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  • 1. MEMORIA RAMLa Memoria RAM (Random Access Memory o Memoria de Acceso Aleatorio)Es un circuito integrado o chip que almacena los programas, datos y resultadosejecutados por la computadora y de forma temporal, pues su contenido se pierdecuando esta se apaga. Se llama de ACCESO ALEATORIO - o de acceso directo - porquese puede acceder a cualquier posición de memoria sin necesidad de seguir un orden.La Memoria RAM puede ser leída y escrita por lo que su contenido puede sermodificado.La memoria RAM es VOLÁTIL, porque su información se pierde al interrumpirse laenergía eléctrica.Hay dos tipos básicos de memoria RAM RAM dinámica (DRAM) RAM estática (SRAM)Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnología que utilizan paraguardar los datos, la memoria RAM dinámica es la más común.La memoria RAM dinámica necesita actualizarse miles de veces por segundo,mientras que la memoria RAM estática no necesita actualizarse, por lo que es másrápida, aunque también más cara. Ambos tipos de memoria RAM son volátiles, esdecir, que pierden su contenido cuando se apaga el equipo.Coloquialmente el término RAM se utiliza como sinónimo de memoria principal, lamemoria que está disponible para los programas, por ejemplo, un ordenador con 8Mde RAM tiene aproximadamente 8 millones de bytes de memoria que los programaspuedan utilizar.
  • 2. ESTRUCTURA FISICA DE LA RAM En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroidesde ferrita, la corriente polariza la ferrita. Mientras esta queda polarizada el sistemapuede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes no es posibleacceder. Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendopor válvulas de vacion, transistores y en las últimas generaciones por un materialsolido dieléctrico. Dicho estado solido dieléctrico tipo DRAM permite que se puedatanto leer como escribir informacion.FUNCIONAMIENTO DE LAS MEMORIAS RAM.La memoria principal o RAM (acrónimo de Random Access Memory, Memoria deAcceso Aleatorio) es donde el ordenador guarda los datos que está utilizando en elmomento presente. Se llama de acceso aleatorio porque el procesador accede a lainformación que está en la memoria en cualquier punto sin tener que accederá lainformación anterior y posterior. Es la memoria que se actualiza constantementemientras el ordenador está en uso y que pierde sus datos cuando el ordenador seapaga.TÉRMINOS TÉCNICOS DE MEMORIATiempo de refresco o latenciaEs el retardo en nanosegundos para acceder a una celda de datos, internamente losdatos en la memoria se organizan por filas, columnas y tableros. Por eso el valor seespecifica con 3 números distintos. Cuando accedes a un dato tienes la latencia, que espor fila, otra que es por columna, así como otra por tablero. Entre más pequeños sonestos valores mejor y más rápida es la memoria.Tiempo de accesoEs el tiempo que transcurre desde el instante en que se lanza la operación de lecturaen la memoria y el instante en que se lanza la operación de lectura en la memoria y el
  • 3. instante en que se dispone de la primera información buscada. En la memoriaprincipal, este tiempo es, en principio, independiente de la dirección en la que seencuentre la información a la cual queremos acceder.Buffer de datosEl buffer es la parte de la memoria RAM que utiliza el sistema operativo o algúnsoftware para realizar un trabajo o proceso mas rápido. El buffer en una computadora,es el proceso que realiza el hardware o el software para realizar algún trabajo másrápidamente sin necesidad de recurrir a la lectura o escritura.ParidadConsiste en añadir a la (edo o bedo) un chip que realiza una operación con los datoscuando entran en el chip y otra cuando salen. Si el resultado ha variado, se haproducido un error y los datos ya no son fiables. Dicho así, parece una ventaja, sinembargo el ordenador solo avisa de que el error se ha producido, no lo corrige.Almacenamiento de la información en una memoria RAMEl más común es el disco magnético; el objeto de guardar datos en la memoria es quetiene más cantidad de espacio para guardar datos.Tipos de memoria RAMSíncronas: Están en sincronía con el procesador.Asíncronas: No están en sincronía con el procesador.MÓDULOS DE MEMORIA RAM DIP o Dual in-line package: Es una forma de encapsulamiento común en la construcción de circuitos integrados. La forma consiste en un bloque con dos hileras paralelas de pines, la cantidad de éstos depende de cada circuito. Por la posición y espaciamiento entre pines, los circuitos DIP son especialmente prácticos para construir prototipos en tablillas de protoboard.
