• Share
  • Email
  • Embed
  • Like
  • Save
  • Private Content
Heterosandūros
 

Heterosandūros

on

  • 892 views

 

Statistics

Views

Total Views
892
Views on SlideShare
891
Embed Views
1

Actions

Likes
0
Downloads
0
Comments
0

1 Embed 1

http://www.linkedin.com 1

Accessibility

Categories

Upload Details

Uploaded via as Microsoft PowerPoint

Usage Rights

© All Rights Reserved

Report content

Flagged as inappropriate Flag as inappropriate
Flag as inappropriate

Select your reason for flagging this presentation as inappropriate.

Cancel
  • Full Name Full Name Comment goes here.
    Are you sure you want to
    Your message goes here
    Processing…
Post Comment
Edit your comment
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.

Heterosandūros Heterosandūros Presentation Transcript

    • Įvairiatarpės sandūros, jų juostų schema ir potencialo pasiskirstymas. Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija. Voltamperinės charakteristikos teorija.
    • Algimantas Časas
  • Turinys
    • Įvairiatarpės sandūros,
    • jų juostų schema ir potencialo pasiskirstymas.
    • Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija.
    • Voltamperinės charakteristikos teorija
    • Literatūra
  • Įvairiatarpės sandūros
    • Skirtumai nuo ankščiau nagrinėtų p-n sandūrų:
      • Medžiagos yra su skirtingais draustinių juostų tarpais Eg, dėl to atsiranda energijos juostų trūkis
      • Sandūrų gamybai naudojamos sudėtingesnės technologijos
      • Padarė perversmą elektronikoje (2000m. Nobelio premija Herbert Kroemer, Zhores I. Alferov už heterosandūrų vystymą)
      • Tos pačios kristalinės struktūros gardelės konstantos dviejų skirtingų puslaidininkių idealiai nesutampa, dėl to vartojamos poros, kurios turi mažiausią skirtumą (Si ir Ge, Ge ir GaAs).
  • Įvairiatarpės sandūros HEMT HIT Dvigubos heterosand ūros lazeris
  • Įvairiatarpės sandūros Nagrinėsime dviejų n ir p tipo skirtingos cheminės sudėties puslaidininkių sandūrą 12.1 pav. (a) Dveijų skirtingų puslaidininkių energijos juostų schema Skirtingi parametrai ( χ ; ε ; Ф ; Е g)
  • 12.1 pav. (b) Dveijų skirtingų puslaidininkių sandūros juostų schema ir potencialo Pasiskirstymas
  • Įvairiatarpės sandūros
  • Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
  • Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
  • Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija
  • Voltamperinės charakteristikos teorija
    • Priemaišos yra seklios ir visiškai jonizuotos
    • Atsižvelgsime tik į vyraujančią srovę
    • Pagrindinių krūvininkų injekciją iš siaurajuosčio į plačiajuostį puslaidininkį trukdo didelis potencialo barjeras, todėl šios injekcijos sukelta difuzinė srovė yra silpna ir į ją neatsižvelgsime (ekstrakcijos srovė, gauta ekstrahuojant plačiajuosčio puslaidininkio šalutinius krūvininkus, taip pat yra silpna, nes šalutinių krūvininkų generacijos sparta ir jų tankis yra maži).
    • Laikysime, kad sandūros plokštumoje (x = 0) nėra laisvųjų cheminių ryšių, kurie veikia kaip rekombinacijos centrai, taip pat nėra kitų defektų
    • Pagaminti tokią heterosandūrą praktiškai neįmanoma, todėl ji vadinama idealiąja pn heterosandūra.
  • Voltamperinės charakteristikos teorija
  • Voltamperinės charakteristikos teorija
    • Išnagrinėtas idealiosios pn heterosandūros difuzinės srovės modelis praktiškai sunkiai realizuojamas, nes, gaminant pn heterosandūrą, sudaroma daug paviršinių lygmenų.
    • Gardelės defektai, esantys realios pn heterosandūros skirtingų gardelių sąlyčio plokštumoje, sudaro paviršinius lygmenis, ir atsiranda papildomų elektroninių šuolių galimybė. Dėl to realios pn heterosandūros srovės mechanizmas gali iš esmės skirtis nuo idealiosios.
    • Jeigu paviršinių lygmenų nėra (heterosandūrą ideali), iš pimojo į antrąjį puslaidininkį pereina tik tie elektronai, kurių energija didesnė už barjero aukštį. Skylės iš antrojo į pirmąjį puslaidininkį patenka viršbarjerinės emisijos būdu arba tuneliuodamos pro siaurą srities barjerą.
    • Kai yra paviršinių lygmenų, elektronai sandūroje patenka į juos ir, išspinduliuodami fononus, paviršiniais lygmenimis E t nusileidžia žemyn ir rekombinuoja su skylėmis. Ši srovė vadinama rekombinacijos srove. Ji yra nenaudinga, nes silpnina injektuotų skylių ir elektronų difuzines sroves.
    Išvados
  • Literatūra:
    • V. Kažukauskas “Šiuolaikiniai mikroelektronikos puslaidininkių prietaisai” 2008
    • S. M. Sze, Kwok Kwok Ng “Physics of semiconductor devices” 2007
    • Jenny Nelson “ The Physics of Solar Cells ” 2007
    • Principles of Semiconductor Devices http://ecee.colorado.edu/~bart/ book / book /chapter4/ch4_3.htm (2011 10 25)