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  • 1. TRANSISTORES INGENIERIA DE SISTEMAS E INFORMATICA IV CICLO ELABORADO POR: Marlyn Margarita Peña Peña PROFESOR: Raúl Rojas Reátegui CURSO: Física Electrónica
  • 2. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc. TRANSISTORES
  • 3.  Equipos Electrónicos Perú-Adonde  AG Electrónica S.A. de C.V Componentes profesionales.  AD Electronics S.A.  Aiko Int.  A Y B INDUSTRIAL Y COMERCIAL LTDA.  ALFALED.  ASC ELECTRONICA S.A. COMPAÑIAS QUE VENDEN DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
  • 4. Transistor de contacto puntual Transistor de unión bipolar Transistor de efecto de campo Fototransistor Mosfet TIPOS DE TRANSISTORES
  • 5. Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
  • 6. Algunas características de los transistores de contacto puntual difieren del transistor de unión después: La base de la ganancia de corriente de un transistor de contacto común es de alrededor de 2 a 3, mientras que la de un de un transistor de unión bipolar es típicamente entre 0,98 y 0,998. Resistencia negativa diferencial. Cuando se utiliza en el modo saturado en la lógica digital, se enganchan en el on-estado, por lo que es necesario eliminar el poder por un breve periodo de tiempo en cada ciclo de la máquina que se les devuelva el estado de desconexión. CARACTERISTICAS
  • 7. El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector). TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR
  • 8. Transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico. En este tema se introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos básicos de estos dispositivos y su utilización en el análisis los circuitos de polarización. Polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo. Símbolos y sentidos de referencia para un transistor bipolar : a) NPN b) PNP CARACTERÍSTICAS
  • 9. El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
  • 10. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada. Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.
  • 11.  Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).  No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).  Hasta cierto punto es inmune a la radiación.  Es menos ruidoso.  Puede operarse para proporcionar CARACTERISTICAS
  • 12. Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: A. Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común); B. Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación). FOTOTRANSISTOR
  • 13. Las curvas de funcionamiento de un fototransistor son las que aparecen en la Fig. 3. Como se puede apreciar, son curvas análogas a las del transistor BJT, sustituyendo la intensidad de base por la potencia óptica incidente por unidad de área que incide en el fototransistor. Puede pensarse que la combinación de detección de luz y la función de amplificación en un solo dispositivo, es ya el sensor perfecto, pero esto no es cierto en muchas aplicaciones. Primero, es importante tener en cuenta que en el fototransistor la corriente de oscuridad también se multiplica por β. Una buena prueba de este hecho es una comparación de la irradiación cuando para varios fotodetectores. La respuesta en frecuencia de los fototransistores es menor que la de 1a combinación fotodiodo-amplificador. Esto es debido a la gran capacidad base-colector del fototransistor que toma una carga elevada que sólo puede descargarse por la corriente oscura, relativamente baja. Las curvas anteriores muestran que la región de funcionamiento lineal del fototransistor es varios órdenes de magnitud menor que en los fotodiodos. El problema de la linealidad y muchas otras limitaciones del fototransistor, se deben a la variación de con el nivel de corriente y la temperatura. CURVAS CARACTERISTICAS Fig. 3
  • 14. Estructura del MOSFET en donde se muestran las terminales de compuerta (G), sustrato (B), surtidor (S) y drenador (D). La compuerta está separada del cuerpo por medio de una capa de aislante (blanco). Dos MOSFETs de potencia con encapsulado TO-263 de montaje superficial. Cuando operan como interruptores, cada uno de estos componentes puede mantener una tensión de bloqueo de 120 voltios en el estado apagado, y pueden conducir una corriente continua de 30 amperios. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal- oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. MOSFET
  • 15. El término 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utilizó aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenzó a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos en la compuerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la compuerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field- effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es un poco más inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal- aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
  • 16. Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de los circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, ya que en casi todos los aparatos electrónicos se encuentran presentes. Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su aspecto físico, su estructura básica y las simbologías utilizadas, pudiendo concluir que todos son distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos de transistores. Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones para CONCLUSION
  • 17.  http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET  http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor  http://es.wikipedia.org/wiki/Fototransistor  http://www.garduza.mx/b302/index.php?option =comcontent&view=article&id=56&Itemid=168  http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efec to_campo FUENTES DE INFORMACION