Semiconductor Manufacturer                     Endra Dwi Purnomo                     I8110019                     Teknik M...
Semikonduktor Fabrication / manufactureradalah proses manufaktur yang digunakan untukmenciptakan chip, sirkuit terpadu yan...
Sebuah wafer pada umumnya terbuat dari silikon yangsangat murni yang dikembangkan menjadi ingot silindermono-crystalline y...
Silikon adalah semikonduktor yang paling penting bagi industrimikroelektronika. Bila dibandingkan dengan germanium, siliko...
II. Film DepositionPhysical Vapor Deposition (PVD)-Film dibentuk oleh atom langsungdiangkut dari sumber ke substrat melalu...
OxidationSilicon DioxideDi bawah paparan oksigen, permukaan silikon mengoksidasi untukmembentuk silikon dioksida (SiO2). D...
LithographyDigunakan untuk transfer ke Pola oksida, logam, semikonduktor.3 jenis Photoresists (PR):1) Positif:. PR pola sa...
EtchingEtching     adalah proses di mana daerah yang tidakdiinginkan dari film dikeluarkan oleh salah melarutkan merekadal...
Wet Chemical EtchingWet Etch:- Berada dalam isotropik umum(tidak digunakan untuk fitur etch kurang dari ≈ 3 m)- Mencapai s...
Example Wet ProcessesFor SiO2 etching- HF + NH4F+H20 (buffered oxide etch or BOE)For Si3N4- Hot phosphoric acid: H3PO4 at ...
Dry or Plasma Etching
Dry or Plasma EtchingKombinasi kimia dan etsa fisik - Ion Etching Reaktif (RIE)Dalam RIE proses wafer beradadi elektroda b...
Methods of planar processDiffusion                          Ion Implantation• Sebuah ingot seragam doped  diiris menjadi w...
Final TestingSetiap chip memori diuji pada berbagai tahap dalam proses manufaktur untukmelihat cara cepat dapat menyimpan ...
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture
Upcoming SlideShare
Loading in …5
×

Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture

381 views
333 views

Published on

Published in: Technology
0 Comments
0 Likes
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

No Downloads
Views
Total views
381
On SlideShare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
0
Actions
Shares
0
Downloads
16
Comments
0
Likes
0
Embeds 0
No embeds

