Este documento describe los diferentes tipos de semiconductores, incluyendo semiconductores intrínsecos y extrínsecos (dopados). Los semiconductores intrínsecos son puros, mientras que los semiconductores dopados se crean insertando impurezas que aumentan la conductividad. Existen dos tipos de semiconductores dopados: tipo P, que contiene impurezas aceptoras; y tipo N, que contiene impurezas donadoras. La unión de un semiconductor tipo P y uno tipo N forma un diodo, un componente electrónico fundamental.

1. SEMICONDUCTORES
( INTRISECOS – DOPADOS )

2. SEMICONDUCTORES

3. SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Es un semiconductor puro. A
temperatura ambiente se
comporta como un aislante
porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos
a la energía térmica.

4. COMO SE COMPORTAN LOS
S.INTRISECOS
cuando se le aplica una tensión externa los
electrones libres fluyen hacia el terminal positivo de
la batería y los huecos hacia el terminal negativo de
la batería.

5. CUALES SON LOS SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS
Básicamente son todos los elementos
semiconductores que conocemos y mostramos en
esta tabla :
Pero en su estado natural, sin ninguna alteración física o química

6. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS O
DOPADOS
Para que un semiconductor
Intrínseco cumpla mas utilidades
para la tecnología los físicos
descubrieron que al insertarle
impurezas ( otros elementos )
estos semiconductores obtenían
ciertos poderes de conductividad
con muchos efectos aprovechables.

7. COMO ES ESO ?

8. TIPOS DE SEMICONDUCTORES
DOPADOS
Existen dos tipos de Semiconductores Dopados
llamados :
- Semiconductor tipo P
- Semiconductor tipo N

9. SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO «P»
Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras",
que son impurezas pentavalentes. Como los electrones
superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben
el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los
huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un
proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos
al semiconductor para poder aumentar el número
de portadores de carga libres (en este caso negativos
o electrones).

10. El propósito del dopaje tipo n es el de producir
abundancia de electrones portadores en el material.
Veamos un ejemplo :
Aquí tenemos 2 elementos, uno
representado por el color rojo
de valencia 4 , y otro
representado por el azul de
valencia 5 .
Al dopar el los átomos de
valencia 4 con un átomo de
valencia 5 haremos que los 4
primeros electrones de la
impureza formen un enlace
covalente sobrando un
electrón libre , el cual se
aprovechara para hacer
conductividad .

11. SEMICONDUCTOR DOPADO TIPO «P»
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo
un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de
átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Es el que está impurificado con impurezas
"Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el
número de huecos supera el número de electrones
libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los
electrones libres son los minoritarios.

12. El propósito del dopaje tipo P es el de crear
abundancia de huecos.
Veamos un ejemplo :
Aquí tenemos nuevamente a 2
elementos representado por los
colores rojo de valencia 4 y azul
de valencia 3 .
Al insertar la impureza azul de
valencia 3 estamos agregando
un hueco a la formación total
del cristal , este hueco es
aprovechado para generar
conductividad .

13. PARA QUE SIRVEN LOS
SEMICONDUCTORES DOPADOS
Los semiconductores dopados son quizás los mas
importantes elementos en la electrónica moderna,
gracias a el efecto de «dopado» se consigue la
construcción de muchos componentes en la
electrónica entre ellos el mas conocido y muy usado
llamado DIODO , del cual hablaremos ahora .

14. EL DIODO
Un diodo es un componente electrónico de dos
terminales que permite la circulación de la corriente
eléctrica a través de él en un solo sentido.
Dicho de manera mas precisa un Diodo es la unión
de un semiconductor dopado tipo N y uno tipo P.
Diodo PN

15. ZONA DE DEPLEXION
Al haber una repulsión mutua, los electrones libres en el lado n se
dispersan en cualquier dirección. Algunos electrones libres se difunden
y atraviesan la unión, cuando un electrón libre entra en la región p se
convierte en un portador minoritario y el electrón cae en un hueco, el
hueco desaparece y el electrón libre se convierte en electrón de
valencia. Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un
par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga
negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se
llaman dipolos, al aumentar los dipolos la
región cerca de la unión se vacía de
portadores y se crea la llamada "Zona de
depleción"

16. BARRERA DE POTENCIAL
Los dipolos tienen un campo eléctrico entre los iones positivo y negativo, y al
entrar los electrones libres en la zona de depleción, el campo eléctrico trata de
devolverlos a la zona n. La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada
electrón que cruza hasta llegar al equilibrio.
El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada "Barrera de Potencial" que a 25 ºC vale:
• 0.3 V para diodos de Ge.
• 0.7 V para diodos de Si.
Polarizar: Poner una pila.
No polarizado: No tiene pila, circuito abierto o en vacío.
z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de depleción (W) .

17. TIPOS DE DIODOS

18. BIBLIOGRAFIA
• http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
• http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina7.htm
• http://es.answers.yahoo.com/question/index?qid=20080718153722AAHFDSj
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