Transistores mosfet configuracion y polarizacion

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Descripcion de su funcionamiento, modos de polarizacion, caracteristicas y principales aplicaciones.

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Transistores mosfet configuracion y polarizacion

  1. 1. TRANSISTORES MOSFETCONFIGURACIÓN Y POLARIZACIÓNCESAR SERRANO – JUAN CARLOS CABRERA G.
  2. 2. TIPOS DE MOSFET: MOSFET- TIPO DE EMPOBRECIMIENTO La corriente que fluye por el transistor ingresa por el surtidor (fuente), este la conduce por un sustrato (región tipo p) que es un canal angosto hasta llegar al drenador (tipo n). A la izquierda, hay una compuerta metálica llamada graduador (aislante). Por ser aislante, la corriente en el graduador es despreciable.
  3. 3. MODO DE EMPOBRECIMIENTO El transistor MOSFET efectúa el proceso anterior; VDD conduce los electrones del surtidor al drenador a la izquierda del sustrato tipo P. La tensión del graduador puede regular la corriente que pasa por el canal.
  4. 4. CURVAS DE DRENADOR:Las curvas de la parte superior son de voltaje VGS positivomientras que las inferiores son de voltaje VGS negativo. Laultima curva es la de VGS (apag); esta indica que la corrientede drenador es aproximadamente cero.Cuando esta el voltaje entre VGS (apag) y cero esta en modode operación de empobrecimiento.
  5. 5. POLARIZACION DE MOSFET DELTIPO DE EMPOBRECIMIENTOSe establece un punto Q en Vgs=0, por lo tanto, una señal deCA que entra por el graduador produce variaciones arriba yabajo del punto Q. Es una ventaja cuando Vgs=0 porque asíse puede polarizar y se puede utilizar este circuito en dondeel graduador y el surtidor no necesitan voltaje.
  6. 6. CUATRO VENTAJAS Y APLICACIONES1. Amplificar señales 2. Si la impedancia pequeñas casi igual de entrada de como los transistores JFET. un JFET no es suficientemente alta se puede3. Un transistor MOSFET es utilizar un un amplificador MOSFET. separador casi ideal porque el graduador aislado significa que la 4. Excelentes resistencia de entrada se propiedades de aproxima a infinito. bajo ruido.
  7. 7. TIPOS DE MOSFET: MOSFET- TIPO DE ENRIQUECIMIENTO Este tipo de MOSFET se usa en microprocesadores y memorias de computadores (funciona como interruptor). Para obtener corriente de drenador, se tiene que aplicar un voltaje positivo en el graduador compuerta.
  8. 8. FORMACION DE LA CAPA DE INVERSION El sustrato se extiende hasta el oxido de silicio. Ya no hay un canal tipo N entre el surtidor y drenador; por consecuencia, entre los dos terminales no habrá flujo de corriente hasta llegar a un voltaje determinado. Un voltaje positivo en el graduador atrae electrones libres dentro del sustrato tipo P. Estos se unen con algunos huecos adyacentes al oxido de silicio. Cuando el voltaje en el graduador es lo suficientemente positivo, todos los huecos cercanos al oxido de silicio se llenan por lo que ahora pueden fluir los electrones del surtidor al drenador.
  9. 9. CURVAS DE DRENADOR:La curva mas baja es la curva de VGS (th). Cuando VGS esmenor que VGS (th) , la corriente de drenador esextremadamente pequeña. Cuando VGS es mayor que VGS(th), fluye una corriente considerable, cuyo valor depende deVGS.
  10. 10. POLARIZACION DE MOSFET DELTIPO DE ENRIQUECIMIENTOCon un MOSFET del tipo de enriquecimiento, VGS tiene queser mayor que VGS (th) para obtener corriente. Esto eliminala autopolarizacion, la polarizacion por corriente de surtidory, la polarizacion cero, ya que todas ellas operan en el modode empobrecimiento.
  11. 11. Los MOSFET del tipo de enriquecimiento trabajan con lassiguientes polarizaciones:1. Polarizacion con graduador.2. Polarizacion por divisor de voltaje (tensión).3. Retroalimentación de drenador: compensa cambios en las características de los FET.• “Si ID(enc) trata de incrementarse por alguna razón, VD (enc) decrece.
  12. 12. En resumen: La polarización cero trabaja solo con los MOSFET de tipo de empobrecimiento. La polarización por retroalimentación de drenador trabajan con MOSFET del tipo de enriquecimiento.

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