No notes for slide

Endra dwi p i8110019 semiconductor manufacture

  1. 1. Semiconductor Manufacturer Endra Dwi Purnomo I8110019 Teknik Mesin Produksi
  2. 2. Semikonduktor Fabrication / manufactureradalah proses manufaktur yang digunakan untukmenciptakan chip, sirkuit terpadu yang hadir di alat listrikdan elektronik sehari-hariProses ini memiliki urutan yang banyak dari fotografi danpemrosesan kimia di mana sirkuit elektronik diciptakansecara bertahap di atas wafer yang terbuat dari bahan ber-semikonduksi murni.
  3. 3. Sebuah wafer pada umumnya terbuat dari silikon yangsangat murni yang dikembangkan menjadi ingot silindermono-crystalline yang memiliki diameter sampai 300 mmmenggunakan proses Czochralski. Ingot-ingot ini kemudiandipotong menjadi wafer dengan ketebalan 0,75mm dandisemir untuk mendapatkan permukaan yang rata danteratur
  4. 4. Silikon adalah semikonduktor yang paling penting bagi industrimikroelektronika. Bila dibandingkan dengan germanium, silikon unggulkarena alasan berikut:(1) Si memiliki celah pita yang lebih besar (1,1 eV untuk Si dibandingkan0,66 eV untuk Ge).(2) perangkat Si dapat beroperasi pada suhu tinggi (150oC vs 100oC).(3) intrinsik resistivitas lebih tinggi (2,3 x 105 Ω-cm vs 47 Ω-cm).(4) SiO2 lebih stabil daripada GeO2 yang juga larut dalam air.(5) Si lebih murah.
  5. 5. II. Film DepositionPhysical Vapor Deposition (PVD)-Film dibentuk oleh atom langsungdiangkut dari sumber ke substrat melalui fase gas• Penguapan thermal penguapan E-beam evaporasi• Sputtering DC sputtering DC Magnetron sputterin RF sputterin• Reaktif PVDChemical Vapor Deposition (CVD)-Film dibentuk oleh reaksi kimia padapermukaan substrat• Tekanan Rendah CVD (LPCVD)• Plasma-Enhanced CVD (PECVD)• Atmosfer Tekanan-CVD (APCVD• Metal-Organic CVD (MOCVD) OxidationSpin CoatingPlatting
  6. 6. OxidationSilicon DioxideDi bawah paparan oksigen, permukaan silikon mengoksidasi untukmembentuk silikon dioksida (SiO2). Dioksida silikon asli adalah isolator listrikberkualitas tinggi dan dapat digunakan sebagai bahan penghalang selamaimplan kotoran atau difusi, untuk isolasi listrik dari perangkatsemikonduktor, sebagai komponen dalam transistor MOS, atau sebagaidielektrik interlayer dalam struktur metalisasi bertingkat seperti multichipmodul. Kemampuan untuk membentuk oksida asli adalah salah satupertimbangan pengolahan primer yang menyebabkan silikon menjadi bahansemikonduktor yang dominan digunakan dalam sirkuit terpadu hari ini.Oksidasi termal dari silikon dengan mudah dicapai dengan memanaskansubstrat pada suhu biasanya di kisaran 900-1200 derajat C. Suasana di tungkumana oksidasi berlangsung dapat mengandung oksigen murni atau uap air.Kedua molekul menyebar dengan mudah melalui lapisan SiO2 yang tumbuhpada temperatur tinggi. Oksigen tiba di permukaan silikon dapatmenggabungkan dengan silikon untuk membentuk silikon dioksida. Reaksikimia yang terjadi baik
  7. 7. LithographyDigunakan untuk transfer ke Pola oksida, logam, semikonduktor.3 jenis Photoresists (PR):1) Positif:. PR pola sama sebagai masker. Saat terkena cahaya, cahayadegradasi polimer (dijelaskan secara lebih rinci nanti)mengakibatkan photoresist menjadi lebih mudah larut dalampengembang. PR dapat dihilangkan dalam pelarut yg tdk mahal sepertiaseton.2) Negatif:. PR pola merupakan kebalikan dari maske. Saat terkenacahaya, cahaya yang berpolimerisasi karet di photoresist untukmemperkuat resistensi itu untuk pembubaran dalam pengembang. Yangmenolak harus dikeluarkan dalam bahan kimia pengupasan khusus. inimenolak cenderung sangat sensitif kelembaban.. 3) Kombinasi: photoresist sama dapat digunakan untuk transfer pola baiknegatif dan positif. Dapat dihilangkan dalam murahpelarut.
  8. 8. EtchingEtching adalah proses di mana daerah yang tidakdiinginkan dari film dikeluarkan oleh salah melarutkan merekadalam larutan kimia basah (Etsa Basah) atau denganmereaksikan dengan gas dalam plasma untuk membentukproduk yang mudah menguap (Etsa Kering).Resist melindungi daerah-daerah yang tetap. Dalam beberapakasus topeng keras, lapisan biasanya bermotif SiO2 atau Si3N4,digunakan ketika selektivitas etch untukphotoresist rendahatau penyebab lingkungan etsa tahan terhadap delaminate.Ini adalah bagian dari litografi - transfer pola
  9. 9. Wet Chemical EtchingWet Etch:- Berada dalam isotropik umum(tidak digunakan untuk fitur etch kurang dari ≈ 3 m)- Mencapai selektivitas tinggi untuk film yang paling kombinasi- Mampu throughputs tinggi- Menggunakan peralatan comparably murah- Dapat telah menolak masalah adhesi- Bisa etching apa saja
  10. 10. Example Wet ProcessesFor SiO2 etching- HF + NH4F+H20 (buffered oxide etch or BOE)For Si3N4- Hot phosphoric acid: H3PO4 at 180 °C- need to use oxide hard maskSilicon- Nitric, HF, acetic acids- HNO3 + HF + CH3COOH + H2OAluminum- Acetic, nitric, phosphoric acids at 35-45 °C- CH3COOH+HNO3+H3PO4
  11. 11. Dry or Plasma Etching
  12. 12. Dry or Plasma EtchingKombinasi kimia dan etsa fisik - Ion Etching Reaktif (RIE)Dalam RIE proses wafer beradadi elektroda bertenaga. Penempatan ini membuat sebuah biasnegatif pada wafer yang mempercepat positif mengisi ion kepermukaan.Ion-ion meningkatkan mekanismekimia etching dan memungkinkan anisotropik. etchingCetak Etching basah lebih sederhana, tetapi cetaketching kering memberikan kontrol garislebar lebihbaik karena merupakan anisotropik.
  13. 13. Methods of planar processDiffusion Ion Implantation• Sebuah ingot seragam doped diiris menjadi wafer. • Sebuah akselerator partikel• Sebuah film oksida ini digunakan untuk mempercepat kemudian tumbuh di wafer. atom doping sehingga dapat• Film ini berpola dan terukir menembus kristal silikon ke menggunakan fotolitografi kedalaman beberapa mikron mengekspos bagian tertentu dari silicon. • Kisi kerusakan kristal tersebut• Wafer ini kemudian berputar kemudian diperbaiki dengan dengan sumber polaritas memanaskan wafer pada suhu berlawanan doping berpegang sedang selama beberapa menit. hanya pada daerah yang Proses ini disebut annealing. terkena.• Wafer ini kemudian dipanaskan dalam tungku (800-1250 deg.C) untuk mendorong atom ke dalam silikon doping tersebut.
  14. 14. Final TestingSetiap chip memori diuji pada berbagai tahap dalam proses manufaktur untukmelihat cara cepat dapat menyimpan atau mengambil informasi, termasuk suhutinggi burn-in di milik Micron ® oven AMBYX yang menguji sirkuit dari setiapchip, memastikan kualitas dan kehandalan.burn-in dipantau menyediakanumpan balik selama proses berlangsung, yang memungkinkan identifikasi dankoreksi masalah manufaktur.Paket-paket selesai diperiksa, disegel, dan ditandai dengan tinta khusus untukmenunjukkan jenis produk, tanggal, kode paket, dan kecepatan. Para barang jadikapal area chip untuk komputer, periferal, telekomunikasi, dan transportasipelanggan di seluruh dunia.Dalam 30 tahun terakhir semikonduktor telah menjadi hampir sangat diperlukandalam banyak aspek kehidupan sehari-hari. Bahkan orang yang tidak memiliki ataumenggunakan komputer cenderung menggunakan memori semikonduktor dalamsatu cara atau lain. Banyak kemampuan yang fantastis dunia modern kitadimungkinkan berkat semikonduktor memori chip.

×