  • 4. SIPP o Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple):Consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que semontan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa(de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito,que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placabase del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo.SIMM (siglas de Single In-line Memory Module): Es un formato para módulos dememoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que semontan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en zócalossobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, estaes la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs.
  • 5. DIMM o Dual In-line Memory Module (Módulo de Memoria en línea doble):Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se tratade un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conectadirectamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconociblesexternamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, adiferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un ladoestán unidos con los del otro.Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipopredominante de memoria cuando los microprocesadores IntelPentium dominaron el mercado.
  • 6. RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module (Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años. Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR.MÓDULOS RAM PARA PORTÁTILES SO-DIMM (Small Outline DIMM): consisten en una versión compacta de los módulos DIMM convencionales. Los módulos SO-DIMM tienen 100, 144 ó 200 pines. Los de 100 pines soportan transferencias de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Los SO-DIMM tienen más o menos las mismas características en voltaje y potencia que las DIMM corrientes, utilizando además los mismos avances en la tecnología de memorias (por ejemplo existen DIMM y SO-DIMM con memoria PC2-5300 (DDR2.533/667) con capacidades de hasta 2 GB y Latencia CAS (de 2.0, 2.5 y 3.0).
  • 7. Micro DIMM: Es la mas pequeña de las DIMM. Posee 214 pines. SO-RIMM: Tecnología, particularmente para Cuadernos y otras computadoras portables una desarrolladas. Los módulos son substancialmente más compactos por lo tanto que RIMM y tienen 160 contactos.TECNOLOGÍAS 1. MEMORIAS ASÍNCRONAS. DRAM: el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera; el acceso a los datos esta sincronizado con una señal de reloj externa.
  • 8. FPM-RAM (Fast Page Mode): Memoria muy popular, ya que era la que se incluía en los antiguos 386, 486 y primeros Pentium. Alcanza velocidades de hasta 60 ns. Se encuentra en los SIMM de 30 contactos y los posteriores de 72. EDO-RAM (Extended Data Output): La memoria EDO, a diferencia de la FPM que sólo podía acceder a un solo byte al tiempo, permite mover un bloque completo de memoria a la memoria caché del sistema, mejorando así las prestaciones globales. De mayor calidad, alcanza velocidades de hasta 45 ns. Se encuentra en los Pentium, Pentium Pro y primeros Pentium II en SIMM de 72 contactos y en los primeros DIMM de 168 contactos, funcionando a 5 y 3,3 voltios. BEDO-RAM (Burst Extended Data Output): Diseñada originalmente para los chipset HX, permite transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, aunque no de forma continuada, sino a ráfagas, reduciendo los tiempos de espera del procesador, aunque sin conseguir eliminarlos del todo.2. MEMORIAS SINCRONAS. SDR SDRAM (Synchronous DRAM): Memoria asíncrona que se sincroniza con la velocidad del procesador, pudiendo obtener información en cada ciclo de reloj, evitando así los estados de espera que se producían antes. La SDRAM es capaz de soportar las velocidades del bus a 100 y 133 MHz, alcanzando velocidades por debajo de 10 ns. Se encuentra en la práctica mayoría de los módulos DIMM de 168 contactos. PC66: 64 bits, 168 contactos, frecuencia de reloj de 66,66 MHz y con modulo DIMM (144 contactos en modulo SODIMM). PC100: Es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos establecidas
  • 9. por Intel. El objetivo es garantizar un funcionamiento estable en la memoriaRAM a velocidades de bus de 100 MHz.PC133: Muy parecida a la anterior y de grandes exigencias técnicas paragarantizar que el módulo de memoria que la cumpla funcione correctamente alas nuevas velocidades de bus de 133 MHz que se han incorporado a losúltimos Pentium III.DDR SDRAM: Tiene datos que transfieren 64 bits a la vez, una velocidad detransferencia máxima de 1600 MB / s y con modulo DIMM.PC 1600 ó DDR200: Tiene una frecuencia de bus de 100 MHz, se transfieren64 bits a la vez, con 184 contactos y con módulos DIMM.PC 2100 ó DDR266: La memoria del reloj 133 MHz, El tiempo del ciclo 7.5 ns,velocidad de datos 266 Mhz, de 184 contactos y con módulos DIMMs.PC 2700 ó DDR333: La memoria del reloj 166 MHz, El tiempo del ciclo 6 ns,velocidad de datos 333 MHz, con 184 contactos y módulos DIMMs.PC 3200 ó DDR400: La memoria del reloj 200 MHz, El tiempo del ciclo 5 ns,Velocidad de datos 200 MHz, con 184 contactos y módulos DIMMs.PC -4200 ó DDR2-533: La memoria del reloj 133 MHz, El tiempo del ciclo 7.5ns, velocidad de datos 4264 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.PC -4800 ó DDR2-600: La memoria del reloj 150 MHz, el tiempo del ciclo 6,7ns, velocidad de datos 4800 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.
