Transistores
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  • 1. ALUMNO: DILFOR ZEVALLOS ZARATECARRERA: ING. DE SISTEMAS
  • 2. » El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos celulares, etc.
  • 3. » El transistor de unión unipolar, también llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.
  • 4. » El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.» Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.» Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.» Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.
  • 5. » Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
  • 6. » Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).» Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
  • 7. » Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".
  • 8. » Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
  • 9. CARACTERISTICAS» Los valores máximos absolutos TC = 25 ° C a menos que se indique lo contrario» Símbolo de los parámetros NDP6030PL NDB6030PL unidades» VDSS drenaje-fuente de tensión -30 V» VGSS puerta-fuente de tensión - Continuo ± 16 V» Identificación Consumo de corriente - continua - 30 A CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS» RqJC Resistencia térmica, conexión a Caso 2 ° C / W» RqJA Resistencia térmica, Junction-a-ambiente 62.5 ° C / W» NDP6030PL Rev.B1» Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5 V» RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.» Críticos de los parámetros eléctricos de corriente continua especificadas a temperaturas elevadas
  • 10. » Popular Fairchild JFET transistor para los pedales de guitarra y preamplificadores en un caso de TO-92.Compatible con RoHS.
  • 11. CARACTERISTICAS» Material: Si» La estructura de transistor: npn» Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 117W» Limite el colector DC-base (Ucb): 110V» Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 100V» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 7V» Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 15A» Temperatura límite de unión pn (Tj): 200°C» Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 800KHz» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -» Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 20/70» Fabricante: KELTRON» Caso: TO3
  • 12. CARACTERISTICAS» Material: Si» La estructura de transistor: npn» Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 75W» Limite el colector DC-base (Ucb): 70V» Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 60V» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 8V» Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 10A» Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C» Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 800KHz» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: -» Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 20/80» Fabricante: STI» Caso: TO220
  • 13. CARACTERISTICAS» Material: Si» La estructura de transistor: npn» Máxima disipación de potencia continua colector del transistor (Pc): 3.5W» Limite el colector DC-base (Ucb): 80V» Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 40V» Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V» Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max): 1A» Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C» Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del transistor (Ft): 60MHz» Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 25» Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito con emisor común (Hfe), min/max: 40/300» Fabricante: PHO» Caso: TO126