3.4. Configuración en Emisor Común
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Teoría acerca de la configuración en Emisor Común del Transistor

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    3.4. Configuración en Emisor Común 3.4. Configuración en Emisor Común Presentation Transcript

    • Universidad Politécnica de Chiapas Ing. Biomédica Fundamentos de Electrónica Ing. Othoniel Hernández OvandoCONFIGURACIÓNEMISOR COMÚN Suchiapa, 22 de Febrero de 2012
    • Configuración Emisor ComúnLa terminología de EC se deriva del hecho deque el emisor es común tanto a la entradacomo a la salida de la configuración.El emisor se conecta a las masas tanto de laseñal de entrada como a la de salida.
    • Configuración Emisor ComúnEl emisor es común a la entrada (base-emisor) y a la salida (colector-emisor).
    • Configuración Emisor ComúnPara describir el comportamiento de laconfiguración EC, se requiere de dosconjuntos de características: Parámetros de Entrada Parámetros de Salida
    • Parámetros de EntradaSe relaciona lacorriente de entrada(IB) con el voltaje deentrada (VBE) paravarios niveles devoltaje de salida (VCE). Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE = 0.7V
    • Parámetros de SalidaSe relaciona lacorriente de salida(IC) con el voltajede salida (VCE) paravarios niveles decorriente deentrada (IB).
    • Región ActivaLa unión colector-emisor se polarizainversamente, mientras que la unión base-emisor se polariza directamente.Esta es la región más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como amplificador.
    • Región ActivaLa corriente de emisor, que es la corrientede salida, está formada por la suma de lacorriente de base y la de colector: IE = IC + IBEn la configuración EC, también semantiene la relación siguiente que se usóen la configuración BC: IC = 𝜶IE
    • Región de CorteTanto la unión base-emisor como la unióncolector-emisor de un transistor tienenpolarización inversa.
    • Región de CorteEn la región de corte la IC no es igual a cero cuando IB escero.Para propósitos de amplificación lineal (la menordistorsión), el corte para la configuración EC se definirámediante: IC = ICEO Para IB = 0µALa región por debajo de IB = 0µA debe evitarse si serequiere una señal de salida sin distorsión.
    • Región de Corte
    • Región de SaturaciónTanto la unión base-colector como la uniónbase-emisor de un transistor tienenpolarización directa.
    • Región de SaturaciónCuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a quelas uniones están en polarización directa, las corrientes seanulan.Un transistor está saturado cuando: (IC = IE = IMáxima)
    • Región de Saturación
    • Ganancias de Corriente Emisor Base Común Común Ganancia Ganancia 𝜶 (alfa) 𝛽 (Beta)
    • Ganancia de Corriente 𝛽 (beta) La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la de entrada (IB) 𝐼𝐶 𝛽= 𝐼𝐵 La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que la corriente de salida (IC) es mayor que la corriente del entrada (IB). Suele tener un rango entre 40 y 400, con la mayoría dentro del rango medio.
    • Ganancia de Corriente 𝛽 (beta) 𝛽 es un parámetro importante porque ofrece una relación directa entre los niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida en EC. 𝐼 𝐶 = 𝛽𝐼 𝐵 Y dado que IE = IC + IB IE = 𝛽IB + IB Se tiene que 𝐼𝐶 = 𝛽 + 1 𝐼𝐵
    • Relaciones entre 𝜶 y 𝛽Es posible establecer una relación entre 𝜶 y 𝛽utilizando las relaciones dadas anteriormente. 𝛽 𝛼 𝛼= 𝛽= 𝛽+1 1− 𝛼La ganancia 𝛽 es proporcionada por el fabricante y también esconocida como hFE.
    • Ganancia de VoltajeLos amplificadores con emisor a tierra puedenproporcionar ganancias de voltaje y de potencia muchomayores que los de base común. 𝑉𝐶 𝑅𝐶 𝐺𝑉 = =− 𝑉𝐸 𝑅𝐸
    • Características Generales Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 700Ω y 1000Ω. Un poco más que la Base Común. • Alta impedancia de salida (ZOUT), entre (50kΩ). Más baja que la de Base Común. Alta ganancia de corriente entre 20 y 300 • Alta ganancia de voltaje.Impedancia (Z): Es la oposición al flujo de corriente eléctrica. Concepto “similar” a la resistencia.
    • Aplicaciones Configuración ECEs la configuración más usada, puesto queamplifica tanto corriente como voltaje.El más usado para circuitos de baja frecuencia,debido a la alta impedancia de entrada.Usado en amplificadores de audio y de altasfrecuencias de radio.