  • 10. PC -5300 ó DDR2-667: La memoria del reloj 166 MHz, el tiempo del ciclo 6 ns, velocidad de datos 5336 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs. PC -6400 ó DDR2-800: La memoria del reloj 200 MHz, el tiempo del ciclo 5 ns, velocidad de datos 6400 MB/s, con 240 contactos y con módulos DIMMs. DDR3: Velocidad del reloj 250 MHz, tiempo entre señales 4 ns, velocidad del reloj de E/S 1000 MHz, velocidad de datos 1600 MB/s, con 240 contactos y módulos DIMMs.3. RDRAM: Su ancho de palabra es de 16 bits y trabaja a una velocidad mucho mayora la de una SDRAM, llegando hasta los 400Mhz.Cuenta con 184 contactos y módulos RIMM. XDR DRAM: Soportan una capacidad máxima de 1 GB, velocidad del reloj: 400 MHz, 600 MHz, 800 MHz y 1 GHz y cuenta con una producción de datos: 8 bites por frente de reloj o sea 3,2 Gbit/s a 400MHz. XDR2 DRAM: La Frecuencia más alta es hasta de 800 MHz, transferencia de 16 bits por pasador por ciclo de reloj.4. DRDRAM (Direct Rambus DRAM): Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns, picos de varios Gbytes/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para las tarjetas gráficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la tarjeta gráfica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria para el manejo de las texturas gráficas.5. SLDRAM (SyncLink DRAM): Se basa, al igual que la DRDRAM, en un protocolo propietario, que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso no dependen de la sincronización de múltiples líneas, por lo que este tipo de
  • 11. memoria promete velocidades superiores a los 800 MHz, ya que además puede operar al doble de velocidad del reloj del sistema. 6. SRAM: Es la abreviatura de Static Random Access Memory y es la alternativa a la DRAM. No precisa de tanta electricidad como la anterior para su refresco y movimiento de las direcciones de memoria, por lo que funciona más rápida, aunque tiene un elevado precio. Hay de tres tipos: Async SRAM: La memoria caché de los antiguos 386, 486 y primeros Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns. Sync SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns. Pipelined SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns. 7. EDRAM: Tiempo de 35 ns, tiempo de lectura aleatoria de 15 nanosegundos. 8. ESDRAM (Enhanced SDRAM): Incluye una pequeña memoria estática en elinterior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden serresueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en unprincipio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores. 9.VRAM: Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismotiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica, para suavizar lapresentación gráfica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella al mismotiempo.
  • 12. 10. SGRAM: Agrega mejoras como bit masking (escribir en un bit específico sinafectar a otros) y block write (rellenar un bloque de memoria con un único color). Esel tipo de memoria más popular en las nuevas tarjeta gráficas aceleradoras 3D. 11. WRAM: Permite leer y escribir información de la memoria al mismo tiempo,como en la VRAM, pero está optimizada para la presentación de un gran número decolores y para altas resoluciones de pantalla.