<ul><li>Įvairiatarpės sandūros, jų juostų schema ir potencialo pasiskirstymas. Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija. Voltam...
Turinys <ul><li>Įvairiatarpės sandūros,  </li></ul><ul><li>jų juostų schema ir potencialo pasiskirstymas.  </li></ul><ul><...
Įvairiatarpės sandūros <ul><li>Skirtumai nuo ankščiau nagrinėtų p-n sandūrų: </li></ul><ul><ul><li>Medžiagos yra su skirti...
Įvairiatarpės sandūros HEMT HIT Dvigubos  heterosand ūros lazeris
Įvairiatarpės sandūros Nagrinėsime dviejų n ir p tipo skirtingos cheminės sudėties puslaidininkių sandūrą 12.1 pav. (a) Dv...
12.1 pav. (b)  Dveijų skirtingų puslaidininkių sandūros juostų schema ir potencialo  Pasiskirstymas
Įvairiatarpės sandūros
Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija
Voltamperinės charakteristikos teorija <ul><li>Priemaišos yra seklios ir visiškai jonizuotos </li></ul><ul><li>Atsižvelgsi...
Voltamperinės charakteristikos teorija
Voltamperinės charakteristikos teorija
<ul><li>Išnagrinėtas idealiosios  pn  heterosandūros difuzinės srovės modelis praktiškai sunkiai realizuojamas, nes, gamin...
Literatūra: <ul><li>V. Kažukauskas “Šiuolaikiniai mikroelektronikos puslaidininkių prietaisai” 2008 </li></ul><ul><li>S. M...
Upcoming SlideShare
Loading in …5
×

Heterosandūros

776
-1

Published on

0 Comments
0 Likes
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

No Downloads
Views
Total Views
776
On Slideshare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
0
Actions
Shares
0
Downloads
1
Comments
0
Likes
0
Embeds 0
No embeds

No notes for slide
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing. Nnobelio prizas rusu moksilinkams 2000 uz heterosanduru tobulinima optoelektronikoje ir greitojoje elektronikoje
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • The heterojunction p-n diode is in principle very similar to a homojunction. The main problem that needs to be tackled is the effect of the bandgap discontinuities and the different material parameters, which make the actual calculations more complex even though the p-n diode concepts need almost no changing.
  • Heterosandūros

