 A
PICO
Ptot PODER TOTAL DE DISIPACION - - 300 mW
Tj TEMPERATURA DE UNION - - 125 °C
RBB RESISTENCIA ESTATICA ENTREBASE VB2B1=3V - 7 - Kohm
IE=0
VEB1sat VOLTAJE DE SATURACION EMISOR- VB2B1=10V - 3.5 - V
BASE1 IE=50 mA
IE(V) CORRIENTE EMISSOR PUNTO VALLE 4 6 - mA
IE(P) CORRIENTE EMISOR PUNTO PICO - 1 5 uA
2. VALORES LÍMITES
SIMBOLO PARAMETROS CONDICION MIN MAX UNIDADES
-VEB2 VOLTAJE EMISOR BASE2 - 30 V
VB2B1 VOLTAJE ENTRE BASE - 35 V
IE CORRIENTE EMISOR VALOR - 50 mA
MEDIO
IEM CORRIENTE EMISOR (NOTA1) VALOR PICO - 2 A
Ptot POTENCIA DE DISIPACION(NOTA2) Tamb<=25 °C - 300 mW
Tstg RANGO DE ALMACENAMIENTO DE -65 150 °C
TEMPERATURA
TJ TEMPERATURA DE UNION - 125 °C
NOTA:
1. DESCARGA DE CONDENSADOR<=10uf a <=30 V
2. DEBE SER LIMITADO POR CIRCUIT O EXTERNO
3. CARACTERISTICAS
Tamb=25 °C a menos que se especifique de otra manera
SIMBOLO PARAMETROS CONDICION MIN TYP MAX UNIDADES
RBB RESISTENCIA ESTATICA ENTRE BASE VB2B1=3V 4.7 7 9.1 Kohm
IE=0
TCRBB COEFIENTE DE TEMPERATURA DE VB2B1=3V 0.1 - 0.9 %/K
RESISTENCIA ENTRE BASE IE=0
Tamb=-55 a 125
°C
-IEB2O CORRIENTE EMISOR CORTE-OFF -VEB2=30V - - 12 V
IB1=0
VEB1sat VOLTAJE DE SATURACION EMISOR- VB2B1=10V - 3.5 - V
BASE1
IB2mod CORRIENTE MODULACION ENTRE VB2B1=10V - 15 - mA
BASE IE=50mA
n Entrada/salida ratio(NOTA1) VB2B1=10V 0.56 - 0.75
IE(V) CORRIENTE EMISOR PUNTO VALLE VB2B1=20V 4 6 - mA
RB2=100ohm
IE(P) CORRIENTE EMISOR PUNTO PICO VB2B1=25V - 1 5 uA
VOB1M Voltaje impulso/salida base1 3 5 - V