    1. 1. <ul><li>Įvairiatarpės sandūros, jų juostų schema ir potencialo pasiskirstymas. Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija. Voltamperinės charakteristikos teorija. </li></ul><ul><li>Algimantas Časas </li></ul>
    2. 2. Turinys <ul><li>Įvairiatarpės sandūros, </li></ul><ul><li>jų juostų schema ir potencialo pasiskirstymas. </li></ul><ul><li>Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija. </li></ul><ul><li>Voltamperinės charakteristikos teorija </li></ul><ul><li>Literatūra </li></ul>
    3. 3. Įvairiatarpės sandūros <ul><li>Skirtumai nuo ankščiau nagrinėtų p-n sandūrų: </li></ul><ul><ul><li>Medžiagos yra su skirtingais draustinių juostų tarpais Eg, dėl to atsiranda energijos juostų trūkis </li></ul></ul><ul><ul><li>Sandūrų gamybai naudojamos sudėtingesnės technologijos </li></ul></ul><ul><ul><li>Padarė perversmą elektronikoje (2000m. Nobelio premija Herbert Kroemer, Zhores I. Alferov už heterosandūrų vystymą) </li></ul></ul><ul><ul><li>Tos pačios kristalinės struktūros gardelės konstantos dviejų skirtingų puslaidininkių idealiai nesutampa, dėl to vartojamos poros, kurios turi mažiausią skirtumą (Si ir Ge, Ge ir GaAs). </li></ul></ul>
    4. 4. Įvairiatarpės sandūros HEMT HIT Dvigubos heterosand ūros lazeris
    5. 5. Įvairiatarpės sandūros Nagrinėsime dviejų n ir p tipo skirtingos cheminės sudėties puslaidininkių sandūrą 12.1 pav. (a) Dveijų skirtingų puslaidininkių energijos juostų schema Skirtingi parametrai ( χ ; ε ; Ф ; Е g)
    6. 6. 12.1 pav. (b) Dveijų skirtingų puslaidininkių sandūros juostų schema ir potencialo Pasiskirstymas
    7. 7. Įvairiatarpės sandūros
    8. 8. Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
    9. 9. Kontaktinio potencialo pasiskirstymas
    10. 10. Krūvininkų injekcija ir ekstrakcija
    11. 11. Voltamperinės charakteristikos teorija <ul><li>Priemaišos yra seklios ir visiškai jonizuotos </li></ul><ul><li>Atsižvelgsime tik į vyraujančią srovę </li></ul><ul><li>Pagrindinių krūvininkų injekciją iš siaurajuosčio į plačiajuostį puslaidininkį trukdo didelis potencialo barjeras, todėl šios injekcijos sukelta difuzinė srovė yra silpna ir į ją neatsižvelgsime (ekstrakcijos srovė, gauta ekstrahuojant plačiajuosčio puslaidininkio šalutinius krūvininkus, taip pat yra silpna, nes šalutinių krūvininkų generacijos sparta ir jų tankis yra maži). </li></ul><ul><li>Laikysime, kad sandūros plokštumoje (x = 0) nėra laisvųjų cheminių ryšių, kurie veikia kaip rekombinacijos centrai, taip pat nėra kitų defektų </li></ul><ul><li>Pagaminti tokią heterosandūrą praktiškai neįmanoma, todėl ji vadinama idealiąja pn heterosandūra. </li></ul>
    12. 12. Voltamperinės charakteristikos teorija
    13. 13. Voltamperinės charakteristikos teorija
    14. 14. <ul><li>Išnagrinėtas idealiosios pn heterosandūros difuzinės srovės modelis praktiškai sunkiai realizuojamas, nes, gaminant pn heterosandūrą, sudaroma daug paviršinių lygmenų. </li></ul><ul><li>Gardelės defektai, esantys realios pn heterosandūros skirtingų gardelių sąlyčio plokštumoje, sudaro paviršinius lygmenis, ir atsiranda papildomų elektroninių šuolių galimybė. Dėl to realios pn heterosandūros srovės mechanizmas gali iš esmės skirtis nuo idealiosios. </li></ul><ul><li>Jeigu paviršinių lygmenų nėra (heterosandūrą ideali), iš pimojo į antrąjį puslaidininkį pereina tik tie elektronai, kurių energija didesnė už barjero aukštį. Skylės iš antrojo į pirmąjį puslaidininkį patenka viršbarjerinės emisijos būdu arba tuneliuodamos pro siaurą srities barjerą. </li></ul><ul><li>Kai yra paviršinių lygmenų, elektronai sandūroje patenka į juos ir, išspinduliuodami fononus, paviršiniais lygmenimis E t nusileidžia žemyn ir rekombinuoja su skylėmis. Ši srovė vadinama rekombinacijos srove. Ji yra nenaudinga, nes silpnina injektuotų skylių ir elektronų difuzines sroves. </li></ul>Išvados
    15. 15. Literatūra: <ul><li>V. Kažukauskas “Šiuolaikiniai mikroelektronikos puslaidininkių prietaisai” 2008 </li></ul><ul><li>S. M. Sze, Kwok Kwok Ng “Physics of semiconductor devices” 2007 </li></ul><ul><li>Jenny Nelson “ The Physics of Solar Cells ” 2007 </li></ul><ul><li>Principles of Semiconductor Devices http://ecee.colorado.edu/~bart/ book / book /chapter4/ch4_3.htm (2011 10 25) </li></ul>
    1. A particular slide catching your eye?

      Clipping is a handy way to collect important slides you want to go back to later.

    ×